[发明专利]半导体结构及其制作方法、检测方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

衬底；

第一介质层，位于所述衬底上，且所述衬底以及所述第一介质层被划分为沿第一方向分布的第一区域和第二区域；所述第一方向垂直于第二方向，所述第二方向为所述衬底的厚度方向；

多个第一导电通孔结构，位于所述第一区域以及所述第二区域中，每个所述第一导电通孔结构沿所述第二方向从所述第一介质层延伸至所述衬底中；

至少一个检测结构，所述至少一个检测结构位于所述第二区域中，每个所述检测结构均包括一个所述第一导电通孔结构以及至少一个第二导电通孔结构，每个所述第二导电通孔结构沿所述第二方向从所述第一介质层延伸至所述衬底中；所述检测结构用于检测所述第一导电通孔结构的漏电情况；

第二介质层，位于所述衬底以及所述第一导电通孔结构之间。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一导电通孔结构延伸至所述衬底的深度大于所述第二导电通孔结构延伸至所述衬底的深度。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，每个所述检测结构均包括一个第一导电通孔结构以及多个第二导电通孔结构。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一导电通孔结构的材料以及所述第二导电通孔结构的材料均包括金属材料，且所述第一导电通孔结构的材料与所述第二导电通孔结构的材料相同或不同。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：第三导电通孔结构，所述第三导电通孔结构与所述第二导电通孔结构的结构基本相同。

6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一区域包括器件区域，所述第二区域包括切割道区域。

7.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二导电通孔结构包括沿第二方向依次堆叠的第一子导电通孔结构、第二子导电通孔结构、第三子导电通孔结构，所述第一子导电通孔结构位于所述衬底中，所述第二子导电通孔结构以及所述第三子导电通孔结构位于所述第一介质层中。

8.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括重布线层，所述重布线层形成在第一介质层中与所述第一导电通孔结构和所述第二导电通孔结构接触，所述重布线层包括多个导电焊盘，且每个所述第一导电通孔结构以及每个所述第二导电通孔结构上均设置有一个导电焊盘。

9.一种半导体结构的检测方法，其特征在于，所述方法包括：

提供如权利要求1-8任一项所述的半导体结构；

检测所述检测结构中的第一导电通孔结构和第二导电通孔结构之间的漏电参数；

根据所述漏电参数判断所述第一导电通孔结构是否存在漏电。

10.根据权利要求9所述的检测方法，其特征在于，所述漏电参数包括漏电流。

11.根据权利要求10所述的检测方法，其特征在于，所述漏电参数为漏电流；所述根据所述漏电参数判断所述第一导电通孔结构是否存在漏电，包括：

当所述漏电流大于0时，所述第一导电通孔结构存在漏电；

当所述漏电流等于0时，所述第一导电通孔结构不存在漏电。

12.根据权利要求9所述的检测方法，其特征在于，每个所述检测结构均包括一个第一导电通孔结构以及多个第二导电通孔结构；

所述检测所述检测结构中的第一导电通孔结构和第二导电通孔结构之间的漏电参数，包括：

检测所述检测结构中的第一导电通孔结构和每个第二导电通孔结构之间的漏电参数，得到多个漏电参数；

所述根据所述漏电参数判断所述第一导电通孔结构是否存在漏电，包括：

根据多个所述漏电参数判断所述第一导电通孔结构是否存在漏电。