[发明专利]半导体封装件

说明书

一种半导体封装件，包括：第一半导体芯片，所述第一半导体芯片包括具有彼此相对的第一有源表面和第一无源表面的第一半导体衬底以及位于所述第一有源表面上的多个第一芯片焊盘；第二半导体芯片，所述第二半导体芯片包括具有彼此相对的第二有源表面和第二无源表面的第二半导体衬底以及位于所述第二有源表面上的多个第二芯片焊盘，所述第二半导体芯片堆叠在所述第一半导体芯片上使得所述第二有源表面面对所述第一无源表面；接合绝缘材料层，所述接合绝缘材料层介于所述第一半导体芯片与所述第二半导体芯片之间；以及多个接合焊盘，所述多个接合焊盘被所述接合绝缘材料层围绕，并且将所述第一半导体芯片电连接到所述第二半导体芯片。

相关申请的交叉引用

本申请基于并要求2021年10月12日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2021-0135302的优先权，通过引用将该韩国专利申请的全部公开内容并入本文。

技术领域

实施例涉及一种半导体封装件。

背景技术

由于需要电子产品的小尺寸、大容量和高性能，因此需要提高半导体封装件的集成度和速度。为此，正在开发包括多个半导体芯片(包括堆叠的半导体芯片)的半导体封装件以及制造半导体封装件的方法。

发明内容

实施例涉及一种半导体封装件，包括：第一半导体芯片，所述第一半导体芯片包括具有彼此相对的第一有源表面和第一无源表面的第一半导体衬底以及位于所述第一有源表面上的多个第一芯片焊盘；第二半导体芯片，所述第二半导体芯片包括具有彼此相对的第二有源表面和第二无源表面的第二半导体衬底以及位于所述第二有源表面上的多个第二芯片焊盘，所述第二半导体芯片堆叠在所述第一半导体芯片上使得所述第二有源表面面对所述第一无源表面；接合绝缘材料层，所述接合绝缘材料层设置在所述第一半导体芯片与所述第二半导体芯片之间；以及多个接合焊盘，所述多个接合焊盘被所述接合绝缘材料层围绕，并且将所述第一半导体芯片电连接到所述第二半导体芯片，其中，所述多个接合焊盘均包括：焊盘部分，所述焊盘部分位于所述多个第二芯片焊盘中的相应的第二芯片焊盘上；以及贯穿通路部分，所述贯穿通路部分穿过所述第一半导体衬底并且所述贯穿通路部分的水平宽度小于所述焊盘部分的水平宽度。

实施例涉及一种半导体封装件，包括：高带宽存储器(HBM)控制裸片，所述HBM控制裸片包括具有彼此相对的第一有源表面和第一无源表面的第一半导体衬底以及位于所述第一有源表面上的多个第一芯片焊盘；多个动态随机存取存储器(DRAM)裸片，所述多个DRAM裸片均包括具有彼此相对的第二有源表面和第二无源表面的第二半导体衬底以及位于所述第二有源表面上的多个第二芯片焊盘，所述多个DRAM裸片堆叠在所述HBM控制裸片上使得所述多个DRAM裸片中的每个DRAM裸片的所述第二有源表面面对所述第一无源表面，并且所述多个DRAM裸片中的每一个DRAM裸片的水平宽度小于所述HBM控制裸片的水平宽度；接合绝缘材料层，所述接合绝缘材料层设置在所述HBM控制裸片与所述多个DRAM裸片中的一个DRAM裸片之间；多个接合焊盘，所述多个接合焊盘被所述接合绝缘材料层围绕，并且将所述HBM控制裸片电连接到所述多个DRAM裸片；以及多个接合热焊盘，所述多个接合热焊盘被所述接合绝缘材料层围绕，其中：所述多个接合焊盘均包括：焊盘部分，所述焊盘部分位于所述多个第二芯片焊盘中的相应的第二芯片焊盘上并且具有第一水平宽度；贯穿通路部分，所述贯穿通路部分穿过所述第一半导体衬底的至少一部分或所述第二半导体衬底的至少一部分，并且具有小于所述第一水平宽度的第二水平宽度，并且所述第一水平宽度的值大于所述多个接合热焊盘中的每一个接合热焊盘的第三水平宽度的值。