[发明专利]一种主动散热基板及其制备方法

权利要求书

1.一种主动散热基板，其特征在于：

包括底板(10)、设置在所述底板上沿第一方向相对两侧的第一金属电极(22)和第二金属电极(24)，设置在所述第一金属电极(22)和所述第二金属电极(24)之间的散热单元(30)，以及覆盖在所述散热单元(30)顶部的导热板(40)；

所述散热单元(30)包括并列设置在所述第一金属电极(22)和所述第二金属电极(24)之间的N型半导体片(320N)和P型半导体片(320P)，以及分别与所述N型半导体片(320N)和所述P型半导体片(320P)连接的中间金属电极(322)；

所述N型半导体片(320N)与所述P型半导体片(320P)之间具有间隙，该间隙填充有填充介质(324)；

所述N型半导体片(320N)的侧面与所述第一金属电极(22)接触，所述P型半导体片(320P)的侧面与所述第二金属电极(24)接触。

2.根据权利要求1所述的主动散热基板，其特征在于：

所述中间金属电极(322)的顶面与所述第一金属电极(22)的顶面和所述第二金属电极(24)的顶面齐平；

所述P型半导体片(320P)的顶面的所述N型半导体片(320N)的顶面均与所述中间金属电极(322)的顶面齐平。

3.根据权利要求2所述的主动散热基板，其特征在于：

还包括设置在所述底板(10)沿所述第一方向相对两侧的第一导热侧板(52)和第二导热侧板(54)；

所述第一导热侧板(52)位于所述第一金属电极(22)的相对所述N型半导体片(320N)的另一侧，所述第二导热侧板(54)位于所述第二金属电极(24)的相对所述P型半导体片(320P)的另一侧。

4.根据权利要求3所述的主动散热基板，其特征在于：

所述第一导热侧板(52)和所述第二导热侧板(54)的横截面为方形、矩形、直角三角形或L型中的任一种。

5.根据权利要求1所述的主动散热基板，其特征在于：

所述散热单元(30)的数量为两个或以上，包括m个第一散热单元(32)和n个第二散热单元(34)；

所述第一散热单元(32)和所述第二散热单元(34)沿第二方向间隔排列在所述第一金属电极(22)和所述第二金属电极(24)之间，且各所述第一散热单元(32)和各所述第二散热单元(34)之间具有间隙；所述第一散热单元(32)中N型半导体片(320N)、P型半导体片(320P)的设置位置与所述第二散热单元(34)中N型半导体片(320N)、P型半导体片(320P)的设置位置相反；其中，m≥1，且n＝m，所述第二方向与所述第一方向的夹角为90°；

各所述第一散热单元(32)的N型半导体片(320N)的侧面与所述第一金属电极(22)接触，其P型半导体片(320P)的侧面与所述第二金属电极(24)接触；

各所述第二散热单元(34)的P型半导体片(320P)的侧面与所述第一金属电极(22)接触，其N型半导体片(320N)的侧面与所述第二金属电极(24)接触；

从排列在前端的第一个所述第一散热单元(32)开始，每个所述第一散热单元(32)与沿所述第二方向相邻的第二散热单元(34)之间的第一金属电极(22)断开，直至第m个所述第一散热单元(32)与第n个所述第二散热单元(34)之间的第一金属电极(22)断开；

从排列在前端的第一个所述第二散热单元(34)开始，每个所述第二散热单元(34)与沿所述第二方向相邻的第一散热单元(32)之间的第二金属电极(24)断开，直至第n-1个所述第二散热单元(34)与所述第m个所述第一散热单元(32)之间的第二金属电极(24)断开。