[发明专利]一种基于Sc掺杂浓度变化的体声波滤波器有效

专利信息
申请号: 202210784692.8 申请日: 2022-07-06
公开(公告)号: CN114866058B 公开(公告)日: 2023-02-17
发明(设计)人: 请求不公布姓名 申请(专利权)人: 深圳新声半导体有限公司
主分类号: H03H9/02 分类号: H03H9/02;H03H3/02;H03H9/56;H03H9/58;H10N30/50
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518049 广东省深圳市福田区梅林街*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 sc 掺杂 浓度 变化 声波 滤波器
【权利要求书】:

1.一种基于Sc掺杂浓度变化的体声波滤波器,其特征在于,所述体声波滤波器包括基板(1)、底电极(2)、空腔(3)、多层体掺钪压电层(4)、顶电极(5)和钝化层(6);所述底电极(2)、多层体掺钪压电层(4)、顶电极(5)和钝化层(6)依次按层级布设于所述基板(1)上;所述空腔(3)为带凹槽的基板(1)和底电极(2)之间形成的腔体;

当多层体掺钪压电层(4)包括第一掺钪压电层(41)、第二掺钪压电层(42)和第三掺钪压电层(43)时;所述第一掺钪压电层(41)、第二掺钪压电层(42)和第三掺钪压电层(43)的掺钪浓度各不同,并且,所述第一掺钪压电层(41)的掺钪浓度为0.023;所述第二掺钪压电层(42)的掺钪浓度为0.018;所述第三掺钪压电层(43)的掺钪浓度为0.012;

当所述多层体掺钪压电层(4)包括第一掺钪压电层(41)、第二掺钪压电层(42)、第三掺钪压电层(43)和第四掺钪压电层(44)时;所述第一掺钪压电层(41)的掺钪浓度为0.027;所述第二掺钪压电层(42)的掺钪浓度为0.025;所述第三掺钪压电层(43)的掺钪浓度为0.020;所述第四掺钪压电层(44)的掺钪浓度为0.015;

所述第一掺钪压电层(41)的掺钪浓度为0.015;所述第二掺钪压电层(42)的掺钪浓度为0.013;所述第三掺钪压电层(43)的掺钪浓度为0.012;所述第四掺钪压电层(44)的掺钪浓度为0.008。

2.根据权利要求1所述体声波滤波器,其特征在于,当多层体掺钪压电层(4)包括第一掺钪压电层(41)、第二掺钪压电层(42)和第三掺钪压电层(43)时;所述第一掺钪压电层(41)紧贴于所述顶电极(5)的一侧;所述第二掺钪压电层(42)设置于所述第一掺钪压电层(41)远离顶电极(5)的一侧;所述第三掺钪压电层(43)设置于所述第二掺钪压电层(42)的远离所述第一掺钪压电层(41)的一侧,并且,所述第三掺钪压电层(43)紧贴于所述底电极(2)。

3.根据权利要求2所述体声波滤波器,其特征在于,所述第一掺钪压电层(41)沿所述基板(1)宽度方向上延展的长度大于顶电极(5)延所述基板(1)宽度方向上延展的长度,且小于基板(1)的宽度;所述第二掺钪压电层(42)和第三掺钪压电层(43)沿所述基板(1)宽度方向上延展的长度与所述基板(1)宽度相同。

4.根据权利要求1所述体声波滤波器,其特征在于,当所述多层体掺钪压电层(4)包括第一掺钪压电层(41)、第二掺钪压电层(42)、第三掺钪压电层(43)和第四掺钪压电层(44)时;所述第一掺钪压电层(41)、第二掺钪压电层(42)、第三掺钪压电层(43)和第四掺钪压电层(44)中每相邻的两个压电层的掺钪浓度不同。

5.根据权利要求4所述体声波滤波器,其特征在于,所述第四掺钪压电层(44)紧贴于所述底电极(2)的顶端,并沿所述基板(1)宽度方向上延展至覆盖基板(1),且,所述第四掺钪压电层(44)的厚度与所述底电极(2)厚度相同;所述第三掺钪压电层(43)、第二掺钪压电层(42)和第一掺钪压电层(41)沿所述底电极(2)向顶电极(5)的方向依次逐层布设。

6.根据权利要求5所述体声波滤波器,其特征在于,所述第二掺钪压电层(42)的厚度大于第一掺钪压电层(41)的厚度;所述第三掺钪压电层(43)的厚度不得低于所述第二掺钪压电层(42)厚度的63%。

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