[发明专利]场致发射型电子源及其制造方法和用途

权利要求书

1．一种场致发射型电子源，其特征在于，具有导电性基板、在导电性基板一表面侧形成的具有纳米构造的氧化或氮化的多孔多晶硅层、以及在该多孔多晶硅层上形成的金属薄膜，

相对于导电性基板将金属薄膜作为正极加上电压，就通过金属薄膜发射电子束。

2．如权利要求1所述的场致发射型电子源，其特征在于，前述多孔多晶硅层，在相对于导电性基板将金属薄膜作为正极加上电压、通过金属薄膜发射电子束时，是所述场致发射型电子源实际上不产生突发现象的多晶硅层。

3．如权利要求1所述的场致发射型电子源，其特征在于，上述多孔多晶硅层是高多孔度的多晶硅层与低多孔度的多晶硅层交替层叠而成的多晶硅层。

4．如权利要求1所述的场致发射型电子源，其特征在于，所述多孔多晶硅层，是在厚度方向多孔连续变化的多晶硅层。

5．如权利要求1所述的场致发射型电子源，其特征在于，所述多孔多晶硅层，是与表面侧相比导电性基板侧的多孔度较高的那种在厚度方向多孔度连续变化的多晶硅层。

6．如权利要求1所述的场致发射型电子源，其特征在于，所述多晶硅层是没有掺杂的多晶硅层。

7．如权利要求1所述的场致发射型电子源，其特征在于，导电性基板由玻璃等基板及在该基板表面形成的导电性薄膜构成。

8．一种场致发射型电子源的制造方法，其特征在于，在导电性基板上形成多晶硅层，使多晶硅层多孔化，将多孔化的多晶硅层氧化或氮化，再在氧化或氮化的多晶硅层硅上形成由金属薄膜构成的电极。

9．如权利要求8所述的场致发射型电子源制造方法，其特征在于，所述多晶硅层的多晶硅层是高多孔度的多晶硅层与低多孔度的多晶硅层交替层叠而成。

10．如权利要求8所述的场致发射型电子源制造方法，其特征在于，所述多晶硅层的多晶体是与表面侧相比层电性基板侧的多孔度较高那样的厚度方向使多孔度连续变化。

11．一种平面发光装置，其特征在于，包括由导电性基板及在导电性基板一表面侧形成的有纳米构造的氧化或氮化的多孔多晶硅层以及在该多孔多晶硅层上形成的金属薄膜构成的场致发射型电子源、和与所述金属薄膜相对配置的透明电极，

在所述透明电极上设有利用所述电子束发出可见光的荧光体。

12．一种显示装置，其特征在于，将具有导电性基板及在导电性基板一表面侧形成的有纳米构造的氧化或氮化的多孔多晶硅层以及在该多孔多晶硅层上形成的金属薄膜的场致发射型电子源构成矩阵状，包括对各场致发射型电子源加上的所述电压分别进行控制的手段和与所述金属薄膜相对配置的透明电极，

在所述透明电极上设有利用所述电子束发出可见的荧光体。

13．一种固体真空器件，其特征在于，将具有导电极基板及在导电性基一表面侧形成的有纳米构造的氧化或氮化的多孔多晶硅层以及在该多孔多晶硅层上形成的金属薄膜的场致发射型电子源与阳极设置于真空容器中。