[发明专利]半导体装置、逆变器电路、驱动装置、车辆以及升降机

权利要求书

1.一种半导体装置，具备多个晶体管区域和至少一个二极管区域，

所述多个晶体管区域包含：

碳化硅层，具有第一面和与所述第一面对置的第二面，所述碳化硅层包含：

n型的第一碳化硅区域，具有与所述第一面相接的多个第一部分；

p型的第二碳化硅区域，设置于所述第一碳化硅区域与所述第一面之间；和

n型的第三碳化硅区域，设置于所述第二碳化硅区域与所述第一面之间；

第一电极，与所述多个第一部分、所述第二碳化硅区域以及所述第三碳化硅区域相接；

第二电极，与所述第二面相接；

栅极电极，与所述第二碳化硅区域对置；以及

栅极绝缘层，设置于所述栅极电极与所述第二碳化硅区域之间，

所述至少一个二极管区域包含：

所述碳化硅层，包含：具有与所述第一面相接的多个第二部分的n型的所述第一碳化硅区域；和设置于所述第一碳化硅区域与所述第一面之间的p型的第四碳化硅区域；

所述第一电极，与所述多个第二部分以及所述第四碳化硅区域相接；以及

所述第二电极，

投影到所述第一面的所述第四碳化硅区域的每单位面积的占有面积，大于投影到所述第一面的所述第二碳化硅区域的所述每单位面积的占有面积，

作为所述至少一个二极管区域之一的第一二极管区域设置于作为所述多个晶体管区域之一的第一晶体管区域与作为所述多个晶体管区域之一的第二晶体管区域之间，该第二晶体管区域相对于所述第一晶体管区域设置于与所述第一面平行的第一方向。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，

所述第一电极和所述第四碳化硅区域的所述每单位面积的接触面积，大于所述第一电极和所述第二碳化硅区域的所述每单位面积的接触面积。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，

将所述第四碳化硅区域夹在中间而相邻的2个所述多个第二部分之间的第二距离，等于将所述第二碳化硅区域夹在中间而相邻的2个所述多个第一部分之间的第一距离。

4.根据权利要求1或2所述的半导体装置，

将所述第四碳化硅区域夹在中间而相邻的2个所述第二部分之间的第二距离，大于将所述第二碳化硅区域夹在中间而相邻的2个所述第一部分之间的第一距离。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，

所述第二距离为所述第一距离的2倍以下。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置，

所述碳化硅层还包含：第五碳化硅区域，设置在所述第一碳化硅区域与所述第二碳化硅区域之间，且n型杂质浓度比所述第一碳化硅区域的n型杂质浓度高；以及第六碳化硅区域，设置在所述第一碳化硅区域与所述第四碳化硅区域之间，且n型杂质浓度比所述第一碳化硅区域的n型杂质浓度高。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，

所述第六碳化硅区域的n型杂质浓度低于所述第五碳化硅区域的n型杂质浓度。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的半导体装置，

所述第四碳化硅区域的深度比所述第二碳化硅区域的深度深。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的半导体装置，

所述第四碳化硅区域的p型杂质浓度高于所述第二碳化硅区域的p型杂质浓度。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的半导体装置，

所述栅极电极在与所述第一面平行且与所述第一方向正交的第二方向上延伸。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的半导体装置，

在作为所述至少一个二极管区域之一的第二二极管区域与所述第一二极管区域之间设置所述第一晶体管区域。