[实用新型]一种自建脉冲磁场发生及控制电路

权利要求书

1.一种自建脉冲磁场发生及控制电路，其特征在于：包括电源控制模块、MCU处理器、激励信号控制模块、驱动模块、磁场发生模块和检测模块，所述电源控制模块的输出端与所述MCU处理器的输入端电性连接，所述MCU处理器的输出端与所述激励信号控制模块和所述检测模块的输入端电性连接，所述激励信号控制模块的输入端与所述驱动模块的输入端电性连接，所述驱动模块的输出端与所述磁场发生模块的输入端电性连接。

2.根据权利要求1所述的一种自建脉冲磁场发生及控制电路，其特征在于：所述电源控制模块包括芯片U22，所述芯片U22的1引脚、8引脚、16引脚和17引脚均接地，所述芯片U22的9引脚串联有电阻R46，所述芯片U22的10引脚串联有电阻R47，所述芯片U22的7引脚串联有电阻R48，所述芯片U22的5引脚连接有电容C94，所述电容C94串联有电阻R41，所述电阻R41连接有VCCOUT1端，所述电阻R41连接有电阻R40，所述电阻R40连接有电阻R45，所述电阻R40连接有电容C92，所述芯片U22的13引脚连接诶有二极管D5，所述芯片U22的2引脚连接有电容C93，所述电容C93连接有电阻R42，所述芯片U22的3引脚连接有电容C95，所述芯片U22的15引脚连接有电感L3，所述电感L3连接有三极管Q5，所述三极管Q5的3引脚连接有电阻R44，所述电阻R44连接有三极管Q6，所述三极管Q6连接有电阻R49和电阻R50，所述电阻R49连接有VINcontrol端，所述三极管Q5的4引脚连接有电容C91，所述电容C91连接有电容C90，所述电容C90连接有VBAT端。

3.根据权利要求2所述的一种自建脉冲磁场发生及控制电路，其特征在于：所述MCU处理器包括芯片U7，所述芯片U7的11引脚连接有电阻R17，所述电阻R17与VBAT端连接。

4.根据权利要求3所述的一种自建脉冲磁场发生及控制电路，其特征在于：所述激励信号控制模块包括光耦U1和芯片U2，所述光耦U1通过S1引脚与所述芯片U7连接，所述光耦U1的4引脚连接有电阻R1，所述电阻R1通过VCC_RF引脚与所述芯片U2连接，所述光耦U1的3引脚连接诶有电阻R2和电阻R5，所述电阻R5并联有电容C5，所述电容C5连接有三极管Q2和三极管Q3，所述三极管Q2的集电极连接有电容C3，所述电容C3连接有电容C1，所述三极管Q2的发射极连接有电阻R4。

5.根据权利要求4所述的一种自建脉冲磁场发生及控制电路，其特征在于：所述驱动模块包括三极管Q1，所述三极管Q1通过S2引脚与所述电阻R4连接，所述三极管Q1的2引脚连接有电容C4，所述电容C4连接有电解电容C2，所述电解电容C2连接有电解电容CA1，所述磁场发生模块包括电感L1，所述电感L1的3引脚与所述三极管Q1的3引脚连接，所述电感L1的1引脚连接有电阻R6。

6.根据权利要求5所述的一种自建脉冲磁场发生及控制电路，其特征在于：所述检测模块包括放大器U15，所述放大器U15的2引脚连接电解电容C60，所述电解电容C60连接有电阻R28，所述电阻R28通过TEST引脚与所述电阻R3连接，所述放大器U15的3引脚连接有电阻R29和二极管DA2，所述电阻R29接地，所述二极管DA2串联有二极管DA1，所述二极管DA1连接有电阻R27，所述电阻R27连接有电阻R26和电容C57，所述电容C57接地，所述电阻R26连接有电解电容C52，所述电解电容U52连接有电容C56，所述放大器U15的6引脚连接有电阻R30和电阻R31，所述电阻R30连接有电容C61，所述电阻R31，连接有电容R32，所述电容R32通过Sample引脚与所述芯片U7连接。