[发明专利]半导体封装件

权利要求书

1.一种半导体封装件，包括：

第一半导体芯片，所述第一半导体芯片包括具有彼此相对的第一有源表面和第一无源表面的第一半导体衬底以及位于所述第一有源表面上的多个第一芯片焊盘；

第二半导体芯片，所述第二半导体芯片包括具有彼此相对的第二有源表面和第二无源表面的第二半导体衬底以及位于所述第二有源表面上的多个第二芯片焊盘，所述第二半导体芯片堆叠在所述第一半导体芯片上使得所述第二有源表面面对所述第一无源表面；

接合绝缘材料层，所述接合绝缘材料层介于所述第一半导体芯片与所述第二半导体芯片之间；以及

多个接合焊盘，所述多个接合焊盘被所述接合绝缘材料层围绕，并且将所述第一半导体芯片电连接到所述第二半导体芯片，

其中，所述多个接合焊盘均包括：

焊盘部分，所述焊盘部分位于所述多个第二芯片焊盘中的相应的第二芯片焊盘上；以及

贯穿通路部分，所述贯穿通路部分穿过所述第一半导体衬底并且所述贯穿通路部分的水平宽度小于所述焊盘部分的水平宽度。

2.根据权利要求1所述的半导体封装件，所述半导体封装件还包括：

第一布线间绝缘层，所述第一布线间绝缘层围绕所述多个第一芯片焊盘；以及

第二布线间绝缘层，所述第二布线间绝缘层围绕所述多个第二芯片焊盘，其中：

所述接合绝缘材料层介于所述第一无源表面与所述第二布线间绝缘层之间，并且

所述多个接合焊盘穿过所述第二布线间绝缘层和所述接合绝缘材料层。

3.根据权利要求2所述的半导体封装件，其中：

所述焊盘部分被所述第二布线间绝缘层以及所述接合绝缘材料层的一部分围绕，并且

所述贯穿通路部分被所述接合绝缘材料层的另一部分围绕。

4.根据权利要求2所述的半导体封装件，所述半导体封装件还包括多个接合热焊盘，所述多个接合热焊盘被所述接合绝缘材料层围绕。

5.根据权利要求4所述的半导体封装件，其中，所述多个接合热焊盘中的每一个接合热焊盘的水平宽度小于所述多个接合焊盘中的每一个接合焊盘的水平宽度。

6.根据权利要求4所述的半导体封装件，其中，所述接合绝缘材料层的围绕所述多个接合焊盘的部分比所述接合绝缘材料层的围绕所述多个接合热焊盘的部分厚。

7.根据权利要求4所述的半导体封装件，其中：

所述多个接合热焊盘均包括相对于所述焊盘部分的与所述接合绝缘材料层接触的底表面而言作为上部的前热焊盘部分和作为下部的后热焊盘部分，所述前热焊盘部分和所述后热焊盘部分被提供为一个整体，并且

所述前热焊盘部分的垂直高度小于所述焊盘部分的垂直高度。

8.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中：

所述第一半导体芯片的水平宽度大于所述第二半导体芯片的水平宽度，并且

所述接合绝缘材料层的在垂直方向上与所述第二半导体芯片交叠的部分的厚度大于所述接合绝缘材料层的在所述垂直方向上不与所述第二半导体芯片交叠的部分的厚度。

9.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述接合绝缘材料层包括顶表面和平坦的底表面，所述顶表面包括对应于所述多个第二芯片焊盘的凹陷部分。

10.根据权利要求7所述的半导体封装件，其中，所述多个接合焊盘中的每一个接合焊盘的焊盘部分和贯穿通路部分扩散接合以构成一个整体，并且所述多个接合热焊盘中的每一个接合热焊盘的前热焊盘部分和后热焊盘部分扩散接合以构成一个整体。