[发明专利]抑制了电流路径上的晶体管组的电阻的薄膜磁性体存储器无效
| 申请号： | 03131290.X | 申请日： | 2003-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN1482616A | 公开（公告）日： | 2004-03-17 |
| 发明（设计）人： | 日高秀人;石川正敏;大石司 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/15 | 分类号： | G11C11/15 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘宗杰;王忠忠 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 作为连接到读出电流路径上的晶体管组的1个的MTJ存储单元中的存取晶体管(ATR)用表面沟道型场效应晶体管来构成。表面沟道型场效应晶体管与埋入沟道型场效应晶体管相比，其沟道电阻低，可减轻读出电流路径的RC负载。伴随于此，可进行高速的数据读出。 | ||
| 搜索关键词： | 抑制 电流 路径 晶体管 电阻 薄膜 磁性 存储器 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜磁性体存储器，其特征在于，具备：多个磁性体存储单元，被配置成行列状，具有其电阻分别随以磁的方式写入的存储数据变化的磁阻元件；数据线，在数据读出时流过与选择存储单元的存储数据对应的读出电流，其中上述选择存储单元与上述多个磁性体存储单元中的地址信号相对应；以及外围电路，用来对上述选择存储单元进行数据读出和数据写入，上述外围电路包含根据上述读出电流来读出上述选择存储单元的存储数据的读出放大器电路，使上述读出电流通过的晶体管中的至少一部分的每单位尺寸的沟道电阻被设计成比上述外围电路中的其它的晶体管中的每单位尺寸的沟道电阻为最大的至少一部分的沟道电阻小。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三菱电机株式会社，未经三菱电机株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/03131290.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
