[发明专利]含卤化物杂质的C2-C4羧酸和/或其酸酐的提纯方法

权利要求书

1.含有卤化物杂质的C₂-C₄羧酸和/或其酸酐的提纯方法，该方法包括步骤a)在强度、波长和温度给定下，暴光不纯的酸和/或酸酐于电磁辐射下一定时间，使足以转化至少部分卤化物杂质或低沸和/或高沸卤化物组分，和步骤b)从C₂-C₄羧酸和/或其酸酐中分离步骤a)生成的低沸和/或高沸卤化物组分。

2.按权利要求1的方法，提纯乙酸。

3.按权利要求1或2的方法，其中卤化物杂质是含碘化合物。

4.按权利要求3的方法，其中含碘化合物是有机C₅-C₇碘化物。

5.按以上任一权利要求的方法，其中不纯的酸和/或酸酐于20-85℃下暴露于电磁辐射。

6.按以上任一权利要求的方法，其中电磁辐射源是为主辐射波长分别为300-370nm和254nm的中压或低压汞灯。

7.按以上任一权利要求的方法，其中在步骤a)中生成的低沸和/或高沸卤化物组分通过蒸馏从C₂-C₄羧酸和/或其酸酐中分离。

8.按以上任一权利要求的方法，其中是在蒸馏分离前在分离容器中暴光不纯的酸和/或酸酐，连续地进行暴光步骤a)和分离步骤b)。

9.由羰基化方法制备的C₂-C₄羧酸和/或其酸酐的提纯方法，该酸和/或其酸酐含有非卤化物、非酸和/或非酸酐杂质，该方法包括步骤a)在强度、波长和温度给定条件下暴露不纯的酸和/或酸酐于电磁辐射下一定的时间，足以转化至少部分非卤化物、非酸和/或非酸酐杂质成为低沸和/或高氟非卤化物、非酸和/或非酸酐组分，和步骤b)从C₂-C₄羧酸和/或其酸酐中分离步骤a)生成的低沸和/或高沸非卤化物、非酸和/或非酸酐组分。

10.按权利要求9的方法，其中非卤化物、非酸和/或非酸酐杂质包括C₁-C₆酮和/或C₁-C₄酯和/或异亚丙基丙酮。

11.按权利要求9或10的方法，其中步骤a)生成的低沸和/或高沸非卤化物、非酸和/或非酸酐组分在步骤b)中通过蒸馏从C₂-C₄羧酸和/或其酸酐分离。

12.按权利要求9-11的任一方法，其中是在蒸馏分离之前在分离容器中暴光不纯的酸和/或酸酐，依次进行暴光步骤a)和分离步骤b)。

13.含有C₅-C₇碘化物杂质的C₂-C₄羧酸和/或其酸酐的提纯方法，该方法包括步骤a)在强度、波长和温度给定条件下暴露不纯的酸和/或酸酐于电磁辐射下一定时间，使足以转化至少部分C₅-C₇碘化物杂质成碘甲烷，和步骤b)从C₂-C₄羧酸和/或其酸酐中分离步骤a)生成的碘甲烷。

14.增加含有卤化物杂质和非卤化物、非酸和/或非酸酐杂质的乙酸的高锰酸盐时间的方法，该方法包括在强度，波长和温度给定下暴露该乙酸于电磁辐射下一定时间，使足以转化至少部分卤化物杂质成低沸和/或高沸卤化物组分和转化至少部分非卤化物、非酸和/或非酸酐杂质成低沸和/或高沸非卤化物、非酸和/或非酸酐组分。

15.按权利要求14的方法，其中所说的低沸和/或高沸卤化物组分和所说的低沸和/或高沸非卤化物、非酸和/或非酸酐组分从乙酸中分离出。