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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]光掩模布图以及形成精细图案的方法-CN201710123674.4有效
发明人：林静范;全钟律;金恩娥;李钟旼 -专利权人： 三星电子株式会社
申请日： 2017-03-03 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本公开提供光掩模布图以及形成精细图案的方法。一种形成精细图案的方法可以被提供，该方法包括：在目标层上形成多个第一牺牲图案，该目标层在基板上；在该多个第一牺牲图案的各自的侧壁上形成第一间隔物；去除该多个第一牺牲图案；形成多个第二牺牲图案，第二牺牲图案与第一间隔物交叉，每个第二牺牲图案包括线部分和突出部部分，突出部部分具有比线部分宽的宽度；在该多个第二牺牲图案的各自的侧壁上形成第二间隔物；去除第二牺牲图案；以及通过孔区域蚀刻目标层以暴露基板，孔区域由第一间隔物和第二间隔物限定。
光掩模布图以及形成精细图案方法

[发明专利]内容投放方法和设备、电子设备及存储介质-CN202310787924.X在审
发明人：刘欣;陈双喜;管皓 -专利权人：三星电子（中国）研发中心;三星电子株式会社
申请日： 2023-06-29 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： G06Q30/0251 文献下载
摘要：本公开提供一种内容投放方法和设备、电子设备及存储介质，以便于用户根据需求智能投放内容。所述内容投放方法，包括：接收包括内容投放需求的用户输入；响应于所述用户输入，根据所述内容投放需求使用投放推荐模型确定投放信息和投放内容；根据所述投放信息投放所述投放内容。
内容投放方法设备电子设备存储介质

[发明专利]减少来自参考信号干扰的电子装置及其运行方法-CN202280014907.6在审
发明人：张奎在;卞英植;尹然相;林泳燮;全民桓;赵晟烈 -专利权人： 三星电子株式会社
申请日： 2022-01-25 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H04J11/00 文献下载
摘要：本发明的各种实施例涉及一种用于减少电子装置中参考信号的干扰的装置和方法。电子装置包括多个天线、第一通信电路和至少一个处理器。该处理器：通过第一通信电路建立与第一网络的通信；基于电子装置的运行状态信息，确认是否发生了与第一网络的参考信号的传输控制相关的事件；以及，如果已经发生了与参考信号的传输控制相关的事件，则关于与多个天线相对应的多个路径中的至少一个路径限制参考信号的传输，并且可以通过其他路径中的至少一个路径来发送第一网络的参考信号。其他实施例也是可行的。
减少来自参考信号干扰电子装置及其运行方法

[发明专利]半导体器件-CN202211691341.9在审
发明人：徐艺正;金爀 -专利权人： 三星电子株式会社
申请日： 2022-12-27 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：延伸结构，所述延伸结构包括堆叠在衬底上并且在第一水平方向上延伸的第一水平导电线延伸部、第一层间绝缘层、第二水平导电线延伸部和第二层间绝缘层；第一接触，所述第一接触被构造为穿过所述第二层间绝缘层、所述第二水平导电线延伸部和所述第一层间绝缘层并且接触所述第一水平导电线延伸部；第二接触，所述第二接触被构造为穿过所述第二层间绝缘层并且接触所述第二水平导电线延伸部；以及第一接触间隔物，所述第一接触间隔物在所述第一接触的侧壁与所述延伸结构之间延伸，并且被构造为将所述第一接触与所述第二水平导电线延伸部电隔离。
半导体器件

[发明专利]半导体装置-CN202211664705.4在审
发明人：孙智慧;金浩中;金永信;金孝锡;崔捧植;具太雄;徐泰河 -专利权人： 三星电子株式会社
申请日： 2022-12-23 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：基底，包括单元区域的具有第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域的第一有源图案；器件隔离层，在单元区域上位于限定第一有源图案的沟槽中；缓冲层，位于单元区域上；线结构，在第三方向上延伸，从单元区域延伸到边界区域，并且包括穿过缓冲层并接触第一源极/漏极区域的第一导电图案、位于第一导电图案上的位线以及位于位线与第一导电图案之间的第一阻挡图案；一对间隔件，分别位于线结构的两个侧壁上；接触件，位于第二源极/漏极区域上；接垫，位于接触件上；第一磨料颗粒，位于接触件与接垫之间；以及数据存储元件，位于接垫上。
半导体装置

[发明专利]能够对差分输出信号进行偏移补偿的差分放大器和包括其的自适应连续时间线性均衡器-CN202211616393.X在审
发明人：庾修焕;金曜汉;安贤优;李宰杰;文龙三;玄知桓;崔桢焕 -专利权人： 三星电子株式会社;首尔市立大学产学协力团
申请日： 2022-12-12 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H03F1/32 文献下载
摘要：一种自适应连续时间线性均衡器(CTLE)，包括：CTLE单元，包括输入端子和输出端子；低通滤波器，被配置为分别输出低频带差分信号，该低频带差分信号是通过对差分输出信号分别进行低通滤波而获得的；以及误差放大器，被配置为放大低频带差分信号之间的差，并输出该放大后的差作为控制电压。CTLE单元包括：第一晶体管和第二晶体管，每个晶体管包括输入端子和输出端子；以及偏移补偿器，被配置为根据控制电压来调节供电电压源与输出端子之间的电势差。
能够输出信号进行偏移补偿差分放大器包括自适应连续时间线性均衡器

[发明专利]半导体器件-CN202211586563.4在审
发明人：金钟珉;尹灿植;金孝燮;朴素贤;安濬爀 -专利权人： 三星电子株式会社
申请日： 2022-12-09 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括：导电接触插塞，所述导电接触插塞位于衬底上，并且包括下部和位于所述下部上的上部，所述下部具有第一宽度，并且所述上部具有小于所述第一宽度的第二宽度；位线结构，所述位线结构位于所述导电接触插塞上，并且包括在与所述衬底的上表面垂直的垂直方向上设置的导电结构和绝缘结构；以及第一下间隔物、第二下间隔物和第三下间隔物，所述第一下间隔物、所述第二下间隔物和所述第三下间隔物在与所述衬底的所述上表面平行的水平方向上顺序地设置在所述导电接触插塞的所述下部的侧壁上，其中，所述第三下间隔物的最上表面高于所述第一下间隔物的上表面和所述第二下间隔物的上表面。
半导体器件

[发明专利]无线通信系统中发送和接收控制信息的方法和装置-CN202280017881.0在审
发明人：朴成珍;金泳范;柳贤锡;崔承勳 -专利权人： 三星电子株式会社
申请日： 2022-03-21 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H04L5/00 文献下载
摘要：提供了一种由无线通信系统中的用户设备(UE)执行的方法。该方法包括接收关于物理上行链路控制信道(PUCCH)传输的多个小区的配置信息，基于该配置信息来识别多个小区中的辅小区(SCell)，并且在SCell上的多个时隙与主小区(PCell)上的时隙重叠的情况下，在SCell上的多个时隙中的第一时隙上发送PUCCH。
无线通信系统发送接收控制信息方法装置

[发明专利]三维半导体存储器装置和包括其的电子系统-CN202310002776.6在审
发明人：崔茂林;成政泰;张允瑄 -专利权人： 三星电子株式会社
申请日： 2023-01-03 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：提供了一种三维半导体存储器装置和包括其的电子系统，所述三维半导体存储器装置包括基底、设置在基底上的外围电路结构和设置在外围电路结构上的单元阵列结构。单元阵列结构包括：堆叠件，包括交替的层间绝缘层和导电图案，导电图案包括栅电极和作为导电图案的最上面的图案的第一源极导电图案；第二源极导电图案，设置在堆叠件上并与第一源极导电图案的顶表面接触，第二源极导电图案包括与第一源极导电图案的材料不同的材料；以及垂直沟道结构，设置为穿透堆叠件并插入到第二源极导电图案的下部中。垂直沟道结构包括连接到第二源极导电图案的垂直半导体图案。
三维半导体存储器装置包括电子系统

[发明专利]半导体存储器装置-CN202310026104.9在审
发明人：金孝燮;李基硕;李明东;金钟珉;金熙中;李志勋;李泓濬 -专利权人： 三星电子株式会社
申请日： 2023-01-09 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：提供了半导体存储器装置。所述半导体存储器装置包括：器件隔离图案，设置在基底上以提供第一有源部分和第二有源部分；第一存储节点垫，设置在第一有源部分上；第二存储节点垫，设置在第二有源部分上；垫分离图案，设置在第一存储节点垫与第二存储节点垫之间；字线，设置在基底中以与第一有源部分和第二有源部分交叉；位线，设置在垫分离图案上并与字线交叉；缓冲层，设置在垫分离图案上；以及掩模多晶硅图案，置于缓冲层与位线之间，其中，掩模多晶硅图案的侧表面与位线的侧表面基本对齐，并且掩模多晶硅图案与垫分离图案竖直地叠置。
半导体存储器装置

[发明专利]半导体封装件-CN202310081192.2在审
发明人：金钟润 -专利权人： 三星电子株式会社
申请日： 2023-02-08 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：提供了一种半导体封装件。所述半导体封装件包括：第一再分布基板；半导体芯片，所述半导体芯片设置在所述第一再布线基板上；模制层，所述模制层设置在所述第一再分布基板和所述半导体芯片上；以及第二再分布基板，所述第二再分布基板设置在所述模制层上。所述第二再分布基板包括：多个再分布图案，所述多个再分布图案彼此间隔开；第一虚设导电图案，所述第一虚设导电图案与所述多个再分布图案间隔开；绝缘层，所述绝缘层设置在所述第一虚设导电图案上；以及标记金属层，所述标记金属层设置在所述绝缘层上并且与所述第一虚设导电图案间隔开。所述标记金属层的侧壁沿着与所述第一再分布基板的上表面垂直的垂直方向与所述第一虚设导电图案交叠。
半导体封装

[发明专利]半导体封装件-CN202310115653.3在审
发明人：文炅炖 -专利权人： 三星电子株式会社
申请日： 2023-02-08 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H10B80/00 文献下载
摘要：一种半导体封装件，包括位于缓冲器裸片上的第一半导体裸片和第二半导体裸片。该第一半导体裸片包括：位于第一半导体基板上的第一存储块；第一层间电介质层；穿透该第一半导体基板并连接到该缓冲器裸片的第一通路；以及位于该第一层间电介质层上并连接到该第一存储块的第一导电焊盘。该第二半导体裸片包括：位于第二半导体基板上的第一计算块，该第一计算块被配置为计算从该第一存储块接收的数据并将结果存储到该第一存储块；第二层间电介质层；以及位于该第二层间电介质层下方并连接到该第一计算块的第二导电焊盘。该第一层间电介质层的顶表面与该第二层间电介质层接触。该第一导电焊盘与该第二导电焊盘接触。
半导体封装

[发明专利]操作多相机系统的方法和执行所述方法的多相机系统-CN202310132333.9在审
发明人：文憬焕 -专利权人： 三星电子株式会社
申请日： 2023-02-09 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H04N9/73 文献下载
摘要：提供了一种操作多相机系统的方法和执行所述方法的多相机系统。在所述操作多相机系统的方法中，对由第一图像信号处理器控制的多个第一相机当中的第一主相机执行第一自动曝光(AE)。对所述第一主相机执行第一自动白平衡(AWB)。所有所述多个第一相机的操作由所述第一图像信号处理器基于所述第一自动曝光的结果和所述第一自动白平衡的结果来控制。
操作多相系统方法执行

[发明专利]半导体器件及包括该半导体器件的数据存储系统-CN202310166574.5在审
发明人：姜相敏;金斐悟;朴径旭 -专利权人： 三星电子株式会社
申请日： 2023-02-24 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H10B41/35 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：外围电路结构，包括：第一衬底、第一衬底上的电路器件、电连接到电路器件的下布线结构、覆盖下布线结构的下绝缘层、以及下绝缘层上的扩散阻挡层；以及存储单元结构，包括：第二衬底，在外围电路结构上包括第一区域和第二区域；栅电极，在第一区域中在垂直于第二衬底的上表面的第一方向上堆叠并彼此间隔开，并且在第二区域中在垂直于第一方向的第二方向上延伸以形成阶梯形状；以及沟道结构，在第一方向上穿透栅电极，并且各自包括沟道层。扩散阻挡层包括氢渗透率低于氮化硅的氢渗透率的第一材料层。
半导体器件包括数据存储系统

[发明专利]多位触发器电路-CN202310175714.5在审
发明人：崔源显;黄铉澈;金珉修 -专利权人： 三星电子株式会社
申请日： 2023-02-28 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H03K3/356 文献下载
摘要：一种多位触发器包括第一位触发器和第二位触发器。所述第一位触发器包括：输入多路选择器，其接收第一数据位和第二数据位，并且输出所述第一数据位和所述第二数据位之一作为第三数据位；第一传输电路；第一锁存器；第二传输电路；以及第二锁存器，其输出第一输出数据位。所述第二位触发器包括：输入多路选择器，其接收第四数据位和所述第一输出数据位，并且输出所述第四数据位和所述第一输出数据位之一作为第五数据位；第一传输电路；第一锁存器；第二传输电路；以及第二锁存器，其输出第二输出数据位。所述第一输出数据位从所述第一位触发器沿着外部导线被提供给所述第二位触发器。
触发器电路

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