[发明专利]一种基于Sc掺杂浓度变化的体声波滤波器有效
| 申请号: | 202210784692.8 | 申请日: | 2022-07-06 |
| 公开(公告)号: | CN114866058B | 公开(公告)日: | 2023-02-17 |
| 发明(设计)人: | 请求不公布姓名 | 申请(专利权)人: | 深圳新声半导体有限公司 |
| 主分类号: | H03H9/02 | 分类号: | H03H9/02;H03H3/02;H03H9/56;H03H9/58;H10N30/50 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 518049 广东省深圳市福田区梅林街*** | 国省代码: | 广东;44 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 基于 sc 掺杂 浓度 变化 声波 滤波器 | ||
1.一种基于Sc掺杂浓度变化的体声波滤波器,其特征在于,所述体声波滤波器包括基板(1)、底电极(2)、空腔(3)、多层体掺钪压电层(4)、顶电极(5)和钝化层(6);所述底电极(2)、多层体掺钪压电层(4)、顶电极(5)和钝化层(6)依次按层级布设于所述基板(1)上;所述空腔(3)为带凹槽的基板(1)和底电极(2)之间形成的腔体;
当多层体掺钪压电层(4)包括第一掺钪压电层(41)、第二掺钪压电层(42)和第三掺钪压电层(43)时;所述第一掺钪压电层(41)、第二掺钪压电层(42)和第三掺钪压电层(43)的掺钪浓度各不同,并且,所述第一掺钪压电层(41)的掺钪浓度为0.023;所述第二掺钪压电层(42)的掺钪浓度为0.018;所述第三掺钪压电层(43)的掺钪浓度为0.012;
当所述多层体掺钪压电层(4)包括第一掺钪压电层(41)、第二掺钪压电层(42)、第三掺钪压电层(43)和第四掺钪压电层(44)时;所述第一掺钪压电层(41)的掺钪浓度为0.027;所述第二掺钪压电层(42)的掺钪浓度为0.025;所述第三掺钪压电层(43)的掺钪浓度为0.020;所述第四掺钪压电层(44)的掺钪浓度为0.015;
或
所述第一掺钪压电层(41)的掺钪浓度为0.015;所述第二掺钪压电层(42)的掺钪浓度为0.013;所述第三掺钪压电层(43)的掺钪浓度为0.012;所述第四掺钪压电层(44)的掺钪浓度为0.008。
2.根据权利要求1所述体声波滤波器,其特征在于,当多层体掺钪压电层(4)包括第一掺钪压电层(41)、第二掺钪压电层(42)和第三掺钪压电层(43)时;所述第一掺钪压电层(41)紧贴于所述顶电极(5)的一侧;所述第二掺钪压电层(42)设置于所述第一掺钪压电层(41)远离顶电极(5)的一侧;所述第三掺钪压电层(43)设置于所述第二掺钪压电层(42)的远离所述第一掺钪压电层(41)的一侧,并且,所述第三掺钪压电层(43)紧贴于所述底电极(2)。
3.根据权利要求2所述体声波滤波器,其特征在于,所述第一掺钪压电层(41)沿所述基板(1)宽度方向上延展的长度大于顶电极(5)延所述基板(1)宽度方向上延展的长度,且小于基板(1)的宽度;所述第二掺钪压电层(42)和第三掺钪压电层(43)沿所述基板(1)宽度方向上延展的长度与所述基板(1)宽度相同。
4.根据权利要求1所述体声波滤波器,其特征在于,当所述多层体掺钪压电层(4)包括第一掺钪压电层(41)、第二掺钪压电层(42)、第三掺钪压电层(43)和第四掺钪压电层(44)时;所述第一掺钪压电层(41)、第二掺钪压电层(42)、第三掺钪压电层(43)和第四掺钪压电层(44)中每相邻的两个压电层的掺钪浓度不同。
5.根据权利要求4所述体声波滤波器,其特征在于,所述第四掺钪压电层(44)紧贴于所述底电极(2)的顶端,并沿所述基板(1)宽度方向上延展至覆盖基板(1),且,所述第四掺钪压电层(44)的厚度与所述底电极(2)厚度相同;所述第三掺钪压电层(43)、第二掺钪压电层(42)和第一掺钪压电层(41)沿所述底电极(2)向顶电极(5)的方向依次逐层布设。
6.根据权利要求5所述体声波滤波器,其特征在于,所述第二掺钪压电层(42)的厚度大于第一掺钪压电层(41)的厚度;所述第三掺钪压电层(43)的厚度不得低于所述第二掺钪压电层(42)厚度的63%。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳新声半导体有限公司,未经深圳新声半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210784692.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





