[发明专利]利用激光结晶形成多晶系膜层的方法有效
| 申请号： | 03154444.4 | 申请日： | 2003-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN1604276A | 公开（公告）日： | 2005-04-06 |
| 发明（设计）人： | 蔡耀铭;张世昌;李光振;洪郁婷 | 申请（专利权）人： | 统宝光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/324;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 董惠石 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提出一种利用激光结晶形成多晶系膜层的方法，可以避免基板边缘区域的非晶系层在经激光退火时受到损害。藉由控制制程气体于沉积反应室中的浓度分布，可于基板上形成一层厚度于基板边缘区域往基板侧边方向递增的非晶系膜层，再对非晶系膜层进行激光退火，使其转为多晶系膜层。从而克服了现有技术的缺陷，可避免高能量的激光照射使边缘区域的非晶硅层受损，使高扫描速度高能量的激光照射不用避开边缘区域，因此不会减少可用来制作面板的区域，亦不会有后续制程对位问题的发生。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 激光 结晶 形成 多晶 系膜层 方法 | ||
【主权项】：
1.一种利用激光结晶形成多晶系膜层的方法，至少包括：提供一基板，具有一边缘区域及一主要区域；形成一非晶系膜层于该基板之上，其中该非晶系膜层于该边缘区域的平均厚度大于该主要区域的平均厚度；以及对该非晶系膜层进行激光退火，以转为一多晶系膜层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于统宝光电股份有限公司，未经统宝光电股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/03154444.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
