[实用新型]光电二极管及其阵列、放射性探测器及其阵列及检测装置

权利要求书

1.一种光电二极管，其特征在于，设置于半导体衬底内，所述光电二极管包括：

第一掺杂区；

第二掺杂区，与所述半导体衬底形成PN结，所述第二掺杂区和所述第一掺杂区的导电类型不同；

第一电极，与所述第一掺杂区电连接；

第二电极，与所述第二掺杂区电连接，且所述第一电极和所述第二电极中，至少一个为金属氧化物电极；

透明覆盖层，覆盖所述半导体衬底、所述第一掺杂区和所述第二掺杂区，且覆盖所述第一电极和所述第二电极中的金属氧化物电极。

2.根据权利要求1所述的光电二极管，其特征在于，所述光电二极管还包括：

至少一个第一电极引出区，与所述第一电极电连接；

至少一个第二电极引出区，与所述第二电极电连接；

其中，所述第一电极引出区以及所述第二电极引出区在所述衬底的层厚方向的投影均与所述第一掺杂区、所述第二掺杂区不重叠。

3.根据权利要求2所述的光电二极管，其特征在于，所述第一电极和所述第二电极均为金属氧化物电极；所述透明覆盖层开设有多个第一开孔和多个第二开孔；

一个所述第一电极引出区至少部分裸露于一个所述第一开孔中；

一个所述第二电极引出区至少部分裸露于一个所述第二开孔中。

4.根据权利要求2所述的光电二极管，其特征在于，

所述第一电极引出区与所述第一电极同层同材料；

所述第二电极引出区与所述第二电极同层同材料。

5.根据权利要求2所述的光电二极管，其特征在于，所述第一电极引出区的数量为两个，两个所述第一电极引出区分布于所述第一电极的相对两侧；

所述第二电极引出区的数量为两个，两个所述第二电极引出区分布于所述第二电极的相对两侧。

6.根据权利要求1所述的光电二极管，其特征在于，构成所述金属氧化物电极的材料包括氧化铟锡或氧化铟锌。

7.根据权利要求6所述的光电二极管，其特征在于，所述第一电极和所述第二电极均为金属氧化物电极，所述第一电极设置于所述半导体衬底上至少部分覆盖所述第一掺杂区；

所述第二电极设置于所述半导体衬底上至少部分覆盖所述第二掺杂区。

8.根据权利要求7所述的光电二极管，其特征在于，所述第一电极叠置于所述第一掺杂区，并完全覆盖所述第一掺杂区；

所述第二电极叠置于所述第二掺杂区，并完全覆盖所述第二掺杂区。

9.根据权利要求1～8中任一项所述的光电二极管，其特征在于，所述透明覆盖层的材料包括氮化硅和二氧化硅。

10.一种光电二极管阵列，其特征在于，包括：

半导体衬底；

多个权利要求1～9中任一项所述的光电二极管，设置于所述半导体衬底内呈阵列分布。

11.一种放射性探测器阵列，其特征在于，包括权利要求10所述的光电二极管阵列。

12.一种放射线探测器，其特征在于，包括：

壳体，

如权利要求11所述的放射性探测器阵列，所述放射性探测器阵列设置于所述壳体内。

13.一种检测装置，其特征在于，包括：

发射机构，用于向待测物体发射检测放射线；

如权利要求12所述的放射线探测器，所述放射线探测器用于接收所述检测放射线经过所述待测物体透射后的检测放射线。