[发明专利]一种高灵敏度微型原子层热电堆热流传感器及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202210881824.9 申请日: 2022-07-26
公开(公告)号: CN115411171A 公开(公告)日: 2022-11-29
发明(设计)人: 赵睿鹏;陈曦;陶伯万;李禛哲;钟耀;陶然;徐毅;熊兵 申请(专利权)人: 电子科技大学;中国航发四川燃气涡轮研究院
主分类号: H01L35/32 分类号: H01L35/32;H01L35/34;H01L35/10
代理公司: 电子科技大学专利中心 51203 代理人: 闫树平
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 灵敏度 微型 原子 热电 热流 传感器 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种高灵敏度微型原子层热电堆热流传感器,其特征在于:包括倾斜单晶基片、两种热电堆线条、引线金膜和外接导线;

所述两种热电堆线条为两种热电势信号极性相反的材料,分别为n型和p型ALTP薄膜材料,两种热电堆线条设置于倾斜单晶基片上,并沿单晶基片倾斜方向交替串联排布;

所述引线金膜有两处,分别连接串联导通后的首尾两根热电堆线条,然后分别外接导线;

所述外接导线有两根,分别与两处引线金膜相连,作为整体传感器对外连接的端头。

2.如权利要求1所述高灵敏度微型原子层热电堆热流传感器,其特征在于:所述倾斜单晶基片为沿c轴倾斜5°-45°的LaAlO3、SrTiO3或MgO单晶基片。

3.如权利要求1所述高灵敏度微型原子层热电堆热流传感器,其特征在于:所述两种热电堆线条为同一种材料分别调制成为n型和p型。

4.如权利要求1所述高灵敏度微型原子层热电堆热流传感器的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

步骤1、通过溅射、金属有机化学气相沉积或脉冲激光沉积方法在倾斜取向的单晶基底上外延生长n型或p型ALTP薄膜;

步骤2、通过第一次光刻工艺将n型或p型ALTP薄膜刻蚀成N根互不相交的热电堆线条,N≥2;

步骤3、通过第二次光刻和金属有机沉积制备N-1根p型或n型热电堆线条;N-1根p型或n型热电堆线条分别分布在相邻n型或p型热电堆线条之间,实现N根n型或p型热电堆线条的依次串联;

步骤4、在串联导通后的首尾两根热电堆线条分别制备连通的引线金膜,共计两处;然后在两处引线金膜上,分别连接两根外接导线。

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