[实用新型]磁阻传感器无效
| 申请号： | 89207233.4 | 申请日： | 1989-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN2052891U | 公开（公告）日： | 1990-02-14 |
| 发明（设计）人： | 王元玮;于朴;田跃 | 申请（专利权）人： | 王元玮;于朴;田跃 |
| 主分类号： | G01D5/12 | 分类号： | G01D5/12 |
| 代理公司： | 小松专利事务所 | 代理人： | 陈祚龄 |
| 地址： | 北京市西城*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 磁阻 传感器 | ||
【权利要求书】：
1、一种磁阻传感器，由基片(1)、磁阻片(2)、引线(3、3′)组成，其特征在于：基片(1)可用陶瓷、铁氧体、氧化铝或塑料经抛磨而成，磁阻片(2)采用磁阻材料薄片粘接在磨平的基片(1)上，光刻成谜宫式形状。
2、如权利要求1所述的磁阻传感器，其特征在于：所说的磁阻片（2）适用InSb－NiSb功能复合磁阻材料，采用定向结晶法，制成NiSb纤维在InSb半导体基体中单向平行排列的组织，也可以采用高纯的InSb材料基片用镀膜法，镀上一层高导电率的金属，然后光刻成短路条，光刻要求NiSb的纤维（4）与电流通过的方向垂直。
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