[发明专利]复用电极的电容式MEMS装置及其自检方法在审
| 申请号: | 202310132468.5 | 申请日: | 2023-02-14 |
| 公开(公告)号: | CN116143067A | 公开(公告)日: | 2023-05-23 |
| 发明(设计)人: | 威特•弗雷克;威廉姆斯•凯特;黄莉 | 申请(专利权)人: | 美新半导体(天津)有限公司 |
| 主分类号: | B81C99/00 | 分类号: | B81C99/00;G01C19/00;G01C25/00 |
| 代理公司: | 苏州简理知识产权代理有限公司 32371 | 代理人: | 庞聪雅 |
| 地址: | 300450 天津市滨海新区自贸试验*** | 国省代码: | 天津;12 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用电 电容 mems 装置 及其 自检 方法 | ||
本发明提供一种电容式MEMS装置及其自检方法。所述电容式MEMS装置包括:MEMS器件,其包括检测电容,所述检测电容包括第一电极、第二电极和质量块;检测电路;与第一电极耦接的第一开关电路;与第二电极耦接的第二开关电路。在自检的第一阶段时,第一开关电路将第一电极耦接至第一电源端,第二开关电路将第二电极耦接至第二电源端;在自检的第二阶段时,第一开关电路将第一电极耦接至所述检测电路的第一输入端,第二开关电路将第二电极耦接至所述检测电路的第二输入端,所述检测电路对第一电极和第二电极的信号进行检测并输出自检响应信号,基于所述自检响应信号确定所述MEMS器件是否功能正常。这样,不需要增加额外的自检电极就可以完成自检。
【技术领域】
本发明涉及MEMS(Micro-Electro-Mechanical System,微机电系统)器件领域,尤其涉及一种电容式MEMS装置及其自检方法。
【背景技术】
为了保证MEMS装置的正常系统,所述MEMS装置通常都包括有自检系统。现有技术中,MEMS装置的自检都是通过使用一对额外的自检电极,并在此对自检电极上施加电压来产生静电力完成的。额外设置的自检电极带来了电路面积的增加,提高了生产成本。此外,现有的MEMS装置还需要设置单独的自检电路,这同样提高了成本。
因此,亟需提出一种新的技术方案来解决上述问题。
【发明内容】
本发明的目的之一在于提供一种复用电极的电容式MEMS装置以及其自检方法,其不需要增加任何额外电极就可以完成MEMS装置的自检,避免了增加额外电极带来的电路面积增加。
为解决上述问题,根据本发明的一个方面,本发明提出一种电容式MEMS装置,其包括:MEMS器件,其包括检测电容,所述检测电容包括第一电极、第二电极和质量块;检测电路,其包括第一输入端、第二输入端和输出端;与第一电极耦接的第一开关电路,其选择性的将第一电极耦接至所述检测电路的第一输入端或第一电源端;与第二电极耦接的第二开关电路,其选择性的将第二电极耦接至所述检测电路的第二输入端或第二电源端;在自检的第一阶段时,控制第一开关电路将第一电极耦接至第一电源端,控制第二开关电路将第二电极耦接至第二电源端;在自检的第二阶段时,控制第一开关电路将第一电极耦接至所述检测电路的第一输入端,控制第二开关电路将第二电极耦接至所述检测电路的第二输入端,所述检测电路对第一电极和第二电极的信号进行检测并输出自检响应信号,基于所述自检响应信号确定所述MEMS器件是否功能正常。
根据本发明的另一个方面,本发明提出一种基于上述电容式MEMS装置的自检方法,其包括:在自检的第一阶段时,控制第一开关电路将第一电极耦接至第一电源端,控制第二开关电路将第二电极耦接至第二电源端;在自检的第二阶段时,控制第一开关电路将第一电极耦接至所述检测电路的第一输入端,控制第二开关电路将第二电极耦接至所述检测电路的第二输入端,所述检测电路对第一电极和第二电极的信号进行检测并输出自检响应信号,基于所述自检响应信号确定所述MEMS器件是否功能正常。
与现有技术相比,本发明通过复用检测电容的电极,通过所述检测电容的电极进行自检,这样就不需要增加任何额外电极就可以完成MEMS装置的自检,避免了增加额外电极带来的电路面积增加。此外,还可以提高了MEMS器件的灵敏度。
【附图说明】
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其它的附图。其中:
图1为本发明中的电容式MEMS装置在一个实施例中的结构示意图;
图2为本发明中的电容式MEMS装置在自检的第一阶段时的结构示意图;
图3为本发明中的电容式MEMS装置在自检的第二阶段时的结构示意图;
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