[发明专利]基板处理装置和基板处理方法

说明书

本发明涉及基板处理装置和基板处理方法。局部地且容易地调整基板的周端部的处理状态。基板处理装置构成为包括：处理容器，其容纳基板；载物台，其设于所述处理容器内，具有载置所述基板的载置区域；气体供给部，其供给处理气体，以对载置于所述载置区域的基板进行处理；排气口，其对所述处理容器内进行排气；下壁，其沿着所述载置区域的周缘形成并以包围该基板的方式设于所述载物台；以及上壁，其在所述下壁的壁周局部地向上方突出，并相对于该下壁独立地形成。

技术领域

本公开涉及基板处理装置和基板处理方法。

背景技术

对俯视时呈矩形的基板进行蚀刻等气体处理。在进行该气体处理的装置中，有时设置包围基板的矩形框状的构件(整流壁)并利用该构件遮挡气体从该基板的中心侧朝向外周侧的流动，从而调整基板的周端部侧的处理速度。

在专利文献1中示出了上端形成为均匀的高度的该构件。此外，在专利文献2中示出了，使上述的构件的四个角部的高度低于其他部位的高度，以抑制基板的四个角部处的蚀刻气体的滞留。此外，在专利文献3中示出了，上述的构件由高度互相不同并且在横向上排列的多个配件构成。通过适当地更换各配件，从而调整基板各部分处的蚀刻气体的滞留的程度。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2009-54720号公报

专利文献2：日本特开2003-243364号公报

专利文献3：日本特开2013-243184号公报

发明内容

发明要解决的问题

本公开的目的在于，提供一种能够局部地且容易地调整基板的周端部的处理状态的技术。

用于解决问题的方案

本公开的基板处理装置包括：

处理容器，其容纳基板；

载物台，其设于所述处理容器内，具有载置所述基板的载置区域；

气体供给部，其供给处理气体，以对载置于所述载置区域的基板进行处理；

排气口，其对所述处理容器内进行排气；

下壁，其沿着所述载置区域的周缘形成并以包围该基板的方式设于所述载物台；以及

上壁，其在所述下壁的壁周局部地向上方突出，并相对于该下壁独立地形成。

发明的效果

本公开能够局部地且容易地调整基板的周端部的处理状态。

附图说明

图1是作为本公开的一实施方式的基板处理装置的蚀刻装置的纵剖侧视图。

图2是在所述蚀刻装置设置的载物台和整流壁的概略立体图。

图3是所述整流壁的横剖俯视图。

图4是所述整流壁的侧视图。

图5是构成所述整流壁的上壁和下壁的立体图。

图6是所述上壁和所述下壁的立体图。

图7是所述整流壁的纵剖侧视图。

图8是所述整流壁的侧视图。

图9是所述整流壁的侧视图。

图10是表示评价试验的结果的说明图。

图11是表示评价试验的结果的说明图。

具体实施方式