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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]绝缘性电路基板及使用了其的半导体装置-CN202180086658.7在审
发明人：森本一光;平林英明 -专利权人： 株式会社东芝;东芝高新材料公司
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L23/36 文献下载
摘要：本发明的特征在于，在绝缘性基板的至少一个面上接合有导体部的绝缘性电路基板中，在对导体部表面的碳量进行XPS分析时，任意3处的平均值为0a％以上且70at％以下的范围内。此外，在对上述导体部表面的氧量进行XPS分析时，任意3处的平均值优选为3at％以上且50at％以下的范围内。
绝缘性路基使用半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN202210780780.0在审
发明人：水上诚 -专利权人： 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2022-07-04 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：实施方式提供能够抑制元件破坏的半导体装置。根据实施方式，半导体装置具备：第一电极；第二电极；及碳化硅层，在第一方向上设于第一电极与第二电极之间，碳化硅层具有：n型的第一层，与第一电极电连接；n型的第二层，设于第一层上，杂质浓度低于第一层的杂质浓度；超结构造部，设于第二层上；p型的第三层，设于超结构造部上；及n型的第四层，设于第三层上，与第二电极电连接，超结构造部具有：多个n型柱，杂质浓度高于第二层的杂质浓度；多个p型柱，杂质浓度高于第二层的杂质浓度；以及边界区域，在与第一方向正交的第二方向上位于n型柱与p型柱之间，从第二层连续地沿第一方向延伸，杂质浓度低于n型柱以及p型柱的杂质浓度。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN202210960718.X在审
发明人：诹访刚史;末代知子;岩鍜治阳子 -专利权人： 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2022-08-11 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：实施方式提供一种能够控制末端区域的击穿电压以及骤回特性的半导体装置。实施方式的半导体装置具备半导体部、第一电极、第一控制电极、至少一个第二控制电极以及控制焊盘。半导体部具有活性区域和末端区域。第一电极设于半导体部的表面上，且位于活性区域上。第一控制电极设于半导体部的活性区域，隔着第一绝缘膜与半导体部相对。第二控制电极隔着第二绝缘膜设于半导体部的末端区域上，以包围第一电极的方式配置。控制焊盘在半导体部的表面上与第一电极分离地设置，并与第二控制电极电连接。半导体部包括从活性区域向末端区域延伸的第一半导体层，第二控制电极隔着第二绝缘膜与第一半导体层的一部分相对。
半导体装置

[发明专利]光电转换元件及其制造方法-CN201880056121.4有效
发明人：天野昌朗;中尾英之;都鸟显司;藤永贤治 -专利权人： 株式会社东芝
申请日： 2018-09-18 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H10K30/10 文献下载
摘要：本发明提供一种提高了邻接的两个光电转换层的邻接部之间的电分离性的光电转换元件。实施方式的光电转换元件(1)具备：设置于透明基板(2)的具备第1透明电极(4A)、第1光电转换层(5A)以及第1对置电极(6A)的第1光电转换部(3A)；以及具备第2透明电极(4B)、第2光电转换层(5B)以及第2对置电极(6B)的第2光电转换部(3A)。第1对置电极(6A)和第2透明电极(4B)通过连接部(7)电连接。在第1光电转换层(5A)和第2光电转换层(5B)中，通过电阻比第1及第2光电转换层(5A)、(5B)高的非活性区域(10)，邻接的第1及第2光电转换层(5A)、(5B)的邻接部之间电分离。
光电转换元件及其制造方法

[发明专利]多尔蒂型放大器-CN202010150437.9有效
发明人：山本卓史;北原高也;山口惠一 -专利权人： 株式会社东芝
申请日： 2014-12-18 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H03F1/07 文献下载
摘要：本公开的一实施方式的多尔蒂型放大器包含载波放大器、峰值放大器、第1线路以及第2线路。载波放大器将信号放大，并输出第1输出信号。峰值放大器将上述信号放大，并输出第2输出信号。第1线路连接于上述载波放大器。第2线路的第1端连接于上述峰值放大器，第2端连接于上述第1线路，上述第1端的特性阻抗比上述第2端的特性阻抗低。
多尔蒂型放大器

[发明专利]纤维片的制造方法以及纤维片的制造装置-CN202110543096.6有效
发明人：内田健哉;菊地佑磨;中具道 -专利权人： 株式会社东芝
申请日： 2021-05-19 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： D04H1/728 文献下载
摘要：本发明的实施方式涉及纤维片的制造方法以及纤维片的制造装置。本发明要解决的课题在于，提供一种将所制造的纤维片中所含的溶剂量抑制地较低，并且高效地干燥纤维片的纤维片的制造方法以及制造装置。根据实施方式的纤维片的制造方法，将卷绕成卷筒状的基材开卷，并且使在溶剂中溶解了有机材料的原料溶液向开卷后的基材的表面喷出，由此在基材的所述表面形成纤维片。然后，在制造方法中，将在表面形成了纤维片的基材卷取成卷筒状，并且在卷取基材之前，使形成于基材的表面的纤维片干燥。
纤维制造方法以及装置

[实用新型]多层耦合型光电转换元件-CN202320065798.2有效
发明人：五反田武志;浅谷刚;齐田穣;户张智博 -专利权人： 株式会社东芝;东芝能源系统株式会社
申请日： 2023-01-10 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H10K30/20 文献下载
摘要：本实用新型提供能够防止水与钙钛矿层的接触的多层耦合型光电转换元件及多层耦合型光电转换元件的制造方法。实施方式的多层耦合型光电转换元件具有层叠体。层叠体是将第一电极功能层、第一光活性层、中间功能层、第二光活性层、第二电极功能层层叠而成的。第一光活性层由晶体硅构成。第二光活性层由具有钙钛矿型晶体结构的光活性材料构成。第二电极功能层所包含的一部分层被层叠在层叠体的内部，并且以将位于层叠体的端面的第二光活性层的端部覆盖的方式在端面上延伸而层叠。
多层耦合光电转换元件

[发明专利]光催化剂制品-CN201911210828.9有效
发明人：江崎元昭;千草尚;荻原孝德;菅原繁;太田英男;横田昌广;小野修;猪又宏贵;矢野琢真 -专利权人： 株式会社东芝
申请日： 2019-12-02 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： B01J31/38 文献下载
摘要：本发明的实施方式涉及光催化剂制品。目的是得到相对于周围气氛的催化作用良好的光催化剂制品。实施方式所涉及的光催化剂制品具备多孔质基材、和表面处理部，所述表面处理部设置于多孔质基材上，包含碳酸锆铵或含有蒙皂石的粘土矿物中的至少1者、及含有氧化钨的光催化剂。
光催化剂制品

[发明专利]半导体装置-CN201910128015.9有效
发明人：东和幸;香西昌平 -专利权人： 株式会社东芝
申请日： 2019-02-20 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明的实施方式关于半导体装置。实施方式的半导体装置具备：第1半导体层；第2半导体层；第1多层布线层，设置在第1半导体层与第2半导体层之间，具有多个第1导电层；第2多层布线层，设置在第1多层布线层与第2半导体层之间，具有多个第2导电层；第1晶体管，具有第1半导体层中的第1杂质区域；第2晶体管，具有第2半导体层中的第2杂质区域；第1孔，将第1半导体层、第1多层布线层、第2多层布线层及第2半导体层贯通；第2孔，将第1半导体层、第1多层布线层、第2多层布线层及第2半导体层贯通；第1电极，设置在第1多层布线层中；及第2电极，设置在第1多层布线层中，夹着第1孔而与第1电极对置。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201910739299.5有效
发明人：南川和生;西川幸江;财满康太郎 -专利权人： 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2019-08-12 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：有关实施方式的半导体装置具有第1电极、半导体层、第2电极、第3电极、半绝缘层和第1绝缘层。半导体层设于第1电极之上。半导体层具有第1导电型的第1半导体区域、第2导电型的第2半导体区域、第2导电型的第3半导体区域、第1导电型的第4半导体区域。第2半导体区域设于第1半导体区域之上，第3半导体区域设于第2半导体区域的周围。第4半导体区域设于第3半导体区域的周围。第2电极具有被设于第2半导体区域之上的第1电极部分和被设于第1电极部分的周围的第2电极部分。第3电极设于第2电极的周围，与第4半导体区域电连接。半绝缘层与第2电极及第3电极电连接。第1绝缘层的第1下表面的第1端部位于第3半导体区域之上。
半导体装置

[发明专利]检测区域数据库制作装置-CN201980042667.9有效
发明人：高桥雄介;小林广幸;二神拓也;堀江胜大;濑户直人;山崎世支明;服部阳平;伊藤博章 -专利权人： 株式会社东芝;东芝基础设施系统株式会社
申请日： 2019-06-25 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： B61L23/00 文献下载
摘要：本发明的实施方式涉及检测区域数据库制作装置。实施方式的检测区域数据库制作装置包括获取部和制作部。获取部从铁路车辆获取通过该铁路车辆具有的摄像部对铁路车辆的行驶方向进行摄像而获得的摄像图像、以及当获取摄像图像时铁路车辆的行驶位置。制作部基于摄像图像和行驶位置来制作将对象位置与检测区域信息相关联的检测区域数据库，其中该对象位置是将摄像图像中检测到阻碍铁路车辆行驶的障碍物的检测区域扩大到铁路车辆的车辆边界或建筑边界外侧的扩大区域的行驶位置，该检测区域信息表示扩大区域的三维形状。
检测区域数据库制作装置

[发明专利]动作条件决定装置、磁记录再现装置以及磁记录再现系统-CN202210979731.X在审
发明人：礒胁洋介;菅原克也;山田健一郎 -专利权人： 株式会社东芝
申请日： 2022-08-16 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： G11B5/09 文献下载
摘要：提供能够决定更适当的动作条件的动作条件决定装置、磁记录再现装置以及磁记录再现系统。根据实施方式，动作条件决定装置包括存储部和处理部。所述存储部能够存储与磁记录再现装置的振动状态所对应的信息有关的多个分类、和与所述磁记录再现装置的动作有关的多个设定参数集。多个设定参数集与所述多个分类对应。所述处理部取得第1数据，所述第1数据包括测定了所述磁记录再现装置的所述振动状态而得到的信息。所述处理部能够从所述存储部取得所述多个设定参数集中的一个，所述多个设定参数集中的所述一个与所述第1数据所对应的所述多个分类中的一个对应。
动作条件决定装置记录再现以及系统

[发明专利]超导电磁铁装置和超导电磁铁装置的冷却方法-CN202180087597.6在审
发明人：坂本沙纪;高见正平 -专利权人： 株式会社东芝;东芝能源系统株式会社
申请日： 2021-08-16 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01F6/04 文献下载
摘要：本发明提供一种超导电磁铁装置及其冷却方法，能够抑制用于冷却超导线圈的冷却片的涡电流产生的发热，有效地冷却超导线圈。具备：超导线圈，产生磁场；冷却机构，冷却所述超导线圈；辐射屏蔽件，在内部收容所述超导线圈，防止来自外部的热侵入；以及用于真空隔热的真空容器，收容所述辐射屏蔽件，所述冷却机构具备：周向冷却部，具有沿所述超导线圈的周向相互隔开间隔排列的多个长条状的周向冷却片；以及轴向冷却部，具有沿所述超导线圈的轴向相互隔开间隔排列的多个长条状的轴向冷却片。
超导电磁铁装置冷却方法

[发明专利]机器分类记号确定装置-CN202180087744.X在审
发明人：饭岛拓也;山下兰;岩政干人;藤原浩司 -专利权人： 株式会社东芝;东芝基础设施系统株式会社
申请日： 2021-02-12 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： G06Q50/04 文献下载
摘要：机器分类记号确定装置具备取得部、判定部以及输出控制部。取得部取得与工业设施所包括的机器有关的机器信息和包括多个机器的机器分类记号的被标准化的信息模型。判定部基于机器信息来判定信息模型所包括的机器分类记号中的与机器对应的机器分类记号。输出控制部输出由判定部判定出的机器与机器分类记号的对应的结果。
机器分类记号确定装置

[发明专利]蓄冷材料、蓄冷材料粒子、造粒粒子、蓄冷器、冷冻机、低温泵、超导磁铁、核磁共振成像装置、核磁共振装置、磁场施加式单晶提拉装置及氦再冷凝装置-CN202180078884.0在审
发明人：河本崇博;碓井大地;平松亮介;近藤弘康;田口成那 -专利权人： 株式会社东芝;东芝高新材料公司
申请日： 2021-11-25 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： F25B9/00 文献下载
摘要：实施方式的蓄冷材料包含含有选自由Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb及Lu构成的组中的至少一种稀土类元素的稀土类氧硫化物，包含0.001原子％以上且10原子％以下的第一族元素，2K以上且10K以下的温度范围内的体积比热的最大值为0.5J/(cm3K)以上。
材料粒子粒粒蓄冷器冷冻机低温泵超导磁铁核磁共振成像装置核磁共振磁场施加

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