专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]音频处理方法和装置-CN202310163454.X在审
  • T-C·佐里拉;R·S·多迪帕特拉 - 株式会社东芝
  • 2023-02-16 - 2023-10-20 - G10L21/02
  • 本文中说明的实施例涉及音频处理方法和装置。一种用于处理音频信号以增强音频信号的目标分量的方法,所述方法包括:接收包含第一环境中的目标分量的第一音频信号;处理所述第一音频信号以提取第二音频信号,第二音频信号包含第二环境中的所述目标分量,第二环境的噪声小于第一环境;以及将第一音频信号与第二音频信号混合以产生第三音频信号,第三音频信号包含提取的目标分量。
  • 音频处理方法装置
  • [发明专利]复合体制造方法、复合体制造装置及复合体-CN202310416050.7在审
  • 中本裕太 - 株式会社东芝
  • 2023-04-18 - 2023-10-20 - B23K26/352
  • 提供即使在所照射的激光的强度在接合面不均匀的情况下,也能抑制接合的不良情况的复合体制造方法。复合体制造方法包括表面处理工序及接合工序。在表面处理工序中,对第一部件的第一面进行用于使激光的吸收率变化的表面处理加工。在接合工序中,在使第二部件的第二面与进行了表面处理加工的第一面接触的状态下,从第二部件的与第二面相反一侧的面朝向第一面以不扫描的方式照射激光,将第一面与第二面接合。第一面具有:第一部分,接合工序中被照射的激光的强度为第一强度;第二部分,接合工序中被照射的激光的强度为比第一强度小的第二强度。在表面处理工序中,以第二部分中的激光的吸收率大于第一部分中的激光的吸收率的方式进行表面处理加工。
  • 复合体制造方法装置
  • [发明专利]涂敷装置以及涂敷方法-CN202080058863.8有效
  • 内藤胜之;信田直美;奈良康平;小久保高弘;平泽博明;齐田穰 - 株式会社东芝;东芝能源系统株式会社
  • 2020-08-04 - 2023-10-20 - B05C5/02
  • 根据实施方式,涂敷装置包括第1管、第1泵、第1、第2喷嘴以及保持部。第1管包括第1流入口、第1流出口以及第2流出口。第1泵可朝向第1流入口供给液体。第1喷嘴包括第1喷嘴流入口以及第1喷嘴排出口。第1喷嘴流入口与第1流出口连接。第1喷嘴排出口可将通过了第1管的液体排出。第2喷嘴包括第2喷嘴流入口以及第2喷嘴排出口。第2喷嘴流入口与第2流出口连接。第2喷嘴排出口可将通过了第1管的液体排出。保持部保持第1、第2喷嘴。保持部可形成第1、第2状态。在第1状态下,第1喷嘴排出口的高度以及第2喷嘴排出口的高度在第1管的高度以上。在第2状态下,第1喷嘴排出口的高度以及第2喷嘴排出口的高度也比第1管的高度低。
  • 装置以及方法
  • [发明专利]半导体装置-CN201910120874.3有效
  • 下村纱矢 - 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
  • 2019-02-18 - 2023-10-13 - H01L29/423
  • 半导体装置具有第1电极、第1导电型的第1半导体区域、第2导电型的第2半导体区域、第1导电型的第3半导体区域、导电部、栅极电极以及第2电极。导电部隔着第1绝缘部设置在第1半导体区域中。栅极电极在从第1电极朝向第1半导体区域的第1方向上与导电部相分离。栅极电极具有第1部分以及第2部分。第1部分隔着第2绝缘部设置在导电部之上。第1部分的下表面比第2半导体区域与第3半导体区域的界面的下端靠上方。第2部分在与第1方向垂直的第2方向上隔着栅极绝缘膜而与第1半导体区域、第2半导体区域以及第3半导体区域对置。第2部分的第2方向上的位置处于第1部分的第2方向上的位置与第2半导体区域的第2方向上的位置之间。
  • 半导体装置
  • [发明专利]半导体装置-CN201910180105.2有效
  • 西胁达也 - 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
  • 2019-03-11 - 2023-10-13 - H01L29/78
  • 实施方式提供一种能够提高耐压的半导体装置,其具备:第一导电型的第一半导体层;第一导电型的第二半导体层;第二导电型的第一半导体区域;第一导电型的第二半导体区域;第一电极,与第二半导体区域电连接;第二电极,隔着第一绝缘膜配置在第一沟槽内;多个柱状的第一场板电极,与第一电极电连接,夹着第二电极,隔着第二绝缘膜而配置在孔内;多个第三电极,从第一绝缘膜的端部延伸,隔着第三绝缘膜配置在第二沟槽内,从第二电极的端部以条状延伸;多个第二场板电极,与第一场板电极分离,隔着第四绝缘膜配置在第三沟槽内,经由第一电极与第一场板电极电连接,夹着或包围第三电极,并以条状延伸;以及第四电极,与第二电极和第三电极电连接。
  • 半导体装置
  • [发明专利]半导体集成电路以及电源系统-CN201910700321.5有效
  • 小井手尚隆 - 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
  • 2019-07-31 - 2023-10-13 - H03K17/082
  • 本实施方式涉及半导体集成电路以及电源系统。根据实施方式,提供具有第一开关晶体管、第一参考晶体管、差动放大电路以及电流源的半导体集成电路。第一开关晶体管电连接在电源侧的第一节点与输出侧的第二节点之间。第一参考晶体管电连接在第一节点与第三节点之间。差动放大电路的第一输入端子电连接于第二节点,第二输入端子电连接于第三节点,输出端子电连接于第一开关晶体管的栅极与第一参考晶体管的栅极。电流源电连接在所述第三节点与基准电位之间。第一参考晶体管的尺寸比第一开关晶体管的尺寸小。
  • 半导体集成电路以及电源系统
  • [发明专利]半导体装置-CN201910782341.1有效
  • 中岛茂 - 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
  • 2019-08-23 - 2023-10-13 - H03K7/08
  • 实施方式提供一种能够抑制电路规模变大、并且也能够应对共通原因故障的功能安全的半导体装置。实施方式的半导体装置具有:主体电路,对输入信号进行规定的运算,并将输出信号输出;逆运算电路,将主体电路的输出信号作为输入,使用输出信号进行规定的运算的逆运算,并输出逆运算结果信号;以及比较电路,对输入信号与逆运算结果信号进行比较,在输入信号与逆运算结果信号不一致时,输出规定的信号。
  • 半导体装置
  • [发明专利]对话处理装置及对话处理系统-CN201880058572.1有效
  • 杉浦千加志;佐佐木淳哉;后藤哲也;长健太;田中浩之;铃木优 - 株式会社东芝;东芝数字解决方案株式会社
  • 2018-09-25 - 2023-10-13 - G06F16/332
  • 实施方式的对话处理装置(10)具有一个或者多个分项目处理部(12)和对话控制部(11)。对话控制部(11)向各分项目处理部(12)发送输入信息。各分项目处理部(12)从输入信息中抽取自身应获得的信息的候选,并与表示该候选的可靠性的程度的信息一起发送给对话控制部(11)。对话控制部(11)将可靠性的程度满足第一基准的候选确定为对应的项目的信息,如果具有信息未确定的项目,则向用户输出询问该项目的信息的应答。多个的分项目处理部(12A、12B、12C、12D)中的每一个是通过对具有基本规则的通用处理部(20A、20B、20C、20D)提供项目名称(22A、22B、22C、22D)和动作参数(23A、23B、23C、23D)而被构建的,该基本规则用于根据与应获得的信息的类型对应的对话知识(21A、21B、21C、21D)进行候选的抽取并计算可靠性的程度。
  • 对话处理装置系统
  • [发明专利]半导体装置-CN201910122911.4有效
  • 板仓健治 - 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
  • 2019-02-18 - 2023-10-13 - H01L25/07
  • 一种半导体装置,具备第一至第四导电部、第一半导体芯片、以及第二半导体芯片。第一半导体芯片具有与第一导电部电连接的第一电极和设置在第一电极的相反侧的第二电极。第二导电部与第二电极电连接。上述第三导电部与上述第一导电部电连接。第三导电部的电位被设定为与第一导电部的电位相同。第二半导体芯片具有与第三导电部电连接的第三电极和设置在第三电极的相反侧的第四电极。第四导电部与第四电极以及第二导电部电连接。第四导电部的电位被设定为与第二导电部的电位相同。
  • 半导体装置

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