专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]磁盘装置-CN202210588435.7在审
  • 增山秀和;吉田纪 - 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
  • 2022-05-26 - 2023-09-19 - G11B20/10
  • 本发明提供能够适当地设定系统区域的磁盘装置。在磁盘装置具有的存储器中保存有第1设定信息和第2设定信息。第1设定信息表示第2磁道,该第2磁道是磁盘具有的多个第1磁道中的基于缺陷检查被设为了不使用的第1磁道。第2设定信息表示从与第2磁道不同的1个以上的第1磁道中选择出的第3磁道。在访问目的地为用户区域的情况下,控制器一边使第2磁道和第3磁道滑过,一边将逻辑地址信息变换为物理地址信息。在访问目的地为系统区域的情况下,控制器一边使多个第1磁道中的第3磁道以外的全部第1磁道滑过,一边将逻辑地址信息变换为物理地址信息。
  • 磁盘装置
  • [发明专利]半导体装置-CN202210842297.0在审
  • 一关健太郎;河村圭子 - 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
  • 2022-07-18 - 2023-09-19 - H01L29/78
  • 实施方式提供提高了沟槽栅极构造的可靠性的半导体装置。实施方式的半导体装置具有半导体部、第一~第三电极、控制电极以及第一~第三绝缘膜。第一电极设置在半导体部的背面上,第二电极设置在表面上。半导体部具有在表面具有开口的沟槽,第三电极设置在沟槽的内部。控制电极在沟槽的内部设置在开口侧,具有沿与背面平行的方向排列的第一及第二控制部。第一绝缘膜设置在半导体部与第三电极之间,第二绝缘膜设置在半导体部与控制电极之间。第三电极具有在第一及第二控制部之间延伸的端部,第一绝缘膜具有在第三电极的端部与控制电极之间延伸的延伸部。第三绝缘膜在延伸部与第三电极的端部之间延展。
  • 半导体装置
  • [发明专利]电子设备以及电子部件-CN202210916503.8在审
  • 石崎圣和;高泽昌秀;山本展大 - 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
  • 2022-08-01 - 2023-09-19 - H05K1/18
  • 实施方式提供能够更可靠地将电子部件安装于基板的电子设备以及电子部件。一实施方式的电子设备具备基板和电子部件。所述基板具有朝向第一方向的第一面,设有第一孔以及第二孔。所述电子部件具有基部、以及从所述基部突出并且至少部分地被收容于所述第一孔以及所述第二孔的第一突起以及第二突起。在第二方向上,与所述第二突起的端部相比,所述第一突起的端部更与所述第一面分离。所述第一突起以及所述第二突起具有相对于所述第一方向倾斜地从该端部延伸的第一斜面以及第二斜面。与所述第一方向正交的第三方向上的所述第一斜面的长度比所述第三方向上的所述第二斜面的长度长。
  • 电子设备以及电子部件
  • [发明专利]通信装置以及半导体装置-CN202210938147.X在审
  • 清水孝明;井原淳 - 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
  • 2022-08-05 - 2023-09-19 - H04L25/02
  • 本发明的实施方式涉及通信装置以及半导体装置。根据本实施方式,主脉冲信号生成电路生成与逻辑信号的上升对应的第一主脉冲信号和与下降对应的第二主脉冲信号。副脉冲信号生成电路进行第一生成处理和第二生成处理中的至少一方,在第一生成处理中,在生成了第一主脉冲信号的规定时间后以规定的间隔生成与第一主脉冲信号对应的第一副脉冲信号,在第二生成处理中,在生成了第二主脉冲信号的规定时间后以规定的间隔生成与第二主脉冲信号对应的第二副脉冲信号。输出电路输出第一主脉冲信号、第二主脉冲信号、第一副脉冲信号及第二副脉冲信号中的至少某一个。输出电路使第一副脉冲信号及第二副脉冲信号中的至少一方的输出停止。
  • 通信装置以及半导体
  • [发明专利]半导体装置以及半导体封装-CN202210696549.3在审
  • 田中克久;河野洋志 - 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
  • 2022-06-20 - 2023-09-19 - H01L29/78
  • 根据一实施方式,半导体装置有第一电极、第一导电型的第一半导体区域、第二导电型的第二半导体区域、栅极电极、第二导电型的第三半导体区域、导电部、第二导电型的第四半导体区域、第一导电型的第五半导体区域、第一导电型的第六半导体区域及第二电极。第一半导体区域包含第一区域及第二区域。第二半导体区域及第三半导体区域设于第一区域之上。栅极电极设于第二半导体区域之上。第三半导体区域与第二半导体区域分离。导电部设于第三半导体区域之上。第四半导体区域设于第二区域之上,与第三半导体区域相接。第五半导体区域设于第四半导体区域的一部分之上。第六半导体区域有比第一半导体区域高的第一导电型的杂质浓度,与第三半导体区域相接。
  • 半导体装置以及封装
  • [发明专利]半导体装置-CN201910022277.7有效
  • 加藤浩朗 - 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
  • 2019-01-10 - 2023-09-19 - H01L29/78
  • 一实施方式的半导体装置具备第1电极、第1导电型的第1半导体区域、第2导电型的第2半导体区域、第1导电型的第3半导体区域、栅电极、及第2电极。第1半导体区域设置于第1电极上。上述第2半导体区域设置于第1半导体区域上。第3半导体区域设置于第2半导体区域的一部分上。栅电极具有第1部分及第2部分。第1部分在与从第1电极朝向第1半导体区域的第1方向垂直的第2方向上,隔着栅绝缘部而与第1半导体区域的一部分、第2半导体区域、及第3半导体区域相对。第2部分在与第1方向及第2方向垂直的第3方向上,与第1部分并列。第2部分在第2方向上隔着栅绝缘部而与第2半导体区域相对。第2部分的下端处于比第1半导体区域和第2半导体区域的交界面更上方的位置。
  • 半导体装置
  • [发明专利]开关装置以及电子设备-CN201910603040.8有效
  • 太田宽;表广布史 - 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
  • 2019-07-05 - 2023-09-19 - H05K1/18
  • 本发明的实施方式涉及不良情况更少的开关装置以及电子设备。实施方式的开关装置具有第一开关元件、第二开关元件以及保持器。第一开关元件和第二开关元件并联连接。第一开关元件具有多个端子。第二开关元件具有多个端子并与第一开关元件在该第一开关元件的厚度方向上分离地设置。保持器具有:保持部件,设置有收纳第一开关元件的腔室,并在第一开关元件与第二开关元件之间具有腔室的底部;连接部,与腔室对置地设置于保持部件上,并与第二开关元件电连接;以及导体,将连接部和第一开关元件的端子连接。
  • 开关装置以及电子设备
  • [发明专利]转子以及旋转电机-CN202280005032.3在审
  • 内田秀范;鹿野将 - 株式会社东芝;东芝基础设施系统株式会社
  • 2022-01-13 - 2023-09-15 - H02K1/276
  • 转子按转子铁芯的每个磁极具备第一以及第二磁铁收容区域、第一以及第二外周侧磁间隙、第一以及第二内周侧磁间隙、外周侧中心磁间隙以及内周侧中心磁间隙、第一以及第二外周侧桥接部、第一以及第二内周侧桥接部、中心桥接部、永磁铁保持用的第一突出部以及第二突出部。所述第一以及第二外周侧桥接部配置为彼此的间隔从所述转子铁芯的外周侧朝向内周侧变窄。第一以及第二内周侧桥接部配置为彼此的间隔从所述转子铁芯的外周侧朝向内周侧变窄,并且与所述第一以及第二外周侧桥接部分别连结。
  • 转子以及旋转电机
  • [发明专利]半导体装置-CN201910728940.5有效
  • 西口俊史 - 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
  • 2019-08-08 - 2023-09-15 - H01L29/78
  • 实施方式的半导体装置具备:半导体部;第1电极,设置在上述半导体部的背面上;第2电极,设置在上述半导体部的正面侧;第3电极,设置在上述半导体部的正面侧;以及控制电极,配置在设于上述半导体部的正面侧的沟槽的内部,与上述第3电极电连接。上述控制电极配置在上述半导体部与上述第2电极之间,与上述半导体部及上述第2电极电绝缘。上述控制电极包括在沿着上述半导体部的上述正面的第1方向上延伸的第1部分、和在与上述第1方向交叉的第2方向上延伸的第2部分,在上述沟槽内不分岔而连续地延伸。
  • 半导体装置

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