专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果25315个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [发明专利]一种数据管理方法和系统-CN201410165867.2在审
  • 贾利滨;刘浩伟 - 北京淦蓝润和信息技术有限公司
  • 2014-04-23 - 2014-07-09 - H04L29/06
  • 本发明提供了一种数据管理方法和系统,用户设备上插入USB设备后运行客户端;所述客户端通过所述USB设备中的无线传输模块与服务端设备之间建立无线连接;所述客户端通过所述无线连接实现对所述服务端设备的数据管理。本发明摆脱了在用户设备本地存储空间的限制,在对服务端设备进行数据管理时,无需输入用户口令,且这种即插即用的方式简化了用户操作。另外,本发明通过利用USB设备的私钥进行数据加密以及服务端设备利用USB设备的身份信息进行访问控制的方式,保证了数据管理的安全性。
  • 一种数据管理方法系统
  • [发明专利]船用数据采集网关和数据采集方法-CN201410170172.3在审
  • 徐轶群 - 集美大学
  • 2014-04-25 - 2014-07-09 - H04L12/66
  • 本发明公开了船用数据采集网关,用于采集下位机的能耗数据并发送至上位机中进行处理,包括电源模块、数据采集模块、MCU处理器模块、数据存储模块和上位机接口模块,所述电源模块用于为各个模块提供电源;所述数据采集模块电连接下位机和MCU处理器模块;所述MCU处理器模块电连接数据存储模块和上位机接口模块,所述上位机接口模块用于与上位机电连接,还包括用于进行权限认证和数据加密的SAM模块。还提供一种数据采集方法。将SAM应用于船只能耗数据通信中,通过对接入的上位机进行身份认证、固化的加密算法和密钥,实现对船用数据采集网关的信息数据进行加密以确保船只能耗数据的机密性和完整性。
  • 数据采集网关方法
  • [发明专利]资料撷取与检测的方法-CN201310007190.5在审
  • 殷欣靖 - 孕龙科技股份有限公司
  • 2013-01-09 - 2014-07-09 - H04L12/26
  • 一种资料撷取方法,用以撷取一待测物送出的数字资料,且该数字资料包含有多个封包;该资料撷取方法包含有下列步骤:先侦测该待测物是否送出一特定封包,当该待测物送出该特定封包时,同时启动一逻辑分析仪撷取后续接收或送出的数字资料。另外,本发明更提供有以上述资料撷取方法进行延伸所得的一种资料检测方法。
  • 资料撷取检测方法
  • [发明专利]数据控制电路-CN201310005802.7在审
  • 吴泽宏;涂超凯;苏嘉伟 - 联咏科技股份有限公司
  • 2013-01-08 - 2014-07-09 - H03K17/16
  • 本发明提供一种数据控制电路,包括一输出级电路、一开关电路以及一阻抗模块。输出级电路输出一数据信号。开关电路的输入端耦接至输出级电路的输出端,而开关电路的输出端耦接至一后级电路,其中,开关电路依据一控制信号的控制而决定是否将输出级电路的数据信号传送至后级电路。阻抗模块配置在输出级电路中,或配置在输出级电路与开关电路之间,或配置在开关电路中,其中阻抗模块降低从开关电路窜流至该输出级电路的噪声。
  • 数据控制电路
  • [发明专利]交流电源供应器电源电路-CN201310006757.7在审
  • 林睦钧 - 擎宏电子企业有限公司
  • 2013-01-09 - 2014-07-09 - H02M5/42
  • 一种交流电源供应器电源电路,其包含有一电源输入单元,该电源输入单元连接一交流/直流转换器,该交流/直流转换器再与一直流/直流电路连接,该直流/直流电路再连接一可调直流稳压电路,该可调直流稳压电路连接一放大器,以供放大并转换为交流电压,由此,在不中断电源供应的情形下,输出提供不同的交流电压及电流,达到跨档位调整电压时不中断其输出的目的,让电源电平得以及时变化而使其失真率极低。
  • 交流电源供应电路
  • [发明专利]一种宽电压宽负载范围的直流变换器-CN201410097984.X在审
  • 史永胜;王喜锋;胡双;宁青菊 - 陕西科技大学
  • 2014-03-17 - 2014-07-09 - H02M3/335
  • 本发明公开了一种宽电压宽负载范围的直流变换器,属于电力电子变换器技术领域,包括DSP芯片、第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管、第七MOS管、第八MOS管、第一变压器、第二电压器、驱动电路、第一采样电路、第二采样电路、第三采样电路、第一电感、第二电感、第一电容、第二电容、第三电容及第四电容,本直流变换器以全桥拓扑为基础并增加部分设计电路和控制电路,克服了以往直流变换器采用全桥拓扑时的电压范围、负载范围窄的缺点,有效的拓宽了电压范围和负载范围,特别适用于电压、负载不断变化的领域,如新能源发电领域和电动汽车领域。
  • 一种电压负载范围直流变换器
  • [发明专利]一种矿用隔爆型充水式潜水电动机-CN201410112619.1在审
  • 潘波 - 山东星源矿山设备集团有限公司
  • 2014-03-25 - 2014-07-09 - H02K5/22
  • 本发明提供一种矿用隔爆型充水式潜水电动机,属于隔爆型潜水电机领域,其包括接线盒、上导轴承、定子、转子、下导轴承和冷却器,所述接线盒位于电机主轴上,所述冷却器位于电机最下端,其中,所述电机内部的空腔内充满清洁软水,所述接线盒与电机主轴的连接处设置有压盖,所述压盖与电机主轴、接线盒之间分别设有机械密封、骨架油封。与现有技术相比,本发明的内部空腔内充满清洁软水,使电机在工作时具有良好的散热性能;在矿井发生透水事件时,压盖与电机主轴之间的机械密封可以防止电机内、外部的水发生交换,压盖与接线盒之间的骨架油封可以防止外部杂质进入电机内部,机械密封和骨架油封共同防止外界中的物质进入电机内部损伤绕线组,从而延长电机的使用寿命。
  • 一种矿用隔爆型充水式潜水电动机
  • [发明专利]一种变电站综合信息采集系统-CN201310003793.8在审
  • 王庆;吴铭梓;奚永巍;董瑞安 - 上海电力通信有限公司
  • 2013-01-06 - 2014-07-09 - H02J13/00
  • 本发明涉及一种变电站综合信息采集系统,包括现场数据采集终端、通讯管理机、通信网络、电能量管理服务器和电能质量监测服务器,所述的现场数据采集终端与通讯管理机连接,所述的通讯管理机通过通信网络分别与电能量管理服务器、电能质量监测服务器连接;所述的现场数据采集终端分别将采集的电能量和电能质量数据传输给电能量管理服务器和电能质量监测服务器,所述的电能量管理服务器对接收到的电能量数据进行本地存储,所述的电能质量监测服务器对接收到的电能质量数据进行本地存储,同时分析该电能质量数据是否存在异常,若存在异常则进行报警。与现有技术相比,本发明具有监测功能多、实现成本低等优点。
  • 一种变电站综合信息采集系统
  • [发明专利]线束加工装置-CN201310473264.4在审
  • 坂本正史;田村义和 - 住友电装株式会社
  • 2013-10-11 - 2014-07-09 - H01R43/048
  • 本发明提供一种线束加工装置,减轻因装置的温度条件的变动而需要的事前作业,并且提高加工精度或对加工是否良好的判定的精度。温度传感器(6)对与伺服电动机(2)的轴(21)和对线束进行加工的加工机构连接的齿轮机构(3)的温度或者与该温度相当的指标温度进行检测。温度调节部(7、8)根据温度传感器(6)的检测温度将齿轮机构(3)的温度调节为预先设定的温度状态。
  • 加工装置
  • [发明专利]一种压电陶瓷-聚合物复合材料的制备方法及压电陶瓷-聚合物复合材料-CN201210592390.7在审
  • 郭栋;郭怀兵;陈小随 - 中国科学院声学研究所
  • 2012-12-28 - 2014-07-09 - H01L41/37
  • 本发明公开了一种压电陶瓷-聚合物复合材料的激光加工制备方法,该方法包括:1)将陶瓷粉体、分散剂、有机单、交联剂和水充分混合,得到陶瓷浆料;其中,陶瓷粉体占浆料体积的45vol%~53vol%;2)将步骤1)得到的陶瓷浆料倒入模具中;3)在一定温度下引发凝胶反应,并在恒温下固化、干燥,得到强度大于15MPa的压电陶瓷素坯;4)将步骤3)制得的素坯采用激光进行切割,烧结,然后填充聚合物,室温固化后切掉底座,得到1-3或2-2压电陶瓷-聚合物复合材料。本发明无需传统干压法制备陶瓷片所需的大型加压设备,可无外压制备致密大面积陶瓷坯体;切割效率大大提高,操作简单,容易控制,可灵活改变切割路径从而控制结构,提高器件性能。
  • 一种压电陶瓷聚合物复合材料制备方法
  • [发明专利]VDMOS结构-CN201310003708.8在审
  • 王飞 - 上海华虹宏力半导体制造有限公司
  • 2013-01-06 - 2014-07-09 - H01L29/78
  • 本发明公开了一种VDMOS结构,包括N型衬底上的N型外延,N型外延上部的P阱,位于P阱和N型外延上方的栅氧化膜,位于栅氧化膜上方的多晶硅平面栅,其中:所述P阱上部形成有一凹槽,所述凹槽内形成有与所述栅氧化膜形成接触的金属硅化物,接触孔形成于所述金属硅化物的上面。本发明的VDMOS结构提供不具有寄生NPN三极管能提高VDMOS结构的抗雪崩击穿能力。
  • vdmos结构
  • [发明专利]超大尺寸钕铁硼材料制备方法-CN201210592652.X在审
  • 杨慧;赵保泽;王月霞 - 中磁科技股份有限公司
  • 2012-12-28 - 2014-07-09 - H01F1/057
  • 本发明公开了一种超大尺寸钕铁硼的制造方法,主要对超大规格钕铁硼取向面方向尺寸进行分解,使其按照正常规格毛坯进行生产,进而得到性能、尺寸合格的单块毛坯,再将尺寸、外观、形状配合最合理的单块配为一组,采用多粘一的方式粘接,得到所需的超大规格毛坯。这种方法性价比高,节约成本,性能合格率高,对于高性能产品尤为显著;无需对现有压机设备进行改造,就可满足规格要求,降低成本。同时模具制造简单,安装方便;按照现有生产工序即可得到所需规格毛坯,无需开设专门生产线,节约人力、物力;大大提高了劳动效率,缩短劳动周期,使得产量大大提升。
  • 超大尺寸钕铁硼材料制备方法

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top