[发明专利]半导体工业用清洗剂无效

专利信息
申请号: 95112227.4 申请日: 1995-11-23
公开(公告)号: CN1045792C 公开(公告)日: 1999-10-20
发明(设计)人: 宗福建;杜信荣;马洪磊 申请(专利权)人: 山东大学
主分类号: C11D1/831 分类号: C11D1/831;C11D3/60
代理公司: 山东大学专利事务所 代理人: 孙君
地址: 250100 *** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 半导体 工业 洗剂
【权利要求书】:

1. 一种半导体工业用清洗剂组合物,其特征是,基本组成为:

      组分                         重量百分比

  A、壬基酚聚氧乙烯醚                 3-5%

  B、脂肪醇聚氧乙烯醚                 4-6%

  C、N,N′二羟乙基十三酰胺或          3-5%

     十二烷基醇酰胺磷酸酯钠

  D、三聚磷酸钠                       2-4%

  E、异丙醇或乙醇胺                   0-5%

  F、乙醇                            0-10%

  G、溶剂油或煤油                     0-85%

  H、去离子水                         余量。

2.如权利要求1所述的清洗剂组合物,其特征是,组成为:

        组分                          重量百分比

 A、壬基酚聚氧乙烯醚TX-7              4%

 B、脂肪醇聚氧乙烯醚AEO-3             5%

 C、十二烷基醇酰胺磷酸酯钠            3%

 D、三聚磷酸钠                       3%

 G、煤油                             85%。

3.如权利要求1所述的清洗剂组合物,其特征是,组成为:

         组分                         重量百分比

 A、壬基酚聚氧乙烯醚TX-7              5%

 B、脂肪醇聚氧乙烯醚AEO-9             4%

 C、N,N′二羟乙基十三酰胺             6%

 D、三聚磷酸钠                       3%

 E、乙醇胺                           5%

 F、95%乙醇                         10%

 H、去离子水                         67%。

4.一种清洗半导体硅片表面上黑蜡、松香和石蜡混合物的方法,包括使用权利要求1或2或3所述的清洗剂组合物,用超声波清洗机清洗或用电炉煮沸,然后用去离子水冲洗。

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