[发明专利]静电放电保护装置无效
| 申请号： | 200310104636.2 | 申请日： | 2003-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN1599065A | 公开（公告）日： | 2005-03-23 |
| 发明（设计）人： | 陈伟梵;林锡聪 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 任永武 |
| 地址： | 台湾省新竹市新*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种静电放电(ESD)保护装置，具有第一导电性的半导体本体，在半导体本体形成的第二导电性的第一掺杂区域，在半导体本体形成的第二导电性的第二掺杂区域，在第一掺杂区域及第二掺杂区域间形成的通道区域，在第一掺杂区域上形成的数个接触窗，及在半导体本体形成的及在位于通道及接触窗间的第二导电性的井。 | ||
| 搜索关键词： | 静电 放电 保护装置 | ||
【主权项】：
1.一种静电放电保护装置，其包括：第一导电性的半导体本体；在半导体本体所形成的第二导电性的第一掺杂区域；在半导体本体所形成的第二导电性的第二掺杂区域；在第一掺杂区域及第二掺杂区域间所形成的通道区域；在第一掺杂区域上所形成的数个接触窗；及在半导体本体所形成的及位于通道及接触窗间的第二导电性的井。
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