[发明专利]低电位反馈的比较器

权利要求书

1.一种低电位反馈的比较器，其特征在于，包括：

前置放大级电路，所述前置放大级电路用于放大第一、二输入信号；

比较器电路，所述比较器电路用于接收第一、二输入信号进行电压比较，从而输出第一、二输出信号；

反馈模块，所述反馈模块用于接收第一、二输出信号的扰动信号，产生第一、二反馈信号反馈于第一、二输出信号，使得原为L或X状态的第一、二输出信号的电位拉低。

2.根据权利要求1所述的低电位反馈的比较器，其特征在于：所述前置放大级电路为差动放大电路。

3.根据权利要求1所述的低电位反馈的比较器，其特征在于：所述扰动信号包括正向电压扰动与负向电压扰动。

4.根据权利要求3所述的低电位反馈的比较器，其特征在于：所述比较器为P型差分对，反馈模块用于所述正向电压扰动或负向电压扰动。

5.根据权利要求4所述的低电位反馈的比较器，其特征在于：

所述前置放大级电路包括第一PMOS、第二PMOS、第三PMOS、第四NMOS和第五NMOS；

所述比较器电路包括第六NMOS和第七NMOS；其中，

所述第一PMOS的源极接电源电压，第一PMOS的栅极接偏置电压，第二PMOS的栅极接第一输入信号，第三PMOS的栅极接第二输入信号，第一PMOS的漏极分别与第二PMOS,第三PMOS的源极连接，第二PMOS的漏极与第四NMOS的漏极连接，第三PMOS的漏极与第五NMOS漏极连接；

所述第四NMOS的漏极与栅极短接，第四NMOS的栅极与第六NMOS的栅极连接，第五NMOS的漏极与栅极短接，第五NMOS的栅极与第七NMOS的栅极连接；第四NMOS、第五NMOS、第六NMOS、第七NMOS的源极依次连接且接电源地；

所述第六NMOS的漏极分别与第五NMOS的漏极、第三PMOS的漏极以及反馈模块的第二输入端连接，反馈模块的第二输出端分别与第五NMOS的漏极、第三PMOS的漏极连接；第七NMOS的漏极分别与第四NMOS的漏极、第二PMOS的漏极以及反馈模块的第一输入端连接，反馈模块的第一输出端分别与第四NMOS的漏极、第二PMOS的漏极连接。

6.根据权利要求5所述的低电位反馈的比较器，其特征在于：所述反馈模块包括第八PMOS、第九PMOS、第十PMOS、第十一NMOS、第十二NMOS、第十三NMOS、第十四NMOS和逻辑模块；其中，

所述第八PMOS、第九PMOS、第十PMOS的源极均接电源电压；

所述第八PMOS的栅极与漏极短接，第八PMOS的漏极接偏置电流，第八PMOS的栅极与第一PMOS的栅极连接，第九PMOS和第十PMOS的栅极均接偏置电压；

所述第九PMOS的漏极与第十一NMOS的漏极连接，第十PMOS的漏极与第十二NMOS的漏极连接，第十三NMOS的漏极分别与第六NMOS的漏极以及第五NMOS的漏极、第三PMOS的漏极连接，第十四NMOS的漏极分别与第七NMOS的漏极以及第四NMOS的漏极、第二PMOS的漏极连接；

所述第十一NMOS、第十二NMOS、第十三NMOS、第十四NMOS的源极均接电源地；

所述第十一NMOS的栅极与第二PMOS、第四NMOS的漏极连接，第十二NMOS的栅极与第三PMOS、第五NMOS的漏极连接；

所述逻辑模块的第一输入端与第九PMOS、第十一NMOS的漏极连接，逻辑模块的第一输出端与第十三NMOS的栅极连接；逻辑模块的第二输入端连接与第十PMOS和第十二NMOS的漏极连接，逻辑模块的第二输出端与第十四NMOS的栅极连接。

7.根据权利要求3所述的低电位反馈的比较器，其特征在于：所述比较器为P型差分对，反馈模块用于所述正向电压扰动和所述负向电压扰动。