[发明专利]硅微热致动泵及其制造工艺无效
| 申请号: | 95117829.6 | 申请日: | 1995-12-08 |
| 公开(公告)号: | CN1047432C | 公开(公告)日: | 1999-12-15 |
| 发明(设计)人: | 周兆英;杨岳;叶雄英;李勇 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
| 主分类号: | F04B43/02 | 分类号: | F04B43/02 |
| 代理公司: | 清华大学专利事务所 | 代理人: | 章瑞溥 |
| 地址: | 10008*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 硅微热致动泵 及其 制造 工艺 | ||
1、一种在硅薄膜片上蚀刻有泵腔,流体沟道和单向阀的硅微热致动泵,其特征是用由单晶硅薄膜,铝薄膜组成的双金属层热致动原理工作,硅薄膜片为两片,在单晶硅薄膜和铝薄膜之间有加热元件。
2、一种硅微热致动泵的制造工艺,其特征是由下述工序组成,
1.首先在双面抛光N型硅片上,双面热氧化生长8000ASiO2,低压化学气相淀积(LPCVD)1500A的Si3N4,这两层薄膜作为体硅异向腐蚀掩壁膜;
2.正面进行光刻,等离子刻蚀出阀口的腐蚀窗口,使用KOH溶液40%进行异向腐蚀,深度为30μm:
3.背面进行双面光刻,等离子刻蚀形成泵腔腐蚀窗口,第二次体硅腐蚀至泵腔单晶硅膜厚10μm左右,此时阀口处只剩下SiO2和Si3N4膜,它们将作为后续工艺的支撑薄膜;
4.在背面低氧淀积,扩磷,厚度为1.5μm的SiO2,作为牺牲层材料;双面淀积2μm厚多晶硅,扩磷,浓度为R0=20Ω/口,退火,去除残余应力,正面光刻,等离子刻蚀形成驱动薄膜的加热电阻;背面光刻,刻蚀形成单向阀膜片,HF缓冲液中进行牺牲层腐蚀释放阀膜片;
5.在正面低压化学气相淀积(LPCVD)淀积Si3N4,厚1000A,光刻及等离子体蚀刻形成绝缘层;
6.正面真空蒸发铝膜,厚度为5μm,光刻,腐蚀铝,形成双金属层及电极引线。
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