[发明专利]一种声波谐振器及其制造方法

说明书

本申请提供了一种声波谐振器及其制造方法，通过使用SiOsubgt;2/subgt;‑压电层‑SiOsubgt;2/subgt;嵌入式结构，即设置于衬底一侧表面的底层SiOsubgt;2/subgt;层、设置于底层SiOsubgt;2/subgt;层背离衬底表面的压电层、以及设置于压电层背离底层SiOsubgt;2/subgt;层表面的顶层SiOsubgt;2/subgt;层结构，在实现温度补偿的同时，使得兰姆波正向模中心最大限度地保留；通过周期性的电场激励激发出压电层的兰姆波，得到可在3.8GHz高频下工作，耦合系数达26.2％及频率温度系数低至‑2.5ppm/℃的高频高耦合温度补偿的声波谐振器，如此可以很好的满足当前5G、6G频段下对滤波器高频率、高带宽、高耦合和高热稳定性的性能要求；提高声波谐振器的耦合系数，进一步提高声波谐振器的效能。

技术领域

本申请涉及高频声波谐振器技术领域，尤其涉及一种声波谐振器及其制造方法。

背景技术

随着5G时代的来临，为了适应5G的工作频率和频段，对谐振器提出了高频率、高带宽、高耦合、高温度稳定性的性能要求；而谐振频率随温度漂移是影响谐振器性能的重要因素。

目前针对谐振频率随温度漂移的问题采取的方案是温度补偿，传统的温度补偿器件设计方案是在压电层底部增设一层温度补偿介质，但传统的温度补偿器件的耦合系数很低，使其效能大大降低。

发明内容

有鉴于此，本申请实施例提供了一种声波谐振器及其制造，旨在实现谐振器引入温度补偿的情况下保持较高的效能。

第一方面，本申请实施例提供了一种声波谐振器，所述声波谐振器包括：

衬底；

设置于所述衬底一侧表面的底层SiO₂层；

设置于所述底层SiO₂层背离所述衬底表面的压电层；

设置于所述压电层背离所述底层SiO₂层表面的顶层SiO₂层；

设置于所述压电层，和/或所述底层SiO₂层，和/或所述顶层SiO₂层的多个金属电极；

在所述衬底与所述底层SiO₂层之间形成释放腔。

可选的，所述设置于所述压电层，和/或所述底层SiO₂层，和/或所述顶层SiO₂层的多个金属电极，具体包括：

设置于所述压电层和所述顶层SiO₂层之间的多个金属电极。

可选的，所述设置于所述压电层，和/或所述底层SiO₂层，和/或所述顶层SiO₂层的多个金属电极，具体包括：

设置于所述顶层SiO₂层背离所述压电层表面的多个金属电极。

可选的，所述设置于所述压电层，和/或所述底层SiO₂层，和/或所述顶层SiO₂层的多个金属电极，具体包括：

分别设置于所述顶层SiO₂层背离所述压电层表面、所述底层SiO₂层背离所述压电层表面的多个金属电极。

可选的，所述设置于所述压电层，和/或所述底层SiO₂层，和/或所述顶层SiO₂层的多个金属电极，具体包括：

设置于所述底层SiO₂层背离所述压电层表面的多个金属电极。

可选的，所述金属电极的数量为2-400个。