[其他]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 101986000002691 | 申请日： | 1986-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN1004456B | 公开（公告）日： | 1989-06-07 |
| 发明（设计）人： | 田端辉夫 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | 分类号： | ||
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。其中，双隔离扩散区的下扩散层加在衬底表面上，在该下扩散层上形成外延层，该层主要朝上向外扩散入外延层，同时从外延层表面深扩散一元件扩散区，然后浅扩散双隔离扩散区的上扩散层。由此抑制上扩散层的横向延伸，改善集成度。本发明器件中双隔离扩散区、集电区、基区及发射区都形成在外延层宽度内。该器件的基区宽度起伏减少，过渡频率ｆＴ和电流增益ｈＦＥ得到提高。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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