[发明专利]一种电容加载型基片集成波导均衡器在审
| 申请号: | 202310175831.1 | 申请日: | 2023-02-28 |
| 公开(公告)号: | CN116417765A | 公开(公告)日: | 2023-07-11 |
| 发明(设计)人: | 彭浩;张臣;杨洋;刘宇;周翼鸿;杨涛 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
| 主分类号: | H01P1/20 | 分类号: | H01P1/20 |
| 代理公司: | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人: | 闫树平 |
| 地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 电容 加载 型基片 集成 波导 均衡器 | ||
1.一种等效电容加载的基片集成波导均衡器,包括SIW本体、渐变过渡线、50Ω微带线、陶瓷基板和用于固定陶瓷基片的绝缘压块;SIW本体的两端各通过一段渐变过渡线与50Ω微带线相连,其特征在于:
所述SIW本体宽边中心连线的两侧各设置有四排金属化通孔,两侧最靠近宽边中心连线的两排金属化通孔的孔心距均为Ws,长边单侧相邻两排金属化通孔的孔心距为d,SIW本体长边长为Ls,渐变过渡线位于SIW本体宽边正中部分,其长度为Lt,渐变线与SIW本体宽边的衔接边长度为Wt,与50Ω微带线连接的一端宽度为W;所述金属化通孔直径为dvp,SIW本体长边单侧相邻两个金属化通孔的孔心距为svp,50Ω微带线宽度为W;
所述SIW本体长边单侧开设有1个贯通了SIW本体表面金属层的槽;槽位于靠近SIW本体宽边的中心连线位置,槽的上方设有陶瓷基板;陶瓷基板中心点与槽的中心点在该槽的垂直方向上对齐;陶瓷基板的顶面或底面设有面电阻层,其尺寸略大于槽,使其能完全覆盖住槽;
所述绝缘压块放置在陶瓷基板上,以使陶瓷基片和SIW本体紧密接触。
2.根据权利要求1所述的一种等效电容加载的基片集成波导均衡器,其特征在于:所述槽由两个等腰三角形和一个矩形构成;两个等腰三角形通过矩形相连后形成两头小、中间大的梭形结构,矩形长边与电磁波传播方向平行,两个等腰三角形分别位于矩形的两个宽边上,且它们的底边各与矩形的一个宽边重合,顶角指向方向相反。
3.根据权利要求2所述的一种等效电容加载的基片集成波导均衡器,其特征在于:构成槽的两个等腰三角形的顶角均做倒圆角处理,圆的半径为R。
4.根据权利要求2所述的一种等效电容加载的基片集成波导均衡器,其特征在于:所述矩形的长边长为Lsr,宽边长为Wsr,且WsrWs/2;两个等腰三角形的高均为Lsrt,Lsrt应满足Lsr+2*LsrtLs。
5.根据权利要求1~4任一项所述的一种等效电容加载的基片集成波导均衡器,其特征在于:所述绝缘压块材料为聚四氟乙烯。
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