[发明专利]沟槽型MOS器件的制造方法

权利要求书

1.一种沟槽型MOS器件的制造方法，其特征在于，所述沟槽型MOS器件的制造方法包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底中形成有沟槽；所述沟槽表面覆盖有介质层，所述介质层延伸覆盖所述半导体衬底的表面；以及，所述沟槽中填充有多晶硅材料层，所述多晶硅材料层延伸覆盖所述沟槽外的所述介质层表面，并且所述多晶硅材料层中形成有空洞；

对所述多晶硅材料层执行化学机械研磨工艺，以去除所述沟槽外的所述介质层表面的所述多晶硅材料层；

对所述多晶硅材料层执行氧化工艺，以在所述多晶硅材料层的表面形成氧化硅层；

去除所述氧化硅层，以打开所述空洞；

清洗所述多晶硅材料层；以及，

刻蚀所述多晶硅材料层以形成沟槽型栅极。

2.如权利要求1所述的沟槽型MOS器件的制造方法，其特征在于，多次执行所述对所述多晶硅材料层执行氧化工艺，以在所述多晶硅材料层的表面形成氧化硅层的步骤以及所述去除所述氧化硅层的步骤，其中，至少最后一次执行所述去除所述氧化硅层的步骤后，打开所述空洞。

3.如权利要求1所述的沟槽型MOS器件的制造方法，其特征在于，采用氧化液对所述多晶硅材料层执行氧化工艺，以在所述多晶硅材料层的表面形成氧化硅层。

4.如权利要求3所述的沟槽型MOS器件的制造方法，其特征在于，所述氧化液包括过氧化氢。

5.如权利要求1所述的沟槽型MOS器件的制造方法，其特征在于，利用蚀刻液去除所述氧化硅层，以打开所述空洞。

6.如权利要求5所述的沟槽型MOS器件的制造方法，其特征在于，所述蚀刻液包括氟化氢。

7.如权利要求1～6中任一项所述的沟槽型MOS器件的制造方法，其特征在于，在所述对所述多晶硅材料层执行氧化工艺，以在所述多晶硅材料层的表面形成氧化硅层的步骤之后，所述沟槽型MOS器件的制造方法还包括：对所述氧化硅层执行第一湿法清洗工艺；

在所述去除所述氧化硅层，以打开所述空洞的步骤之后，所述沟槽型MOS器件的制造方法还包括：对所述多晶硅材料层执行第二湿法清洗工艺。

8.如权利要求1～6中任一项所述的沟槽型MOS器件的制造方法，其特征在于，采用清洗液和/或清洗气体执行所述清洗所述多晶硅材料层的步骤。

9.如权利要求1～6中任一项所述的沟槽型MOS器件的制造方法，其特征在于，在所述去除所述氧化硅层，以打开所述空洞的步骤中，所述空洞的底部低于所述半导体衬底的表面且所述空洞的顶部高于所述半导体衬底的表面。

10.如权利要求1～6中任一项所述的沟槽型MOS器件的制造方法，其特征在于，在所述去除所述氧化硅层，以打开所述空洞的步骤中，所述多晶硅材料层的顶面与所述介质层的表面齐平或者低于所述介质层的表面，并且所述多晶硅材料层的顶面高于所述半导体衬底的表面。