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[发明专利]半导体装置-CN202010057721.1有效
发明人：西胁达也 -专利权人： 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2020-01-19 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：实施方式提供能够减小导通电阻的半导体装置。半导体装置具有第1电极、第1导电型的第1半导体区域、第2导电型的第2半导体区域、第1导电型的第3半导体区域、第1绝缘部、第2电极、栅极电极、第2绝缘部以及第3电极。第2电极设置在第1绝缘部中，具有在第2方向上与第1半导体区域对置的部分。栅极电极设置在第1绝缘部中，在第2方向上隔着栅极绝缘层而与第2半导体区域对置，与第2电极电分离。第2绝缘部与第1绝缘部相连。第2绝缘部的第1方向上的长度比第1半导体区域与第2电极之间的第1绝缘部的厚度长。第2绝缘部的第2方向上的长度比第1绝缘部的厚度的2倍短。第3电极与第2半导体区域、第3半导体区域以及第2电极电连接。
半导体装置

[发明专利]旋转电机的定子以及旋转电机-CN202080006574.3有效
发明人：内田秀范 -专利权人： 株式会社东芝;东芝基础设施系统株式会社
申请日： 2020-03-17 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H02K3/38 文献下载
摘要：根据实施方式的定子(110)，第七线圈段(27)的桥接部(27R)从定子铁芯(10)的轴向向径向外侧以规定的倾斜角度倾斜并且离开一端面(10a)地延伸。关于在定子铁芯(10)的周向上相邻的第七线圈段(27)的桥接部(27R)，在从定子铁芯(10)的周向观察由定子铁芯(10)的径向与轴向(Z)构成的同一剖面的情况下，相对位于定子铁芯(10)的径向内侧的桥接部(27R)的第一倾斜角度(θ1)比相对位于径向外侧的桥接部(27R)的第二倾斜角度(θ2)小。
旋转电机定子以及

[发明专利]半导体装置-CN202110183284.2有效
发明人：小林研也 -专利权人： 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2021-02-08 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：实施方式提供一种能够降低接通电阻的半导体装置。有关实施方式的半导体装置具备第1电极、第1导电型的第1半导体区域、第2导电型的第2半导体区域、第1导电型的第3半导体区域、绝缘部、导电部、栅极电极和第2电极。上述第1半导体区域设置在上述第1电极之上，与上述第1电极电连接。上述第2半导体区域设置在上述第1半导体区域之上。上述第3半导体区域设置在上述第2半导体区域之上。上述绝缘部设置在上述第1电极之上，与上述第1电极直接接触。上述导电部设置在上述绝缘部中，在与从上述第1电极朝向上述第1半导体区域的第1方向相交的第2方向上与上述第1半导体区域并列。上述栅极电极设置在上述绝缘部中，位于上述导电部之上，在上述第2方向上与上述第2半导体区域并列。上述第2电极设置在上述第3半导体区域及上述绝缘部之上，与上述第3半导体区域电连接。
半导体装置

[发明专利]成套设备监视装置以及分散控制系统-CN201880058297.3有效
发明人：立野元气 -专利权人： 株式会社东芝;东芝基础设施系统株式会社
申请日： 2018-04-03 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： G05B23/02 文献下载
摘要：本发明的实施方式涉及成套设备监视装置及分散控制系统。提供多个操作人员能够容易地协调作业的成套设备监视装置及分散控制系统。实施方式的成套设备监视装置具备存储部和登记部。存储部具有警报数据库，该警报数据库将确定警报的识别信息即警报信息、通过本装置输入的表示操作员针对警报信息判断出的内容的第一判断信息、及通过其他成套设备监视装置被输入的表示其他操作员针对警报信息判断出的内容的第二判断信息建立对应。登记部在被输入了针对警报信息的第一判断信息的情况下将第一判断信息与警报信息建立对应而登记于警报数据库，在接收到针对警报信息的第二判断信息的情况下将第二判断信息与警报信息建立对应而登记于警报数据库。
成套设备监视装置以及分散控制系统

[发明专利]粒子线加速装置、粒子线加速装置的运转方法及粒子线治疗装置-CN202180071708.4在审
发明人：高山茂贵;松田晋弥;佐古贵行;折笠朝文 -专利权人： 株式会社东芝;东芝能源系统株式会社
申请日： 2021-10-18 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： A61N5/10 文献下载
摘要：根据实施方式，粒子线加速装置(12)具备：入射部(25)，使粒子线(1)入射；引导部(21)，将粒子线(1)向轨道(3)引导；加速部(24)，将在轨道(3)上回旋的粒子线(1)加速；射出部(26)，射出粒子线(1)；粒子线截断部(27)，将粒子线(1)在轨道(3)上截断；以及控制部(30)，对入射部(25)、引导部(21)、加速部(24)、射出部(26)及粒子线截断部(27)进行控制；引导部(21)具有超导电磁铁(32)和将超导电磁铁(32)截断的超导电磁铁截断部(28)；控制部(30)在超导电磁铁(32)发生了异常的情况下，至少根据射出部(26)的运转状态变更粒子线截断部(27)和超导电磁铁截断部(28)的起动顺序。
粒子加速装置运转方法治疗

[发明专利]半导体装置-CN202210768821.4在审
发明人：下村纱矢;加藤浩朗;河井康宏;吉田裕史 -专利权人： 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：根据一实施方式，半导体装置具备第一电极、第一导电型的第一半导体区域、第二导电型的第二半导体区域、第一导电型的第三半导体区域、导电体、栅极电极和第二电极。第一半导体区域设于第一电极之上。第二半导体区域设于第一半导体区域之上。第三半导体区域设于第二半导体区域的一部分之上。导电体经由绝缘部设于第一半导体区域中。导电体的下表面包含第一面和第二面，第一面平行于与从第一电极朝向第一半导体区域的第一方向正交的第二方向，第二面与第一面相连，且相对于第一方向以及第二方向倾斜。栅极电极设于绝缘部中，且在第二方向上隔着栅极绝缘层与第二半导体区域相对。第二电极设于第二半导体区域以及第三半导体区域之上。
半导体装置

[发明专利]服务器装置、发送方法以及程序-CN202310754324.3在审
发明人：権藤俊一;黑坂拓巳 -专利权人： 株式会社东芝
申请日： 2020-02-27 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H04N21/2343 文献下载
摘要：本公开涉及服务器装置、发送方法以及程序，不降低质量而减少线路负荷、处理负荷。本实施方式的发送装置具备划分部、发送部、存储控制部和接收部。划分部将作为发送对象的多个发送数据划分为第一数据和第二数据。发送部将第一数据发送至对接收装置分发发送数据的服务器装置。存储控制部将第二数据存储于存储部。接收部从接收装置或服务器装置接收第二数据的发送请求。发送部还根据发送请求将第二数据发送至服务器装置。
服务器装置发送方法以及程序

[发明专利]机器学习装置、机器学习方法以及推论装置-CN202211050386.8在审
发明人：三岛直;Q·V·范;细矢悠介;藤村浩司 -专利权人： 株式会社东芝
申请日： 2022-08-31 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： G06N20/00 文献下载
摘要：提供一种机器学习装置、机器学习方法以及推论装置，能够高效地学习VQA任务的统计模型。机器学习装置包括处理电路。处理电路基于非VQA格式的样本，生成与VQA任务相关的VQA格式的学习样本。所述VQA格式的所述学习样本具有对象、与该对象相关的提问句以及针对该提问句的回答句的组合作为要素，所述非VQA格式的所述样本具有对象和与该对象相关联的标签的组合作为要素。处理电路基于所生成的所述VQA格式的所述学习样本训练所述VQA任务的统计模型。
机器学习装置学习方法以及推论

[发明专利]半导体装置-CN202210884681.7在审
发明人：加藤贵大;坂野竜则;小林勇介;下条亮平 -专利权人： 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2022-07-26 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：一种半导体装置，包含第1～第4电极、半导体部件及绝缘部件。半导体部件包含第1导电型的第1半导体区域、第1导电型的第2半导体区域、第2导电型的第3半导体区域、第2导电型的第4半导体区域、第1导电型的第5半导体区域以及第2导电型的第6半导体区域。第3半导体区域包含第1部分区域和第2部分区域。第2部分区域在第1方向上处于第1半导体区域与第2半导体区域之间。第1部分区域在第1方向上处于第1半导体区域与第3电极之间。在与第1方向交叉的第2方向上，第3电极与第2半导体区域、第4半导体区域以及第5半导体区域重叠。第4电极在第1方向上处于第1部分区域与第3电极之间。从第4电极向第2部分区域的方向沿着第2方向。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN202210781346.4在审
发明人：安武拓哉;加藤浩朗;川井博文;岸本裕幸 -专利权人： 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2022-07-04 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：根据一实施方式半导体装置具备：第一电极；第一导电型的第一半导体区域；第二导电型的第二半导体区域；第一导电型的第三半导体区域；第一导电部；第一栅极电极；第二导电部；第二栅极电极；第一连接部；以及第二电极。第一导电部隔着第一绝缘部设于第一半导体区域之中。第一栅极电极在与第一方向垂直的第二方向上与第二半导体区域面对，第一方向是从第一电极朝向第一半导体区域的方向。第二导电部隔着第二绝缘部设于第一半导体区域之中。第二栅极电极在第二方向上与第二半导体区域面对。第一连接部设于比第二半导体区域以及第三半导体区域靠上方的位置，与第一栅极电极以及第二栅极电极相接。第二电极设于第二半导体区域以及第三半导体区域之上。
半导体装置

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201910728972.5有效
发明人：下村纱矢;大野哲也;加藤浩朗 -专利权人： 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2019-08-08 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及半导体装置及其制造方法。半导体装置具有第一电极、第一导电形的第一半导体区域、第二导电形的多个第二半导体区域、第一导电形的多个第三半导体区域、第一导电部、栅极电极、第二绝缘部和第二电极。第一导电部隔着第一绝缘部而设置在第一半导体区域中。栅极电极具有第一电极部分及第二电极部分。第二绝缘部在第一方向上设置在第一电极部分和第二电极部分之间。第二绝缘部包含第一绝缘部分和第二绝缘部分。第一绝缘部分越向第二方向则第一方向上的长度越短。第二绝缘部分位于第一绝缘部分之上，包含朝向第二方向而第一方向上的长度变长或一定的部分。第一绝缘部分的第二方向上的长度与第二绝缘部分的第二方向上的长度相比更长。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置以及切割方法-CN201810182302.3有效
发明人：增子真吾;藤村一夫;高田贤治;水岛一郎 -专利权人： 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2018-03-06 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本发明的实施方式提供一种通过使侧面具有曲率而提高可靠性的半导体装置以及切割方法。实施方式的半导体装置具有至少一对侧面从上方朝向下方扩宽的弯曲形状，其具备硅基板、半导体层、以及下层。半导体层形成于上述硅基板的上表面。下层形成于上述硅基板的下表面，其侧面与上述硅基板的侧面连接。
半导体装置以及切割方法

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201810160327.3有效
发明人：朝羽俊介;饭岛良介;中林幸雄;深津茂人;伊藤俊秀 -专利权人： 株式会社东芝
申请日： 2018-02-27 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：提供一种特性能够提高的半导体装置的制造方法。根据实施方式，半导体装置的制造方法包括：在包含氧的第一气氛中对第一膜实施500℃以上且900℃以下的第一温度的第一热处理，该第一膜沉积在包含碳化硅的半导体部件上且包含硅及氧。所述制造方法包括：在所述第一热处理之后，在包含氮的第二气氛中对所述第一膜实施1200℃以上且小于1400℃的第二温度的第二热处理。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体模块及其制造方法-CN201810694907.0有效
发明人：山本哲也 -专利权人： 株式会社东芝
申请日： 2018-06-29 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：根据一个实施方式，半导体模块具备：半导体元件；第1基底基板，具有导电性，供半导体元件载置；第2基底基板，具有导电性，且面积比第1基底基板的面积大；散热片(12)，固定于第2基底基板(14)；以及绝缘片，面积比第1基底基板的面积大，且配置于第1基底基板与第2基底基板之间。绝缘片具有被第1基底基板与第2基底基板夹着的第1部分和除第1部分之外的第2部分，第1部分的第1厚度与第2部分的第2厚度实质上相等。
半导体模块及其制造方法

[发明专利]栅极控制电路及晶体管驱动电路-CN201910635291.4有效
发明人：常次幸男 -专利权人： 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2019-07-15 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H03K17/567 文献下载
摘要：本发明涉及栅极控制电路及晶体管驱动电路，即使在电源电压低且低温时，也能够确保高端浮动电源的电位差，按照命令控制高端侧和低端侧的各栅极电压。栅极控制电路具备：第一栅极控制部，基于第一基准电压节点与第二基准电压节点之间的电位差，对在第一基准电压节点与输出节点之间连接的第一晶体管的栅极电压进行控制；第二栅极控制部，基于第三基准电压节点与第四基准电压节点之间的电位差，对在输出节点与第四基准电压节点之间连接的第二晶体管的栅极电压进行控制；以及电压调整电路，在第一基准电压节点的电压从初始电压上升的中途的第一期间和从通常电压下降的中途的第二期间中，使第一基准电压节点与第二基准电压节点之间的电位差暂时地增大。
栅极控制电路晶体管驱动电路