[发明专利]一种低渗流阈值的导电高分子复合材料的制备方法

权利要求书

1.一种低渗流阈值的导电高分子复合材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)将液态金属及其他金属混合，加热，使液态金属及其他金属融化形成熔体；

(2)将所述熔体冷却进行重结晶，获得结晶性导电填料；

(3)将所述结晶性导电填料与高分子基体混合，经加工成型，获得所述导电高分子复合材料。

2.根据权利要求1所述的低渗流阈值的导电高分子复合材料的制备方法，其特征在于，所述导电高分子复合材料的渗流阈值为体积分数5％～30％。

3.根据权利要求1所述的低渗流阈值的导电高分子复合材料的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述液态金属及其他金属的体积份数比为5～95：0～70；其中，不包括端点值。

4.根据权利要求1所述的低渗流阈值的导电高分子复合材料的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述液态金属为镓、锌、铋、铟、锡、铝中的至少一种单质，或者两种及以上元素的合金。

5.根据权利要求1所述的低渗流阈值的导电高分子复合材料的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述其他金属为金、银、铜、锌、汞、铂、镉、铝、铁、钴、镍、镓、铟、锡、铋、铅、铬、碲、铯、钛、钒、镧系、锕系、钪、铱、钨、钇、锂、锰、镁、锑、铊、钙、钠、钾、铷、铯、钫、铍、锶、钡、镭、锗、钋、锆、铌、钼、锝、钌、铑、钯、铈、镨、钕、钷、钐、铕、钆、铽、镝、钬、铒、铥、镱、镥、铪、钽、铼、锇、钍、镤、铀、镎、钚、镅、锔、锫、锎、锿、镄、钔、锘、铹中的至少一种单质，或者两种及以上元素的合金。

6.根据权利要求1所述的低渗流阈值的导电高分子复合材料的制备方法，其特征在于，步骤(3)中，所述高分子基体的体积份数为5～95份。

7.根据权利要求1所述的低渗流阈值的导电高分子复合材料的制备方法，其特征在于，步骤(3)中，还包括功能添加剂，所述功能添加剂的体积份数为0～5份。

8.根据权利要求1所述的低渗流阈值的导电高分子复合材料的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，所述结晶性导电填料的微观形貌为球状、针状、棒状、片状、五角星、或雪花状。

9.根据权利要求1所述的低渗流阈值的导电高分子复合材料的制备方法，其特征在于，步骤(3)中，所述高分子基体为热塑性树脂、热固性树脂或橡胶。