[发明专利]用于增加来自安瓿的通量的设备

说明书

描述了用于半导体制造前驱物的安瓿和使用方法。安瓿包括具有入口端口和出口端口的容器。入口端口在容器内的端部具有喷头。喷头具有至少两个成角度的喷嘴，以引导空腔内的气流，使得气流不垂直于安瓿内的液体的表面。

本申请是申请日为2018年3月2日、申请号为201880020038.1、发明名称为“用于增加来自安瓿的通量的设备”的发明专利申请的分案申请。

技术领域

本公开内容一般涉及形成半导体装置的接点的方法。特别地，本公开内容关于用于形成具有临界尺寸控制的自对准接点的处理。

背景技术

半导体工业正在使用越来越多种的用于化学气相沉积(CVD)和原子层沉积(ALD)处理的液体或固体形式的化学品。前驱物通常在具有单个入口和单个出口的密闭容器或安瓿内。

具有低蒸气压的前驱物通常使用载气将蒸汽从安瓿运送到处理反应器。对于这些类型的处理，通常使用两种类型的安瓿：起泡器，其中入口载气进入浸入到前驱物中的管中；及交叉流安瓿(cross-flow ampoule)，其中载气吹扫安瓿中的顶部空间。有些情况下，由于夹带有前驱物，不能使用起泡器，或因为前驱物的通量不符合处理参数，因此不能使用交叉流安瓿。

因此，本领域存在有用于提供比交叉流安瓿更高的前驱物通量的安瓿和方法的需求。

发明内容

本公开内容的一个或多个实施方式涉及一种用于半导体制造前驱物的安瓿。安瓿包含容器，容器具有封闭空腔的底部、侧壁和盖。入口端口与空腔流体连通。入口端口在位于空腔内的入口端口的端部上具有喷头。喷头包含至少两个成角度的喷嘴，以引导气流，使得当液体存在于容器中时。气流不垂直于液体的表面。出口端口与空腔流体连通。

本公开内容的另外的实施方式涉及一种用于半导体制造前驱物的安瓿。安瓿包含容器，容器具有封闭空腔的底部、侧壁和盖。入口端口与空腔流体连通。入口端口在位于空腔内的入口端口的端部上具有喷头。喷头包含三个成角度的喷嘴，以引导气流，使得当液体存在于容器中时，来自每个喷嘴的气流独立地在相对于与液体的表面正交的线而测量的约5°至约7°的范围中。出口端口与空腔流体连通。

本公开内容的其他实施方式涉及一种提供前驱物流的方法。使载气流动通过其中具有液体前驱物的前驱物安瓿的入口端口。在安瓿内使用在入口端口的端部处的喷头引导安瓿内的载气流。喷头包含至少两个成角度的喷嘴，以便以不垂直于液体前驱物的表面的角度引导气流。使载气和前驱物通过出口端口流出安瓿。

附图说明

为了能够详细理解本发明的上述特征的方式，可通过参考实施方式获得上面简要总结的本发明的更具体的描述，其中一些实施方式显示在附图中。然而，应注意附图仅绘示了本发明的典型实施方式，且因此不应被视为限制其范围，因为本发明可允许其他等效的实施方式。

图1显示了根据本公开内容的一个或多个实施方式的安瓿的剖视图；

图2显示了图1的放大区域2；

图3显示了根据本公开内容的一个或多个实施方式的安瓿的局部横截面；及

图4显示了根据本公开内容的一个或多个实施方式的安瓿和管道的示意图。

在附图中，类似的部件及/或特征可具有相同的附图标记。此外，相同类型的各种部件可使用在附图标记之后用在类似部件之间进行区分的破折号和第二符号来区分。若在说明书中仅使用第一附图标记，则实施方式适用于具有相同第一附图标记的任何一个相似部件，而不管第二附图标记如何。附图中部件的交叉影线阴影意欲帮助不同的部件的可视化，且不一定指示不同的构造材料。

具体实施方式

在描述本发明的若干示例性实施方式之前，应该理解本发明不限于以下的实施方式中阐述的构造或处理步骤的细节。本发明能够具有其他实施方式并能够以各种方式实施或执行。