[发明专利]具有嵌入式集成电路的传感器封装在审
| 申请号: | 202210890108.7 | 申请日: | 2022-07-27 |
| 公开(公告)号: | CN115692368A | 公开(公告)日: | 2023-02-03 |
| 发明(设计)人: | 栾竟恩 | 申请(专利权)人: | 意法半导体有限公司 |
| 主分类号: | H01L23/498 | 分类号: | H01L23/498;B81B7/00;B81B7/02;B81C1/00;H04R19/00;H04R19/04 |
| 代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 丁君军 |
| 地址: | 新加*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 具有 嵌入式 集成电路 传感器 封装 | ||
1.一种器件,包括:
衬底,所述衬底具有第一表面和第二表面;
所述衬底中的、在所述第一表面和所述第二表面之间的第一裸片,所述第一裸片具有第一触点;
在所述衬底的所述第一表面上的第二裸片;
穿过所述衬底从所述第一表面到所述第二表面的第一开口;
第一导电层,所述第一导电层在所述衬底的所述第一表面上、在所述第一开口的侧壁上、以及在所述衬底的所述第二表面上,所述第一导电层耦合到所述第一裸片的所述第一触点。
2.根据权利要求1所述的器件,进一步包括第二导电层,所述第二导电层在所述衬底的所述第一表面上、在所述第一开口的所述侧壁上、以及在所述衬底的所述第二表面上。
3.根据权利要求2所述的器件,进一步包括耦合到所述衬底的盖。
4.根据权利要求3所述的器件,其中所述第二导电层在所述衬底的所述第一表面处耦合到所述盖。
5.根据权利要求4所述的器件,进一步包括介电层,所述介电层在所述衬底的所述第一表面上、在所述衬底的所述第二表面上、以及在所述第一导电层和所述第二导电层上。
6.根据权利要求5所述的器件,进一步包括穿过所述衬底的所述第二表面上的所述介电层的第二触点,所述第二触点是所述第二导电层的部分。
7.根据权利要求1所述的器件,其中所述第一裸片包括第二触点,与所述第二表面相比,所述第一触点和所述第二触点更靠近所述衬底的所述第一表面。
8.根据权利要求7所述的器件,其中所述第二裸片包括第三触点,所述第三触点被电耦合到所述第一裸片的所述第二触点。
9.根据权利要求1所述的器件,进一步包括在所述衬底的所述第一表面上的棱镜。
10.根据权利要求9所述的器件,其中所述棱镜通过所述第一开口与所述第二裸片被间隔开。
11.根据权利要求10所述的器件,其中所述棱镜从所述衬底的第一边缘延伸到所述衬底的第二边缘,并且覆盖所述第一裸片和所述第二裸片。
12.根据权利要求10所述的器件,其中所述棱镜从所述衬底的第一边缘延伸到所述衬底的第二边缘并覆盖所述第一裸片和所述第二裸片。
13.根据权利要求11所述的器件,进一步包括:
在所述衬底的所述第一表面上的第三裸片;以及
穿过所述衬底的第二开口,所述第三裸片与所述第二开口对准。
14.一种器件,包括:
具有第一表面和第二表面的激光反应模制化合物;
所述激光反应模制化合物中的、在所述第一表面与所述第二表面之间的第一裸片;
穿过所述激光反应模制化合物从所述第一表面到所述第二表面的第一开口;以及
第一激光直接成型迹线,所述第一激光直接成型迹线穿过所述开口从所述第一裸片延伸到所述激光反应模制化合物的所述第二表面。
15.根据权利要求14所述的器件,进一步包括在所述激光反应模制化合物的所述第一表面上的第二裸片。
16.根据权利要求15所述的器件,其中所述第二裸片被对准并且覆盖所述第一开口。
17.根据权利要求16所述的器件,其中所述第二裸片包括膜和腔室,所述第一开口与所述腔室流体连通。
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