[发明专利]组合芯片的制备方法及组合芯片

权利要求书

1.一种组合芯片的制备方法，其特征在于，包括：

将第一外延片使用光刻和刻蚀的方式，使所述第一外延片的第一外延衬底上预留出后续第二外延片和第三外延片大小的第一空位，其中所述第一外延片的结构包括依次层叠的第一外延衬底、N层、MQW层以及P层；

在刻蚀后的所述第一外延片的P层以及第一空位上生长Al₂O₃，然后对生长有Al₂O₃层的所述第一外延片进行抛光，使所述第一空位填充满被抛光的Al₂O₃；

在填充满被抛光的Al₂O₃的第一空位上键合第二外延片，使得生长有Al₂O₃的一面键合在一起，其中所述第二外延片的结构包括依次层叠的抛光后Al₂O₃层、N层、MQW层以及P层；

将所述第二外延片使用光刻和刻蚀的方式，露出第三外延片大小的第二空位到抛光后的Al₂O₃层并露出第一外延片的P层；

在刻蚀后的所述第二外延片的P层以及所述第二空位上生长Al₂O₃，然后对生长有Al₂O₃层的所述第二外延片进行抛光，使所述第二空位填充满被抛光的Al₂O₃；

在填充满被抛光的Al₂O₃的第二空位上键合第三外延片，使得生长有Al₂O₃的一面键合在一起，其中所述第三外延片的结构包括依次层叠的抛光后Al₂O₃层、P层、MQW层以及N层；以及

利用光刻和刻蚀的方式，刻蚀第三外延片，使得第三外延片的N层、第二外延片的P层、第一外延片的P层在最表面。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，对生长有Al₂O₃层的所述第一外延片进行抛光后，所述第一外延片的P层上的Al₂O₃层的厚度不大于500Å。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在利用光刻和刻蚀的方式，刻蚀第三外延片，使得第三外延片的N层、第二外延片的P层、第一外延片的P层在最表面之后，所述制备方法还包括：

分别制作所述第一外延片、所述第二外延片以及第三外延片的Mesa；以及

在所述第一外延片、所述第二外延片以及第三外延片的P层和N层制作P-Pad和N-Pad。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：

在所述第一外延片、所述第二外延片以及所述第三外延片的上表面蒸镀DBR层，并在所述DBR层刻蚀出相应的P-Pad和N-Pad导电孔；

在所述DBR层表面蒸镀接触电极，其中，所述接触电极分别覆盖DBR层中的P-Pad和N-Pad导电孔以导通所述第一外延片、所述第二外延片以及第三外延片。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述DBR层对波长范围在400nm~700nm的光有99%的反射。

6.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，在所述DBR层表面蒸镀接触电极后，所述制备方法还包括：

在所述第一外延片、所述第二外延片以及所述第三外延片之间刻蚀独立切割道。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，使用激光切割大切割道位置，将所述组合芯片作为一组进行分割。

8.根据权利要求1-7任一项所述的制备方法，其特征在于，所述第一外延片为蓝光外延片、所述第二外延片为绿光外延片、所述第三外延片为红光外延片。