[实用新型]电源监测电路、电源管理系统和存储主控芯片

权利要求书

1.一种电源监测电路，其特征在于，包括：

电位保持单元，所述电位保持单元的输入端连接电源供应端，用于输入电源电压；

电压跟随单元，所述电压跟随单元的第一输入端连接所述电源供应端，所述电压跟随单元的第二输入端与所述电位保持单元的输出端连接；

第一反向单元，所述第一反向单元的第一输入端连接所述电源供应端，所述第一反向单元的第二输入端与所述电压跟随单元的输出端连接；

第二反向单元，所述第二反向单元的第一输入端连接所述电源供应端，所述第二反向单元的第二输入端与所述第一反向单元的输出端连接，所述第二反向单元的输出端用于连接系统模块的使能端；

其中，当监测的电源电压高于开启电压时，因所述电压跟随单元输出高电平信号，令所述第二反向单元输出与所述第一反向单元相反的高电平信号使系统模块启动；当监测的电源电压低于开启电压时，因所述电压跟随单元输出低电平信号，令所述第二反向单元输出与所述第一反向单元相反的低电平信号使系统模块关闭。

2.根据权利要求1所述的电源监测电路，其特征在于，所述电位保持单元包括第一PMOS管和第一NMOS管，所述第一PMOS管的源极与所述电源供应端连接，所述第一PMOS管的栅极分别与所述第一PMOS管的漏极和所述第一NMOS管的栅极连接，所述第一NMOS管的漏极与所述电压跟随单元的第二输入端连接，所述第一NMOS管的源极接地。

3.根据权利要求2所述的电源监测电路，其特征在于，所述电压跟随单元包括第二PMOS管和电阻，所述第二PMOS管的源极与所述电源供应端连接，所述第二PMOS管的栅极连接所述第一NMOS管的漏极，所述第二PMOS管的漏极与所述第一反向单元的第二输入端连接，也通过所述电阻接地。

4.根据权利要求3所述的电源监测电路，其特征在于，所述第一反向单元包括第三PMOS管和第二NMOS管，所述第三PMOS管的源极与所述电源供应端连接，所述第三PMOS管的栅极分别与所述第二PMOS管的漏极、所述电阻的一端和所述第二NMOS管的栅极连接，所述第三PMOS管的漏极与所述第二NMOS管的漏极和所述系统模块的使能端连接，所述第二NMOS管的源极接地。

5.根据权利要求4所述的电源监测电路，其特征在于，所述第二反向单元包括第四PMOS管和第三NMOS管，所述第四PMOS管的源极与所述电源供应端连接，所述第四PMOS管的栅极分别与所述第三PMOS管的漏极、所述第二NMOS管的漏极和所述第三NMOS管的栅极连接，所述第四PMOS管的漏极与所述第三NMOS管的漏极连接，所述第三NMOS管的源极接地。

6.根据权利要求1所述的电源监测电路，其特征在于，还包括：

迟滞单元，所述迟滞单元的一端与所述第一反向单元的输出端连接，所述迟滞单元的另一端与所述第二反向单元的输出端连接，其中，当监测的电源电压低于最低开启电压时，因所述电压跟随单元输出低电平信号，令所述第二反向单元输出与所述第一反向单元相反的低电平信号使系统模块关闭，延迟所述第二反向单元的电平翻转时间，实现施密特迟滞窗口。

7.根据权利要求6所述的电源监测电路，其特征在于，所述迟滞单元包括第四NMOS管，所述第四NMOS管的栅极连接第二反向单元的输出端，所述第四NMOS管的漏极连接所述第一反向单元的输出端和第二反向单元的第二输入端，所述第四NMOS管的源极接地。

8.一种电源管理系统，其特征在于：包括如权利要求1～7中任意一项所述的电源监测电路。

9.一种存储主控芯片，其特征在于：包括如权利要求8所述的电源管理系统。