[发明专利]半导体存储装置

权利要求书

1.一种半导体存储装置，具备：

基板；

第1存储柱，从所述基板沿第1方向延伸，具有：

多个第1存储单元晶体管，相互串联电连接，具有第1端部和第2端部；

第1选择晶体管，与所述第1端部电连接；

第2选择晶体管，与所述第2端部电连接；

多个第2存储单元晶体管，与所述多个第1存储单元晶体管电绝缘，该多个第2存储单元晶体管相互串联电连接，具有第3端部和第4端部；

第3选择晶体管，将所述第1选择晶体管与所述第3端部电连接；

第4选择晶体管，将所述第2选择晶体管与所述第4端部电连接；

多个第3存储单元晶体管，相互串联电连接，具有第5端部和第6端部；

第5选择晶体管，将所述第2选择晶体管及所述第4选择晶体管与所述第5端部电连接；

第6选择晶体管，与所述第6端部电连接；

多个第4存储单元晶体管，与所述多个第3存储单元晶体管电绝缘，该多个第4存储单元晶体管相互串联电连接，具有第7端部和第8端部；

第7选择晶体管，将所述第2选择晶体管、所述第4选择晶体管及所述第5选择晶体管与所述第7端部电连接；以及

第8选择晶体管，将所述第6选择晶体管与所述第8端部电连接；

第1选择栅极线，在所述基板之上，与所述基板的基板面平行地设置，与所述第1存储柱的第1侧对置，并与所述第1选择晶体管的栅极电连接；

多个第1字线，在所述第1选择栅极线之上，与所述基板的基板面平行地设置，与所述第1存储柱的所述第1侧对置，并与所述多个第1存储单元晶体管的栅极分别电连接；

第2选择栅极线，在所述多个第1字线之上，与所述基板的基板面平行地设置，与所述第1存储柱的所述第1侧对置，并与所述第2选择晶体管的栅极电连接；

第3选择栅极线，在所述基板之上，与所述基板的所述基板面平行地设置，在所述第1方向上的位置与所述第1选择栅极线在所述第1方向上的位置相同，与所述第1存储柱的第2侧对置，并与所述第3选择晶体管的栅极电连接；

多个第2字线，在所述第3选择栅极线之上，与所述基板的基板面平行地设置，在所述第1方向上的位置分别与所述多个第1字线在所述第1方向上的位置相同，与所述第1存储柱的所述第2侧对置，并与所述多个第2存储单元晶体管的栅极电连接；

第4选择栅极线，在所述多个第2字线之上，与所述基板的基板面平行地设置，在所述第1方向上的位置与所述第2选择栅极线在所述第1方向上的位置相同，与所述第1存储柱的第2侧对置，并与所述第4选择晶体管的栅极电连接；

第5选择栅极线，在所述基板之上，与所述基板的基板面平行地设置，与所述第1存储柱的第1侧对置，并与所述第5选择晶体管的栅极电连接；

多个第3字线，在所述第5选择栅极线之上，与所述基板的基板面平行地设置，与所述第1存储柱的所述第1侧对置，并与所述多个第3存储单元晶体管的栅极及所述多个第1字线分别电连接；

第6选择栅极线，在所述多个第3字线之上，与所述基板的基板面平行地设置，与所述第1存储柱的所述第1侧对置，并与所述第6选择晶体管的栅极电连接；

第7选择栅极线，在所述基板之上，与所述基板的所述基板面平行地设置，在所述第1方向上的位置与所述第5选择栅极线在所述第1方向上的位置相同，与所述第1存储柱的第2侧对置，并与所述第7选择晶体管的栅极电连接；

多个第4字线，在所述第7选择栅极线之上，与所述基板的基板面平行地设置，在所述第1方向上的位置与所述多个第3字线在所述第1方向上的位置分别相同，与所述第1存储柱的所述第2侧对置，并与所述多个第4存储单元晶体管的栅极及所述多个第2字线分别电连接；以及

第8选择栅极线，在所述多个第4字线之上，与所述基板的基板面平行地设置，在所述第1方向上的位置与所述第6选择栅极线在所述第1方向上的位置相同，与所述第1存储柱的第2侧对置，并与所述第8选择晶体管的栅极电连接。