[发明专利]一种钒酸铋基光生阴极保护涂层的制备方法和应用

权利要求书

1.一种钒酸铋基光生阴极保护涂层的制备方法，包括：

在BiVO₄表面制备CoNiSe三元化合物；所述制备CoNiSe三元化合物的方法包括：

采用电沉积法在BiVO₄表面制备CoNiSe三元化合物；

所述电沉积法采用的电解质溶液包括：

钴盐、镍盐、二氧化硒和溶剂。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述BiVO₄的制备方法包括：

将BiOI和钒盐煅烧，得到BiVO₄。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述BiOI的制备方法包括：

采用电沉积法在FTO表面制备BiOI；

所述电沉积法采用的沉积溶液包括：

铋盐、碘盐、硝酸、对苯醌和溶剂。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述电解质溶液中钴盐的浓度为1~10mmol/L，镍盐的浓度为1~10mmol/L，二氧化硒的浓度为1~10mmol/L。

5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述沉积溶液中铋盐的浓度为0.1~1mmol/L，碘盐的浓度为0.1~1mmol/L；对苯醌的浓度为0.1~1mmol/L；

所述硝酸为浓硝酸；所述硝酸的用量使沉积溶液的pH值为0.5~1.5。

6.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述电沉积法过程中以FTO为工作电极，Pt片为对电极，Ag/AgCl电极为参比电极，沉积温度为室温。

7.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述电沉积法过程中采用两步沉积，先以相对于参比电极为-0.5~-0.1V的电压沉积5~60s，再以相对于参比电极为-0.1~0V的电压沉积360~3600s。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述电沉积法过程中以-0.5~0.1V沉积60~3600s。

9.一种双电池结构，包括：

腐蚀池和光解池；

所述腐蚀池为三电极体系；

所述光解池包括工作电极，所述工作电极为权利要求1所述的方法制备得到的钒酸铋基光生阴极保护涂层。