[其他]绝缘栅双极晶体管的激励电路

权利要求书

1、一个绝缘栅双极晶体管用的保护电路，其特征在于包括有：

a.一个栅压输入电路，用于产生栅压并将它提供给所述绝缘栅双极晶体管的栅极;

b.与所述绝缘栅双极晶体管串联连接的一个负荷;

c.一个第一检测电路装置连接到具有所述负荷的电路中，用于检测所述负荷的不正常;

d.调节电路装置反应所述检测电路装置并连接到所述栅压输入电路装置，用于调节该绝缘栅双极晶体管的栅极电压;

e.一个第二检测电路装置，用于检测该调节电路装置的工作时间是否超过一定周期，所述第二检测电路装置连接到所述调节电路装置;以及

f.其中所述的调节电路装置在绝缘栅双极晶体管的集电极-发射极电压增大时首先将栅压调节低到不小于绝缘栅双极晶体管的栅压门限值的低电压值，以降低所述绝缘栅双极晶体管的故障电流;在经过所述予定周期之后调节该栅压到小于该门限电压水平的电压值，以开断该故障电流。

2、按照权利要求1的一个保护电路，其特征为，所述的调节电路装置包括：一个电压激励电路，由多个电阻串联连接组成，至少其中一个受一个晶体管的激励，该晶体管响应第一检测电路装置的输出而导通。

3、按照权利要求1的一个保护电路，其特征为，所述的调节电路装置包括：一个电压激励电路，由一个第一电阻和一个并联电容及一个与所述第一电阻串联的第二电阻组成，该第二电阻受一个晶体管的激励，该晶体管响应第一检测电路装置的输出而导通。

4、按照权利要求1的一个保护电路，其特征为，所述的第一检测电路装置由一个分压电路组成，该分压电路包括多个电阻并输出与该绝缘栅双极晶体管的集电极-发射极电压成正比的电压值。

5、按照权利要求1的一个保护电路，其特征为，还包括有一个第三检测电路装置，用于检测该调节电路装置是否在运行。

6、如按照权利要求5的一个保护电路，其特征为，所述第三检测电路装置包括一个光电耦合器，该耦合器根据电流流过该调节电路装置而工作。

7、按照权利要求5的一个保护电路，其特征为，所述第三检测电路装置包括一个检测该绝缘栅双极晶体管的集电极电流的电流检测器。

8、按照权利要求1的一个保护电路，其特征为，所述的调节电路装置在该予定周期中是不导通的。

9、按照权利要求1的一个保护电路，其特征为，所述控制信号被置于“断开”，以便在该予定周期之后使该绝缘栅双极晶体管截止。

10、一个绝缘栅双极晶体管用的保护电路，其特征在于包括：

一个栅压输出电路装置，用于将输入控制信号转换成激励信号，以及借放大所述激励信号形成该绝缘栅双极晶体管的栅极电压;

一个检测电路装置，用于检测所述绝缘栅双极晶体管的集电极发射极电压;以及

一个调节电路装置，用于根据该检测电路装置的输出而调节该激励信号去控制该绝缘栅双极晶体管的栅极电压;

借助于对该绝缘栅双极晶体管进行控制，以致该绝缘栅双极晶体管的栅压被按照集电极到发射极电压的一个函数变化的该激励电压进行调节，该集电极到发射极的电压被选择在安全工作区（SOA）范围内，并且在该调节电路连续工作时停止所述的控制。

11、按照权利要求10的一个保护电路，其特征为，该调节电路装置包括一个电压分压器，用于施加一个集电极到发射极电压成比例的电压到该调节器装置上。