[发明专利]显示面板、显示装置、三维微结构器件及其制备方法

权利要求书

1.一种三维微结构器件的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

制备功能层、薄膜执行器和器件层，所述薄膜执行器位于所述功能层和所述器件层之间；

执行设定工艺使所述薄膜执行器膨胀，以使所述功能层远离所述器件层；

在所述功能层远离所述器件层的状态下，加工所述器件层或所述功能层，以制备所述三维微结构器件。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述薄膜执行器的材质为热响应型形状记忆材料、光致形状记忆材料、pH致形状记忆材料、电致形状记忆材料、磁致形状记忆材料中的其中一种；

所述设定工艺是与所述薄膜执行器的材质关联的对应工艺；所述对应工艺包括加热工艺、光照工艺、pH值调整工艺、施加电场工艺、施加磁场工艺。

3.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述热响应型形状记忆材料为聚乙烯-醋酸乙烯酯、聚氨酯、聚己内脂及其共聚物中的其中一种。

4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述执行设定工艺使所述薄膜执行器膨胀，以使所述功能层远离所述器件层，包括：

执行设定工艺使所述薄膜执行器膨胀，推动所述器件层的接触区域远离所述功能层，并使所述接触区域与周边区域趋于同一平面；

其中，所述接触区域为所述器件层与所述薄膜执行器接触的区域，所述周边区域为所述器件层与所述接触区域相连的区域。

5.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述制备功能层、薄膜执行器和器件层，包括：

制备所述功能层，并检测所述功能层中的凹陷区；

在所述凹陷区内形成所述薄膜执行器；

在形成有所述薄膜执行器的所述功能层上形成所述器件层。

6.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述三维微结构器件为显示面板中的底电极；

所述制备所述功能层，并检测所述功能层中的凹陷区，包括：提供第一衬底基板，在所述第一衬底基板上形成介质层；检测所述介质层的凹陷区；所述第一衬底基板和所述介质层为所述功能层；

所述在形成有所述薄膜执行器的所述功能层上形成所述器件层，包括：

在形成有所述薄膜执行器的所述功能层上形成电极材料层作为所述器件层，并在所述电极材料层上形成光刻胶层；

所述执行设定工艺使所述薄膜执行器膨胀，推动所述器件层的接触区域远离所述功能层，并使所述接触区域与周边区域趋于同一平面，包括：

对所述第一衬底基板进行前烘，以使所述薄膜执行器受热产生膨胀形变，推动所述薄膜执行器上的电极材料层远离所述功能层，并使所述薄膜执行器上的电极材料层与所述周边区域上的电极材料层趋于同一平面；

所述在所述功能层远离所述器件层的状态下，加工所述器件层或所述功能层，以制备所述三维微结构器件，包括：

对所述光刻胶层进行曝光、显影、后烘，以及刻蚀所述电极材料层，获得所述底电极。

7.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述制备功能层、薄膜执行器和器件层，包括：

制备所述功能层，并确定所述功能层中的台阶区；

在所述台阶区的较低侧形成所述薄膜执行器；

在形成有所述薄膜执行器的所述台阶区上形成所述器件层。