[发明专利]发光器件和显示面板有效
| 申请号: | 202210789887.1 | 申请日: | 2022-07-06 |
| 公开(公告)号: | CN114864852B | 公开(公告)日: | 2022-11-25 |
| 发明(设计)人: | 王丹;孙海雁 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L51/54 | 分类号: | H01L51/54;H01L51/50;H01L51/52;H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 王炯德 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 发光 器件 显示 面板 | ||
1.一种发光器件,其特征在于,包括:
沿第一方向依次叠置的第一电极、至少两个发光单元和第二电极;
所述至少两个发光单元包括第一发光单元、位于所述第一发光单元与所述第二电极之间的第二发光单元、以及位于所述第一发光单元和所述第二发光单元之间的电荷产生层;
所述第一发光单元包括第一发光层,所述发光器件中位于所述第一发光层远离所述第一电极一侧的多个膜层,共同包括至少三种金属;
其中,所述发光器件中位于所述第一发光层远离所述第一电极一侧的多个膜层,包括自所述第一电极至所述第二电极的方向依次排布的第一膜层、第二膜层和第三膜层;所述第二膜层和所述第三膜层相邻设置;
所述第三膜层中金属的功函数的绝对值,大于所述第二膜层中金属的功函数的绝对值;所述第三膜层中金属的功函数的绝对值,大于所述第一膜层中金属的功函数的绝对值。
2.根据权利要求1所述的发光器件,其特征在于,所述发光器件中位于第一发光层远离所述第一电极一侧的多个膜层中,至少有三个膜层包括金属。
3.根据权利要求1所述的发光器件,其特征在于,所述至少三种金属包括第一类型金属和第二类型金属;
所述第一类型金属的功函数小于-3.5 eV,所述第二类型金属的功函数大于 -3.5 eV。
4.根据权利要求3所述的发光器件,其特征在于,所述第一类型金属的功函数处于-5.2eV~-3.5 eV 的范围内。
5.根据权利要求3所述的发光器件,其特征在于,所述第二发光单元包括第二发光层;
所述发光器件中,位于所述第二发光层靠近所述第一电极的一侧包括至少一种所述第二类型金属,位于所述第二发光层远离所述第一电极的一侧包括至少一种所述第一类型金属和至少一种所述第二类型金属。
6.根据权利要求5所述的发光器件,其特征在于,所述第一膜层位于所述第二发光层靠近所述第一电极的一侧;所述第二膜层和所述第三膜层位于所述第二发光层远离所述第一电极的一侧。
7.根据权利要求3所述的发光器件,其特征在于,具有所述第一类型金属的膜层,共包括至少两种金属。
8.根据权利要求3所述的发光器件,其特征在于,所述发光器件中位于第一发光层远离所述第一电极一侧的至少两个膜层包括同一种金属。
9.根据权利要求3所述的发光器件,其特征在于,所述电荷产生层包括第一电荷产生子层和第二电荷产生子层;所述第一电荷产生子层位于所述第一发光单元与所述第二电荷产生子层之间;
所述第一电荷产生子层包括至少一种所述第二类型金属。
10.根据权利要求9所述的发光器件,其特征在于,所述第一电荷产生子层中,所述第二类型金属的体积在所述第一电荷产生子层的体积中的比例,小于或等于1%。
11.根据权利要求3所述的发光器件,其特征在于,所述第二电极包括两种所述第一类型金属;
其中,两种所述第一类型金属之间的体积比为100:1~1:100。
12.根据权利要求3所述的发光器件,其特征在于,在所述发光器件中,所述第一类型金属的体积总和与所述第二类型金属的体积总和之间的比例,小于或等于20:1。
13.根据权利要求3所述的发光器件,其特征在于,在所述发光器件中,所述第二类型金属的体积总和,与所述第一类型金属和所述第二类型金属整体体积之间的比例,大于或等于5%。
14.根据权利要求3所述的发光器件,其特征在于,所述第一膜层、所述第二膜层和所述第三膜层中的至少一层,包括主体材料、以及包含金属的掺杂材料;所述掺杂材料掺杂在所述主体材料内。
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