[发明专利]一种单/多层异质量子点结构的制作方法无效
| 申请号： | 01136843.8 | 申请日： | 2001-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN1414644A | 公开（公告）日： | 2003-04-30 |
| 发明（设计）人： | 陈振;陆大成;韩培德;刘祥林;王晓晖;李昱峰;王占国 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L31/00;H01S5/34;B82B3/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种制作单/多层异质量子点结构的方法，这种结构用于制作发光器件和微电子器件的活性层，选择合适的衬底材料，在该衬底上外延所需的半导体薄膜材料作为衬底，然后对衬底材料表面进行钝化，然后在钝化后的表面上生长一层纳米尺寸的岛状诱导层，再生长单/多层量子点结构，采用这种方法生长量子点工艺简单，量子点尺寸可调度大，并且适用于多种超晶格外延生长设备；在这种单/多层异质量子点结构中，由于量子限制效应导致三维方向上的载流子局域化；采用该新结构的半导体光电器件可以通过制作内量子效率高、温度特性稳定和开启电压低或阈值电压低的发光器件和电子器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多层 质量 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种制作单/多层异质量子点结构的方法，其特征在于，该方法包括如下制备步骤：步骤1：选择衬底材料，在该衬底上外延生长所需要的另一材料作为下一步的衬底；步骤2：对外延生长的材料表面进行钝化，以利于量子点的形成；步骤3：在经钝化后的上述衬底上生长一层纳米尺寸的量子点作为诱导层；步骤4：然后在诱导层上再生长一层或多层异质量子点结构；所生长的单/多层异质量子点结构可以作为光学器件或电子器件的活性层。
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