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- [发明专利]对话系统-CN201811008382.7有效
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吉田尚水;岩田宪治;藤村浩司
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株式会社东芝
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2018-08-31
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2023-10-10
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G06F16/332
- 本发明提供能够更恰当地处理对话状态的履历的对话系统。实施方式的对话系统包括取得部和处理部。上述取得部取得第一文章。上述处理部参照基于与第一对话状态的第一槽位有关的第一特征量和与上述第一文章有关的第一权重的第一加权量。上述处理部参照基于与包含在上述第一文章中的第一意图的上述第一槽位有关的第一意图量和与上述第一权重不同的与上述第一文章有关的第二权重的第二加权量。上述处理部使用上述第一加权量和上述第二加权量,输出与上述第一对话状态之后的第二对话状态的上述第一槽位有关的第二特征量。
- 对话系统
- [发明专利]印制电路基板及盘装置-CN202210721389.3在审
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阿久津和义
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株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
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2022-06-17
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2023-10-03
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H05K1/18
- 提供能够稳定地安装尺寸不同的电子部件的印制电路基板及具备其的盘装置。根据实施方式,印制电路基板具备基板和设置于基板上且具有多个共用焊盘(PD)的共用焊盘群(PA)。共用焊盘具有:第1区域;第2区域,尺寸比第1区域小,一部分位于与第1区域重叠的位置,另一部分位于从第1区域向其它的共有焊盘侧突出的位置;第2焊盘侧缘(SX2),在第1方向上延伸,规定第1区域及第2区域;及第4焊盘侧缘(SY4),在与第1方向交叉的第2方向上延伸,规定第1区域及第2区域。第1焊盘侧缘包括规定第1区域的第1侧缘(SX2a)、位于比第1侧缘靠相邻的其它的共用焊盘侧的位置且规定第2区域的第2侧缘(SX2b)及将第1侧缘和第2侧缘相连的倾斜的倾斜侧缘(SX2c)。
- 印制路基装置
- [发明专利]半导体装置-CN202210817553.0在审
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河野洋志
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株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
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2022-07-12
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2023-10-03
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H01L29/78
- 实施方式的半导体装置具备:第1电极;第1导电型的第1半导体层,与所述第1电极连接,含有碳化硅;第2导电型的第2半导体层,设置在所述第1半导体层上;第1导电型的第3半导体层,设置在所述第2半导体层上的一部分;第2电极,与所述第2半导体层及所述第3半导体层连接;第3电极,设置在所述第1半导体层的上部内、所述第2半导体层的内部及所述第3半导体层的内部;绝缘膜,设置在所述第1半导体层、所述第2半导体层以及所述第3半导体层与所述第3电极之间;及第4半导体层,设置在所述绝缘膜与所述第1半导体层以及所述第2半导体层之间,相接于所述绝缘膜,杂质浓度比所述第1半导体层的杂质浓度及所述第2半导体层的杂质浓度低。
- 半导体装置
- [发明专利]半导体装置-CN202210942194.1在审
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松下宪一
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株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
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2022-08-08
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2023-10-03
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H01L29/06
- 实施方式提供能够抑制末端区域中的电流的半导体装置。实施方式所涉及的半导体装置包含第1~2电极、第1~4半导体区域、导电部。第1半导体区域设置于第1电极之上。第2半导体区域设置于第1半导体区域之上。第3半导体区域设置于第2半导体区域之上。第2电极设置于第2~3半导体区域之上。导电部包含第1~2导电区域。第1导电区域隔着绝缘膜而与第1半导体区域、第2~3半导体区域对置。第2导电区域配置于第2电极的周围。第4半导体区域设置于第2半导体区域的周围,与第2半导体区域电连接。第4半导体区域具有横向上的端部,该端部与第1半导体区域相接。端部的至少一部分在沿着第1方向的方向上位于比第2导电区域靠第1电极侧。
- 半导体装置
- [发明专利]二次电池-CN202211122500.3在审
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山本晋聪
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株式会社东芝
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2022-09-15
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2023-10-03
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H01M50/503
- 一种二次电池。实施方式的课题是提供容易组装的二次电池。根据本实施方式,二次电池具备:外装容器,其具有长侧壁和盖体;电极体,其具有电极群和从所述电极群延伸出的集电片,被收纳于所述外装容器;输出端子;引线,其具有与所述盖体对置且与所述输出端子连接的接合部、从所述接合部沿一方的所述长侧壁的内表面延伸出的第一延伸突出部和从所述接合部沿另一方的所述长侧壁的内表面延伸出的第二延伸突出部;第一绝缘体,其具有与所述第一延伸突出部的外表面卡合的内表面;以及第二绝缘体,其具有与所述第二延伸突出部的外表面卡合的内表面。
- 二次电池
- [发明专利]半导体装置-CN202210847091.7在审
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杉山亨
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株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
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2022-07-07
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2023-10-03
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H01L25/18
- 实施方式提供提高了安全性的半导体装置。实施方式的半导体装置具备基板、耗尽型的第1晶体管、增强型的第2晶体管、栅极控制电路、栅极端子以及电源端子。所述第1晶体管设置在所述基板上,具有包含第1导电型的氮化物半导体的沟道区域。所述第2晶体管在所述基板上与所述第1晶体管串联连接,经由第2导电型的反型层进行工作,该第2导电型是与所述第1导电型相反的极性。所述栅极控制电路在所述基板上与所述第2晶体管的栅电极连接。所述栅极端子与所述第1晶体管的栅电极电连接。所述电源端子电连接在所述第1晶体管与所述第2晶体管之间,构成为向所述栅极控制电路提供电源电压。
- 半导体装置
- [发明专利]隔离器-CN202210904248.5在审
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今泉祐介;刘佳;田村佳哉
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株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
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2022-07-29
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2023-10-03
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H05K1/14
- 实施方式的隔离器具备第一布线板(31)和第二布线板(32)。第一布线板(31)具备:绝缘层(53),具有第一主面、第一主面的相反侧的第二主面;第一线圈(311),设置于第一主面;以及焊盘(312a),设置于第一主面,与第一线圈(311)电连接。第二布线板(32)具备:绝缘层(63),具有第三主面、第三主面的相反侧的第四主面;第二线圈(321),设置于第三主面;以及焊盘(322a),设置于第四主面,与第二线圈(321)电连接。第一线圈(311)和第二线圈(321)以对置的方式配置,第二布线板(32)的外形尺寸比第一布线板(31)的外形尺寸小。
- 隔离器
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