[发明专利]一种声波谐振器及其制造方法在审
| 申请号： | 202310624711.5 | 申请日： | 2023-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN116566352A | 公开（公告）日： | 2023-08-08 |
| 发明（设计）人： | 左成杰;邓泽南;刘京松 | 申请（专利权）人： | 中国科学技术大学 |
| 主分类号： | H03H9/02 | 分类号： | H03H9/02;H03H9/64;H03H3/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 杨傥月 |
| 地址： | 230026 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 声波 谐振器 及其 制造 方法 | ||
1.一种声波谐振器，其特征在于，所述声波谐振器包括：
衬底；
设置于所述衬底一侧表面的底层SiO2层；
设置于所述底层SiO2层背离所述衬底表面的压电层；
设置于所述压电层背离所述底层SiO2层表面的顶层SiO2层；
设置于所述压电层，和/或所述底层SiO2层，和/或所述顶层SiO2层的多个金属电极；
在所述衬底与所述底层SiO2层之间形成释放腔。
2.根据权利要求1所述的声波谐振器，其特征在于，所述设置于所述压电层，和/或所述底层SiO2层，和/或所述顶层SiO2层的多个金属电极，具体包括：
设置于所述压电层和所述顶层SiO2层之间的多个金属电极。
3.根据权利要求1所述的声波谐振器，其特征在于，所述设置于所述压电层，和/或所述底层SiO2层，和/或所述顶层SiO2层的多个金属电极，具体包括：
设置于所述顶层SiO2层背离所述压电层表面的多个金属电极。
4.根据权利要求1所述的声波谐振器，其特征在于，所述设置于所述压电层，和/或所述底层SiO2层，和/或所述顶层SiO2层的多个金属电极，具体包括：
分别设置于所述顶层SiO2层背离所述压电层表面、所述底层SiO2层背离所述压电层表面的多个金属电极。
5.根据权利要求1所述的声波谐振器，其特征在于，所述设置于所述压电层，和/或所述底层SiO2层，和/或所述顶层SiO2层的多个金属电极，具体包括：
设置于所述底层SiO2层背离所述压电层表面的多个金属电极。
6.根据权利要求1-5任一项所述的声波谐振器，其特征在于，所述金属电极的数量为2-400个。
7.根据权利要求1-5任一项所述的声波谐振器，其特征在于，所述相邻的金属电极之间的距离为0.1um-20um；所述金属电极的厚度为20nm-1000nm；所述金属电极的宽度为0.1um-20um；所述金属电极的长度为1um-1000um。
8.根据权利要求1所述的声波谐振器，其特征在于，所述压电层为铌酸锂层，或钽酸锂层，或铌酸锂层、氮化铝层、掺钪氮化铝层、钽酸锂层和氧化锌层的复合层。
9.根据权利要求1所述的声波谐振器，其特征在于，所述压电层的厚度为10nm-5000nm。
10.一种声波谐振器的制作方法，其特征在于，所述方法包括：
提供一衬底；
在所述衬底一侧表面设置底层SiO2层；
在所述底层SiO2层背离所述衬底表面设置压电层；
在所述压电层背离所述底层SiO2层表面设置顶层SiO2层；
在所述压电层，和/或所述底层SiO2层，和/或所述顶层SiO2层设置多个金属电极；
利用释放剂在所述衬底与所述底层SiO2层之间形成释放腔，以得到所述声波谐振器。
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