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- [发明专利]二次电池-CN202211122491.8在审
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山本晋聪
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株式会社东芝
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2022-09-15
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2023-10-03
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H01M50/503
- 一种二次电池。实施方式的课题在于提供容易组装的二次电池。根据本实施方式，二次电池具备：外装容器，其具有盖体；电极体；输出端子，其设于所述盖体且具有外螺纹部；以及引线，其在所述容器的内部设于所述电极体与所述盖体之间；所述引线具有与盖体对置的板状的接合部和贯通所述接合部而设置的内螺纹部，所述输出端子的所述外螺纹部通过所述盖体而拧入所述内螺纹部，与所述接合部电连接。
- 二次电池
- [发明专利]二次电池-CN202211060181.8在审
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山本晋聪
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株式会社东芝
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2022-08-31
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2023-10-03
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H01M50/528
- 实施方式的课题在于提供一种能够实现输出端子与引线的连接的精度提高及可靠性提高的二次电池。根据实施方式，二次电池具备：外包装容器(12)，具有盖体(14)；电极体(30)，具有集电极耳(32a)，被收纳于外包装容器；输出端子(20)，设置于盖体；以及引线(40A)，在外包装容器内设置于电极体与盖体之间，将集电极耳与输出端子电连接。输出端子具有在盖体的外部露出并能够将连接部件连接的连接部(20c)；在盖体的外部露出的露出部(20E)；以及形成于露出部的通孔(23)，露出部与引线接合。
- 二次电池
- [发明专利]半导体装置-CN202210804976.9在审
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河野洋志;田中克久
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株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
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2022-07-08
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2023-10-03
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H01L29/78
- 半导体装置具备：在碳化硅层的第1面侧沿第1方向延伸的沟槽；沟槽内的栅极电极；在碳化硅层中沿第1方向依次配置的第1导电型第1碳化硅区域、第2导电型第2碳化硅区域、第1导电型第3碳化硅区域、第4碳化硅区域；在第1至第4碳化硅区域与第1面之间设置且在第一方向上依次配置且杂质浓度比第1至第4碳化硅区域高的第1导电型第5碳化硅区域、第2导电型第6碳化硅区域、第1导电型第7碳化硅区域、第2导电型第8碳化硅区域；设在第5至第8碳化硅区域与第1面之间的第1导电型第9碳化硅区域；第9碳化硅区域与第1面之间的第2导电型第10碳化硅区域和第1导电型第11碳化硅区域；第1面侧的第1电极；与第1面对置的第2面侧的第2电极。
- 半导体装置
- [发明专利]半导体装置-CN202210768808.9在审
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藤农佑树
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株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
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2022-06-30
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2023-10-03
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H01L29/78
- 一实施方式的半导体装置有第一电极、第一导电型的第一半导体区域、导电部、第二导电型的第二半导体区域、第一导电型的第三半导体区域、栅极电极和第二电极。第一半导体区域设于第一电极上，与第一电极电连接。导电部在第二、及第三方向上设有多个，分别经由绝缘部设于第一半导体区域。第二方向与从第一电极朝向第一半导体区域的第一方向垂直。第三方向与第一方向垂直，与第二方向交叉。第二半导体区域设于第一半导体区域的一部分上。第三半导体区域设于第二半导体区域的一部分上。栅极电极经由栅极绝缘层设于第二半导体区域上。第二电极设于第二半导体区域、第三半导体区域及栅极电极上，与第二半导体区域、第三半导体区域及多个导电部电连接。
- 半导体装置
- [发明专利]磁盘装置-CN202210652775.1在审
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丸山彰介
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株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
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2022-06-08
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2023-10-03
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G11B19/04
- 提供能够抑制以磁道为单位的重写所需要的时间的磁盘装置。在磁盘的第1磁道上从第1位置起按多个第1扇区、第2扇区的顺序配置了该多个第1扇区和该第2扇区，该多个第1扇区各自保存数据段，该第2扇区保存用于第1纠错的奇偶校验。控制器执行第1动作，该第1动作是从多个第1扇区分别依次读取第1数据段、并将所读取到的第1数据段的组保存于缓冲存储器的动作。控制器从所读取到的第1数据段的组取得第1奇偶校验。控制器在磁头到的第1位置之前开始第2动作，该第2动作是将保存在了缓冲存储器的第1数据段的组中的各第1数据段写入到多个第1扇区中的读取源的第1扇区、并将第1奇偶校验写入到第2扇区的动作。
- 磁盘装置
- [发明专利]磁盘装置-CN202210656845.0在审
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吉田晋
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株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
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2022-06-08
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2023-10-03
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G11B5/55
- 提供能够抑制在噪声的测定中产生由致动器的旋转的反作用力导致的影响的磁盘装置。一个实施方式涉及的磁盘装置具备磁盘、磁头、致动器、第1止动件、加速度传感器以及控制器。所述致动器通过绕旋转轴旋转来使所述磁头相对于所述磁盘进行移动。所述第1止动件通过与所述致动器抵接来限制所述致动器在绕所述旋转轴的第1方向上旋转。所述加速度传感器输出与所施加的加速度相应的电信号。所述控制器在所述致动器与所述第1止动件抵接时，向所述致动器施加在所述第1方向上对该致动器进行驱动的第1驱动信号，测定所述加速度传感器所输出的第1电信号。
- 磁盘装置
- [发明专利]半导体装置-CN202210735355.X在审
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田中克久;河野洋志
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株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
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2022-06-27
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2023-10-03
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H01L29/78
- 实施方式提供可提高耐压的半导体装置。实施方式的半导体装置具备第一电极、第一导电型的第一半导体区域、第二导电型的第二半导体区域、第一导电型的第三半导体区域、栅极电极、第二导电型的第四半导体区域、第二导电型的多个第五半导体区域、第二导电型的多个第六半导体区域及第二电极。第一半导体区域包含第一区域以及第二区域。第四半导体区域设于第一区域与栅极电极之间。多个第五半导体区域沿着第一面位于第四半导体区域的周围，在从第一区域朝向第二区域的第二方向上相互分离。多个第六半导体区域沿着第一面位于第二半导体区域的周围，在第二方向上相互分离。多个第六半导体区域各自具有比多个第五半导体区域各自低的第二导电型的杂质浓度。
- 半导体装置
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