[发明专利]一种HCVD用氯硅烷汽化器

说明书

本发明提供了一种HCVD用氯硅烷汽化器，其包括：汽化罐，设置于所述汽化罐外部的加热马夹，设置于所述汽化罐内的石墨发热体以及设置所述汽化罐的顶部的雾化喷射器，其中，所述汽化罐的侧壁上还设有混合气出口和正极法兰组件和负极法兰组件，所述雾化喷射器用于将待汽化的气体喷射至所述石墨发热体，所述正极法兰组件和所述负极法兰组件均电连接于所述加热马夹和所述石墨发热体。其通过将发热体采用石墨材质，并通过结构创新设计，增大了发热面积，发热体表面温度恒定，使进入的气体混合汽化效果更好，经过该HCVD用氯硅烷汽化器处理的氯硅烷能以有效计量、恒温的气相状态送入HCVD，保证了化学气相沉积炉的气场均一平稳。

技术领域

本发明涉及汽化装置技术领域，尤其涉及一种HCVD用氯硅烷汽化器。

背景技术

在高温化学气相沉积炉HCVD中，对甲基三氯硅烷如何均均汽化，使进炉气相不夹液，提高HCVD炉内的气场均均性，避免污染产品表面，一直是攻关的关键课题，因此亟需设计一种可提高汽化质量的汽化装置。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术的不足，提供一种HCVD用氯硅烷汽化器，以解决现有汽化器气场不均匀、气相夹液的技术问题。

为实现上述目的，本发明采用以下技术方案：

本发明的实施例提供了一种HCVD用氯硅烷汽化器，其包括：汽化罐，设置于所述汽化罐外部的加热马夹，设置于所述汽化罐内的石墨发热体以及设置所述汽化罐的顶部的雾化喷射器，其中，所述汽化罐的侧壁上还设有混合气出口和正极法兰组件和负极法兰组件，所述雾化喷射器用于将待汽化的气体喷射至所述石墨发热体，所述正极法兰组件和所述负极法兰组件均电连接于所述加热马夹和所述石墨发热体。

其中，所述石墨发热体包括：发热体本体，连接于所述发热体本体外壁的若干导热片，所述发热体本体内还设有贯穿的通孔。

其中，所述发热体本体为管状体，所述导热片沿所述管状体的侧壁轴向延伸，所述管状体上还设有上连接孔和下连接孔。

其中，所述汽化罐的顶端还设有顶端法兰，所述雾化喷射器连接于所述顶端法兰，所述雾化喷射器上设有第一进气管道和第二进气管道，所述第一进气管道用于输送氢气，所述第二进气管道用于输送甲基三氯硅烷。

其中，所述正极法兰组件包括：正极法兰盘，穿设于所述正极法兰盘的正极铜管，穿设于所述正极铜管内的正极石墨电极；其中，所述正极铜管上还套设有一绝缘垫圈，所述绝缘垫圈用于在所述正极铜管与所述正极法兰盘之间绝缘。

其中，所述汽化罐上还设有一正极法兰，所述正极法兰盘连接于所述正极法兰，且所述正极法兰与所述正极法兰盘之间还设有密封垫圈，所述正极石墨电极一端电连接于所述正极铜管，另一端电连接于所述石墨发热体。

其中，所述负极法兰组件包括：负极法兰盘，穿设于所述负极法兰盘的负极铜管，穿设于所述负极铜管的负极石墨电极；其中，所述负极铜管上还套设有一绝缘垫圈，所述绝缘垫圈用于在所述负极铜管与负极法兰盘之间绝缘。

其中，所述汽化罐上还设有负极法兰，所述负极法兰盘连接于所述负极法兰，且所述负极法兰与所述负极法兰盘之间还设有密封垫圈，所述负极石墨电极的一端电连接于所述石墨发热体，另一端电连接于所述负极铜管。

其中，所述汽化罐的顶端与所述顶端法兰之间还设有一密封垫。

其中，所述石墨发热体的底端还设有垫块，所述垫块连接于所述汽化罐的底部。

本发明的HCVD用氯硅烷汽化器，其通过加发热体采用石墨材质，并通过结构创新设计，增大了发热面积，发热体表面温度恒定，使进入的气体混合汽化效果更好，经过该HCVD用氯硅烷汽化器处理的氯硅烷能以有效计量、恒温的气相状态送入HCVD，保证了化学气相沉积炉的气场均一平稳。