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[发明专利]电子电路及驱动系统-CN202211053702.7在审
发明人：川井秀介 -专利权人： 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2022-08-31 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H02M1/088 文献下载
摘要：一种电子电路及驱动系统。本发明的实施方式涉及电子电路及驱动系统。提供一种能够抑制开关元件接通时流过的电流的振铃的电子电路。电子电路具备驱动电路，该驱动电路向第一开关元件的控制端子供给驱动电流，并与连接于第一开关元件的第一端子或第二端子的第二开关元件中流过的电流变为0的第一时刻相应地使驱动电流增加。
电子电路驱动系统

[发明专利]半导体装置-CN202211446144.0在审
发明人：南川和生;吉川大辉;安原纪夫;中村和敏 -专利权人： 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2022-11-18 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L29/41 文献下载
摘要：实施方式提供半导体装置，能够降低接通时的损耗。实施方式的半导体装置具备第一电极、半导体部、第二电极、构造体和绝缘部。半导体部包含设于第一电极之上的p型的第一半导体区域、设于第一半导体区域之上的n型的第二半导体区域、设于第二半导体区域之上的p型的第三半导体区域和设于第三半导体区域之上的n型的第四半导体区域及p型的第五半导体区域。构造体包含栅极部和虚设部，栅极部包含至少一个栅极电极，虚设部包含至少两个虚设电极。栅极部和虚设部交替地配置。对于第二电极，施加第一电位。对于栅极电极，施加比第一电位高的第二电位。对于设于与栅极部相邻的位置的虚设电极，施加比第一电位高的第三电位。
半导体装置

[发明专利]电解槽用电极催化剂层、电解槽用电极及二氧化碳电解装置-CN202211031346.9在审
发明人：米津麻纪;小藤勇介;北川良太;御子柴智;工藤由纪;元茂朝日;小野昭彦;吉田孝史 -专利权人： 株式会社东芝
申请日： 2022-08-26 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： C25B1/23 文献下载
摘要：实施方式提供电解槽用电极催化剂层、电解槽用电极和二氧化碳电解装置，电解槽用电极催化剂层具备碳材料、担载在碳材料上的金属催化剂、和疏水性有机物。在实施方式的电解槽用电极催化剂层中，疏水性有机物具备含硫的有机物。含硫的有机物在与金属催化剂之间形成有金属‑硫键。催化剂层中的金属催化剂中的硫元素(S)相对于金属元素(M)的质量比(S/M)为0.03以上且0.1以下。
电解槽用电催化剂二氧化碳电解装置

[发明专利]压接判定装置、方法、程序、线束加工装置以及方法-CN202310125709.3在审
发明人：田中章;渡边将史;佐藤惠美;杨桔红 -专利权人： 株式会社东芝
申请日： 2023-02-16 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： G01N21/91 文献下载
摘要：本发明的课题在于提供能够减少压接不良的线束流入市场的压接判定装置、压接判定方法、压接判定程序、线束加工装置以及线束加工方法。实施方式的压接判定装置是对压接端子被压接于电线的线束的压接状态的优劣进行判定的装置。压接判定装置具备滴下部、图像取得部和控制部。滴下部对线束滴下检查液。线束具有通过压接端子压接电线而成的压接部、电线在比压接部靠基端侧露出的第一电线部、以及电线在比压接部靠基端侧露出的第二电线部。滴下部对第一电线部以及第二电线部中的任一方滴下检查液。图像取得部取得包含第一电线部以及第二电线部中的另一方的图像。控制部基于图像，判定压接部的压接状态的优劣。
判定装置方法程序加工以及

[发明专利]激光焊接方法-CN202310134258.X在审
发明人：增田梨沙;外川隆一;小原隆 -专利权人： 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2023-02-20 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： B23K26/21 文献下载
摘要：本发明提供一种能够抑制接合不良的激光焊接方法。实施方式的激光焊接方法是通过照射激光而将第二部件焊接于第一部件的方法。实施方式的激光焊接方法具备准备工序以及焊接工序。在上述准备工序中，准备上述第二部件被定位焊于上述第一部件且具有多个连接部的定位焊部件。在上述焊接工序中，通过对上述定位焊部件照射激光而相对于上述第一部件焊接上述第二部件。在上述焊接工序中，进行第一工序，然后进行第二工序。在上述第一工序中，从位于上述多个连接部中的一个连接部即第一连接部与和上述第一连接部相邻的第二连接部之间的规定位置、到上述第二连接部照射激光。在上述第二工序中，从上述第一连接部到上述规定位置照射激光。
激光焊接方法

[发明专利]生产管理装置、生产管理系统、生产管理方法以及存储介质-CN202310134574.7在审
发明人：大岛宏友;白川悠太;吉井崇哲;福田雅允;蚊户健浩;西村圭介;浪冈保男 -专利权人： 株式会社东芝
申请日： 2023-02-17 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： G05B19/418 文献下载
摘要：本发明提供能够制作与实际生产的偏离更小的计划的生产管理装置、生产管理系统、生产管理方法以及存储介质。实施方式的生产管理装置，取得基于表示规定期间中的生产的计划的第一长期计划而制作且表示比规定期间短的第一期间中的生产的计划的第一短期计划，取得表示沿着第一短期计划的一部分执行的作业中的实绩的第一实绩数据，使用第一实绩数据，取得表示沿着第一短期计划的其他一部分执行的作业中的实绩的预测的第一预测数据。生产管理装置基于第一预测数据来修正第一短期计划，使用对第一期间中的作业中的实绩进行表示的第二实绩数据，取得对规定期间中的生产的实绩的预测进行表示的第二预测数据，使用第二预测数据，制作规定期间中的第二长期计划。
生产管理装置系统方法以及存储介质

[发明专利]制作系统、制作方法以及存储介质-CN202310179831.9在审
发明人：周欣依;高木雅哉;杉山尚美;宍道纱耶加;冈一广 -专利权人： 株式会社东芝
申请日： 2023-02-17 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： G06Q10/0631 文献下载
摘要：提供制作系统、制作方法以及存储介质，能够更高精度地制作生产计划。实施方式涉及制作系统，其制作用于使用多个生产线通过多个工序生产多个品种的产品的生产计划。制作系统具备优化计算部、投入计划制作部和验证部。优化计算部使用包含每个品种的生产计划数以及各设备的处理能力的第一输入数据，通过优化计算，制作表示每个品种、每个生产线且每个工序的生产计划数的处理计划。投入计划制作部使用包含每个品种向生产线的工件的投入数和每个品种在多个工序中的处理路径的第二输入数据，制作表示工件向多个生产线的投入定时的投入计划。验证部通过基于处理计划以及投入计划的模拟，判断处理计划以及投入计划的妥当性。
制作系统制作方法以及存储介质

[发明专利]组合物、脂质颗粒制造试剂盒、物质递送方法和检测方法-CN202080020660.X有效
发明人：石原美津子;赤星英一;中泽洋三;斋藤章治 -专利权人：国立大学法人信州大学;株式会社东芝
申请日： 2020-09-07 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： A61K9/127 文献下载
摘要：根据一个实施方案，组合物用于将目标物质递送至T细胞恶性肿瘤细胞。所述组合物包含物质递送载体。所述物质递送载体具有脂质颗粒和包封在脂质颗粒中的目标物质。所述脂质颗粒包含至少由式(I)所示的第一脂质和由式(II)所示的第二脂质作为其成分。
组合颗粒制造试剂盒物质递送方法检测

[发明专利]半导体装置-CN202210846354.2在审
发明人：田中克久;河野洋志 -专利权人： 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2022-07-04 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：根据一实施方式，半导体装置具备第一电极、第一半导体区域、栅极电极、第二导电型的第二半导体区域、第二导电型的第三半导体区域、第一导电型的第四半导体区域、第一导电型的第五半导体区域以及第二电极。第一半导体区域包含第一导电型的第一区域。栅极电极设于第一半导体区域之上。第二半导体区域在与从第一电极朝向第一半导体区域的第一方向垂直的第二方向上，与栅极电极相对。第三半导体区域在第一方向上设于第一半导体区域与第二半导体区域之间。第三半导体区域的下部的宽度比第三半导体区域的上部的宽度长。第四半导体区域设于第三半导体区域与栅极电极之间，具有比第一区域高的第一导电型的杂质浓度。第五半导体区域设于第二半导体区域之上。
半导体装置

[发明专利]外观检查系统及外观检查方法-CN202210888830.7在审
发明人：元永郁夫 -专利权人： 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2022-07-27 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： G01N21/95 文献下载
摘要：本实施方式提供一种外观检查系统及外观检查方法，能够对封带包装中的热压接的缺陷进行判定。实施方式的外观检查系统具备红外拍摄装置和判定部。对于能够向内部插入电子器件、且在规定区域中被热压接了重叠的第一带的第二带，红外拍摄装置通过红外光含盖规定区域的至少一部分地进行拍摄。判定部使用由红外拍摄装置含盖规定区域的至少一部分地进行拍摄而得的红外图像，对规定区域的热压接的状态进行判定。
外观检查系统方法

[发明专利]半导体装置-CN202210943334.7在审
发明人：花形祥子 -专利权人： 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2022-08-08 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：实施方式提供一种能够抑制恢复时的电压振动的半导体装置。有关实施方式的半导体装置包括第1～第2电极和第1～第5半导体区域。第1半导体区域设置在第1电极之上，与第1电极电连接，是第1导电型。第2半导体区域设置在第1半导体区域之上，是第1导电型。第3半导体区域设置在第2半导体区域的一部分之上，是第1导电型。第4半导体区域设置在第2半导体区域之上及第3半导体区域之上，是第2导电型。第5半导体区域设置在第4半导体区域的一部分之上，是第2导电型。第5半导体区域的至少一部分位于第3半导体区域的至少一部分的上方。第2电极设置在第5半导体区域之上，与第5半导体区域电连接。
半导体装置

[发明专利]发送接收电路、方法-CN202211062149.3在审
发明人：石原宽明 -专利权人： 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2022-08-31 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H03K19/018 文献下载
摘要：本发明的目的在于抑制消耗电力的增加。本实施方式的发送接收电路具备：发送部，根据输入信号，输出包括N个脉冲波形的第一波形，N为2以上的自然数；传输部，使所述第一波形成为包括至少N+1个脉冲波形的第二波形并通过电磁场耦合进行传输；以及接收部，接收所述第二波形，基于至少N+1个所述脉冲波形来判定输入信号。
发送接收电路方法

[发明专利]半导体装置-CN202210936331.0在审
发明人：竹田骏 -专利权人： 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2022-08-05 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L23/043 文献下载
摘要：实施方式提供半导体装置，减少信号端子的配线的电感，同时使半导体装置的组装简易。实施方式的半导体装置(1)包含壳体(10)和器件(20)。壳体(10)具备半导体电路。器件(20)构成为能够安装于壳体(10)。器件(20)具备信号端子(TGU)和与信号端子(TGU)电连接的配线(22)。配线(22)具有：接触部(CP)，其在器件(20)被安装于壳体(10)的情况下与包含于半导体电路的电极(14)相接；引线部(LP)，其具有设于接触部(CP)的上方的第一部分；以及弹簧部(SP)，其设于引线部(LP)的第一部分与接触部(CP)之间，且具有弹性。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN202210841233.9在审
发明人：谷平圭;堀阳一;河野洋志 -专利权人： 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2022-07-18 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L27/07 文献下载
摘要：实施方式的半导体装置具备：第一电极；第一导电型的第一半导体层，连接于所述第一电极；第二半导体层，设于所述第一半导体层上的第一区域，所述第二半导体层是第一导电型，且杂质浓度比所述第一半导体层的杂质浓度高；第二导电型的第三半导体层，设于所述第二半导体层上；第四半导体层，设于所述第一半导体层上的第二区域，所述第四半导体层是第一导电型，且杂质浓度比所述第一半导体层的杂质浓度高、比所述第二半导体层的杂质浓度低，并隔着所述第一半导体层的一部分与所述第二半导体层分离；第二导电型的第五半导体层，设于所述第四半导体层上的一部分；以及第二电极，连接于所述第三半导体层、所述第四半导体层以及所述第五半导体层。
半导体装置

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202210804971.6在审
发明人：朝羽俊介;铃木拓马 -专利权人： 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2022-07-08 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：实施方式涉及一种半导体装置及其制造方法。实施方式的半导体装置具备半导体部，该半导体部包含：第一导电型的第一半导体层以及设于第一半导体层中的第二导电型的第二半导体层。半导体部包含：第一半导体层与第二半导体部之间的第一界面以及与第一界面交叉的第一半导体层与第二半导体部之间的第二界面。第二半导体层包含层叠于与第一界面正交的方向上的多个部分，第二界面包含第二半导体层的多个部分与第一半导体层之间的界面。第二界面在相对于第一方向倾斜的第二方向上延伸，该第一方向与第一界面正交。
半导体装置及其制造方法