[发明专利]包括应力层的横向双极结型晶体管以及方法

权利要求书

1.一种结构，其特征在于，包括：

晶体管，包括：基极；集极；以及发射极，其中，该基极横向位于该集极与该发射极间；以及

第一介电层，部分覆盖该晶体管，其中，该第一介电层的一端位于该集极与该发射极间的该晶体管之上。

2.如权利要求1所述的结构，其特征在于，该第一介电层包括应力层。

3.如权利要求1所述的结构，其特征在于，该第一介电层包括具有拉伸应变及压缩应变的其中之一的氮化硅层。

4.如权利要求1所述的结构，其特征在于，该晶体管包括NPN型异质结双极型晶体管，且该第一介电层包括拉伸应变层。

5.如权利要求1所述的结构，其特征在于，该晶体管包括PNP型异质结双极型晶体管，且该第一介电层包括压缩应变层。

6.如权利要求1所述的结构，其特征在于，该第一介电层覆盖该集极并至少部分覆盖该基极。

7.如权利要求6所述的结构，其特征在于，还包括第二介电层，该第二介电层位于该第一介电层上并进一步横向延伸超出位于该发射极上方的该第一介电层的该端。

8.一种结构，其特征在于，包括：

绝缘体层；

半导体层，位于该绝缘体层上；

晶体管，包括：

基极，包括：位于该半导体层内的第一基极区；位于该第一基极区上的第二基极区；以及位于该第二基极区上并宽于该第二基极区的第三基极区；

集极；以及发射极，其中，该基极横向位于该集极与该发射极间，其中，该集极及该发射极包括第一半导体材料，以及其中，至少该第二基极区包括不同于该第一半导体材料的第二半导体材料；以及

第一介电层，部分覆盖该晶体管，其中，该第一介电层的一端位于该集极与该发射极间的该晶体管之上。

9.如权利要求8所述的结构，其特征在于，该第一介电层包括应力层。

10.如权利要求8所述的结构，其特征在于，该第一介电层包括具有拉伸应变及压缩应变的其中之一的氮化硅层。

11.如权利要求10所述的结构，其特征在于，该晶体管包括NPN型异质结双极型晶体管，且该第一介电层包括拉伸应变层。

12.如权利要求10所述的结构，其特征在于，该晶体管包括PNP型异质结双极型晶体管，且该第一介电层包括压缩应变层。

13.如权利要求8所述的结构，其特征在于，该第一介电层覆盖该集极并至少部分覆盖该基极。

14.如权利要求13所述的结构，其特征在于，还包括第二介电层，该第二介电层位于该第一介电层上并进一步横向延伸超出位于该集极上方的该第一介电层的该端。

15.一种方法，其特征在于，包括：

形成晶体管，该晶体管包括：基极；集极；以及发射极，其中，该基极横向位于该集极与该发射极间；以及

形成部分覆盖该晶体管的第一介电层，其中，该第一介电层的一端位于该集极与该发射极间的该晶体管之上。

16.如权利要求15所述的方法，其特征在于，

该晶体管的该形成包括形成NPN型异质结双极型晶体管，以及

其中，该第一介电层的该形成包括形成拉伸应变层。

17.如权利要求15所述的方法，其特征在于，

该晶体管的该形成包括形成PNP型异质结双极型晶体管，以及

其中，该第一介电层的该形成包括形成压缩应变层。