[发明专利]利用双镶嵌工艺来制造T型多晶硅栅极的方法

摘要

本发明提供一种利用双镶嵌工艺来制造T型多晶硅栅极的方法，它是在一半导体基底上形成一氧化层、一硬掩膜层，及一图案化第一光刻胶层，以图案化光刻胶层为掩膜，对硬掩膜层与氧化层进行刻蚀，来形成一第一沟槽，去除图案化第一光刻胶层，然后在第一沟槽沉积一有机层，在半导体基底上形成一图案化第二光刻胶层，以图案化第二光刻胶层对硬掩膜进行刻蚀，来定义出第二沟槽的尺寸，去除图案化第二光刻胶层与有机层，在第一、第二沟槽内沉积一氧化层与一多晶硅层，去除剩余的硬掩膜层，得到一T形轮廓的多晶硅栅极。

主权项

1.一种利用双镶嵌工艺来制造T型多晶硅栅极的方法，包括下列步骤：提供一半导体基底，其内部形成有隔离区域；在所述半导体基底上依序形成一氧化层，一硬掩膜层，及一图案化第一光刻胶层，以所述图案化第一光刻胶层为掩膜，对所述硬掩膜层与所述氧化层进行刻蚀工艺，直至暴露出所述半导体基底为止，以形成一第一沟槽，而后去除所述图案化第一光刻胶层；在所述第一沟槽沉积一有机层，对所述有机层进行一回刻工艺，至所述有机层的表面高度低于所述硬掩膜层为止；在所述半导体基底上形成一图案化第二光刻胶层，以定义出所要刻蚀的第二沟槽尺寸，而所述图案化第二光刻胶层的刻蚀窗尺寸大于所述第一沟槽，以所述图案化第二光刻胶层为掩膜，对所述硬掩膜层继续进行一刻蚀工艺，以形成一第二沟槽，而后去除所述图案化第二光刻胶层与所述有机层；对所述半导体基底施行一氧化工艺，使从所述第一沟槽暴露出的所述半导体基底表面形成一栅极氧化层；在所述半导体基底上沉积一多晶硅层，并填满所述第一、第二沟槽，而后对所述多晶硅层进行一平整化工艺；以及去除剩余的所述硬掩膜层，然后以所述多晶硅层为掩膜去除暴露出的所述氧化层，以得到一T型轮廓的多晶硅栅极。