[发明专利]一种LED芯片结构及制备方法在审
| 申请号： | 202211000763.7 | 申请日： | 2022-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN115332430A | 公开（公告）日： | 2022-11-11 |
| 发明（设计）人： | 邓群雄;郭文平;韩奎;王晓宇 | 申请（专利权）人： | 元旭半导体科技（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/62 | 分类号： | H01L33/62;H01L33/44;H01L33/00 |
| 代理公司： | 无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙) 32260 | 代理人： | 朱晓林 |
| 地址： | 214000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 led 芯片 结构 制备 方法 | ||
1.一种LED芯片结构，包括LED基层结构，其特征在于：所述LED基层结构上对应P/N位置设有导电柱，所述导电柱与所述LED基层机构之间设有支撑层，所述支撑层与所述导电柱的高度适应所述LED基层结构的大小。
2.根据权利要求1所述的一种LED芯片结构，其特征在于，所述支撑层的高度范围为5～60μm。
3.根据权利要求1所述的一种LED芯片结构，其特征在于，所述LED基层结构的透光部分设有表面粗化的N型GaN层。
4.根据权利要求1所述的一种LED芯片结构，其特征在于，所述导电柱一端与所述LED基层结构的P/N极相连，所述导电柱的另一端形成有导电键合层。
5.根据权利要求4所述的一种LED芯片结构，其特征在于，所述导电柱设置为铜柱。
6.根据权利要求1所述的一种LED芯片结构，其特征在于，所述支撑层可以为PI光刻胶、PBO光刻胶、光敏性干膜、非光敏性聚酰亚胺、ABF干膜或树脂中一种或者多种混合材料。
7.根据权利要求1所述的一种LED芯片结构，其特征在于，所述LED基层结构由下而上分别为N型GaN层、发光层、Al GaN薄膜层、P型GaN层、ITO层和DBR绝缘层。
8.一种LED芯片制造方法，应用于如权利要求1-7任一所述的LED芯片结构，其特征在于，包括以下步骤：
步骤一：在基底上的LED基层结构上生成电镀种子层和光刻胶层；
步骤二：通过显影工艺，在P/N极位置将所述光刻胶层显影出开口；
步骤三：在开口内电镀Cu柱；
步骤四：在Cu柱顶部电镀金属键合层；
步骤五：通过去胶工艺去除光刻胶层，然后腐蚀去除裸露出的种子层；
步骤六：在步骤五中的光刻胶层位置形成支撑层；
步骤七：去除基底，暴露出底部N型GaN层。
9.根据权利要求6所述的一种LED芯片制造方法，其特征在于，所述制造方法还包括：
步骤八：通过光刻和刻蚀技术对暴露的N型GaN层做表面粗化。
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