[发明专利]具有电容器的半导体存储器件

权利要求书

1、一种具有电容器的半导体存储器件，包括：

一基底；

一转移晶体管，形成在该基底上，并包括漏极和源极区；以及

一存储电容器，电连接到该转移晶体管的漏极和源极区之一上，

其特征在于，该存储电容器包括：

一类树干状导电层，其底部电连接到该转移晶体管的该漏极和源极区之一上，该类树干状导电层又具有一个向上延伸部分，该向上延伸部分以大致向上的方向从该底部延伸出一段距离后，再以大致水平的方向往四周延伸出，

至少一个类树枝状导电层，该类树枝状导电层具有一似L形的剖面，该类树枝状导电层的一个末端连接在该类树干状导电层的上表面上，并且从该上表面向上，先往上延伸一段距离之后，再以大致水平方向由内向外延伸出，该类树干状导电层和类树枝状导电层构成该存储电容器的一存储电极，

一介电层，形成在该类树干状导电层和类树枝状导电层暴露出的表面上，以及

一上导电层，形成在该在介电层上，以构成该存储电容器的一相对电极。

2、如权利要求1所述的半导体存储器件，其特征在于，该类树干状导电层具有一似T型的剖面。

3、如权利要求1所述的半导体存储器件，其特征在于，该类树干状导电层具有一似U型的剖面。

4.如权利要求1所述的半导体存储器器件，其特征在于，该类树枝状导电层中朝向延伸的部分大致呈中空筒状。

5、如权利要求1、2或3中的任何一个权利要求所述的半导体存储器件，其特征在于，该存储电容器包括两个大致平行的类树枝状导电层，每一个均具有一似L形的剖面，且其一末端均连接在该类树干状导电层的上表面上。

6.如权利要求1、2或3中的任何一个权利要求所述的半导体存储器件，其特征在于，该类树枝状导电层还包括另外一个延伸部分，该延伸部分从该类树枝状导电层的向上和水平延伸的转弯处大致向上延迟一段距离，之后再由外向内延伸。

7、一种具有电容器的半导体存储器件，包括：

一基底；

一转移晶体管，形成在该基底上，并包括漏极和源极区；以及

一存储电容器，电连接到该转移晶体管的漏极和源极区之一上，

其特征在于，该存储电容器包括：

一类树干状导电层，其底部电连接到该转移晶体管的该漏极和源极区之一上，该类树干状导电层又具有一个向上延伸部分，该向上延伸部分以大致向上的方向从该底部延伸出一段距离后，再以大致水平方向往四周延伸出，

至少一个第一类树枝状导电层，包括一个第一延伸段和一个第二延伸段，该第一延伸段的末端连接在该类树干状导电层的上表面上，大致以垂直方向往上延伸出，该第二延伸段大致以水平方向，从该第一延伸段的另一末端延伸出，该类树干状导电层和第一类树枝状导电层构成该存储电容器的一存储电极，

至少一个第二类树枝状导电层，其一末端连接在该类树干状导电层的上表面上，并且向上延伸，

一介电层，形成在该类树干状导电层和该第一类树枝状导电层以及第二类树枝状导电层暴露出的表面上，以及

一上导电层，形成在该介电层上，以构成该存储电容器的一相对电极。

8、如权利要求7所述的半导体存储器件，其特征在于，该类树干状导电层具有一似T型的剖面。

9、如权利要求7所述的半导体存储器件，其特征在于，该类树干状导电层具有一似U型的剖面。

10、如权利要求7所述的半导体存储器件，其特征在于，该第一类树枝状导电层大致上呈中空筒状。

11、如权利要求10所述的半导体存储器件，其特征在于，该第一类树枝状导电层的该第二延伸段大致以水平方向，从该第一延伸段的另一末端由内往外延伸出。

12、如权利要求10所述的半导体存储器件，其特征在于，该第一类树枝状导电层的该第二延伸段大致以水平方向，从该第一延伸段的另一末端由外往内延伸出。

13、如权利要求10所述的半导体存储器件，其特征在于，该第一类树枝状导电层的该第二延伸段大致以水平方向，从该第一延伸段的另一末端往该第一延伸段所在的另一侧延伸出。